AI技术发展催生存储芯片涨价潮!存储市场已进入“超级牛市”阶段

2026年第一季DRAM原厂大规模将先进制程、新产能转移至服务器及HBM应用，以满足AI服务器需求，导致其他市场供给严重紧缩，预估整体一般型DRAM（Conventional DRAM）合约价季增55%～60%；NANDFlash因原厂控管产能，且服务器强劲拉货排挤其他应用，各类产品合约价预计持续上涨33%～38%。

作者 | 于晓明执业证书编号：A0680622030012

2026年以来，存储芯片概念指数大涨超18%，1月16日再创历史新高。

存储芯片市场持续走强，核心与涨价趋势密切相关

TrendForce集邦咨询报告显示，2026年第一季DRAM原厂大规模将先进制程、新产能转移至服务器及HBM应用，以满足AI服务器需求，导致其他市场供给严重紧缩，预估整体一般型DRAM（Conventional DRAM）合约价季增55%～60%；NANDFlash因原厂控管产能，且服务器强劲拉货排挤其他应用，各类产品合约价预计持续上涨33%～38%。

Counterpoint Research报告指出，存储市场已进入“超级牛市”阶段，行情超越2018年历史高点，受AI与服务器容量需求持续激增推动，供应商议价能力达历史最高水平；2025年Q4存储价格飙升40%～50%，2026年Q1将再涨40%～50%，2026年Q2预计继续上涨约20%。

本轮存储芯片涨价核心驱动力为AI技术发展

德邦证券表示，2016年起存储行业经历三轮周期，各周期核心逻辑存在差异：

1. 2016～2019年周期：核心受益于DDR4换代带来的价格快速上涨；手机游戏等应用火爆推高存储性能需求，带动DDR4渗透率提升；存储厂转向3DNandFlash扩产加深DDR4供给紧张预期，叠加2016年三星西安工厂停电等厂务因素，进一步推高存储器价格，此周期依托消费端需求发力。

2. 2020～2023年周期：核心受益于笔记本电脑、手机等消费电子产品需求；2020-2021年疫情推动远程办公、线上网课普及，笔记本电脑出货量2020年大增27%，全球服务器出货量2020年、2021年分别增长3.9%和6.9%；2022～2023年消费电子销量下滑，存储景气度下行，同样依托消费端发力。

3. 2024年开启的新周期：核心受益于AI基建带来的需求增长；与前两轮周期不同，本轮需求更多源自大型科技公司AI时代的算力基建，涨价持续性可能更强。

存储芯片是半导体行业第二大细分市场，据半导体权威机构WSTS数据，2024年全球半导体市场规模为6305亿美元，其中存储芯片市场达1655亿美元，占比26%，仅次于逻辑芯片。

该机构表示，存储芯片是半导体行业中第二大细分市场，根据半导体权威机构WSTS的数据，2024年全球半导体市场为6305亿美元，其中存储芯片市场为1655亿美元，占整个半导体市场的26%，是仅次于逻辑芯片的第二大细分领域。

存储芯片行业产业链解析

存储芯片产业链涵盖上中下游三大核心环节，受AI技术爆发与国产替代浪潮驱动，正迎来结构性机遇。上游为设备与材料，是自主可控关键，北方华创、中微公司等在刻蚀、薄膜沉积设备领域突破，沪硅产业、安集科技等实现硅片、抛光液国产化，逐步打破海外垄断。中游聚焦设计与制造，兆易创新领跑国内芯片设计，长鑫存储、长江存储分别在DRAM、3D NAND领域实现量产突破，缩小与国际巨头差距。下游含封测与模组及终端应用，长电科技、深科技攻克HBM封装技术，江波龙等模组企业对接市场，AI服务器、智能汽车成为高端存储需求新增长极。当前行业呈现高端产品供不应求、国产化率稳步提升态势，全链条协同攻坚构筑产业竞争力。

存储芯片行业未来发展趋势

存储芯片行业未来将在AI算力爆发驱动下，呈现结构性增长与格局重构并行的态势。需求端由传统消费电子转向AI服务器主导，HBM高带宽内存因适配大模型训练需求，市场规模将持续高速扩张，DDR5、企业级SSD同步受益于数据中心扩容需求激增。技术层面，HBM堆叠层数与3DNAND垂直堆叠技术持续突破，推动产品向高带宽、大容量、低延迟升级，国际巨头聚焦高端赛道形成技术壁垒。市场呈现“高端紧俏、低端萎缩”的分化特征，三星、SK海力士、美光维持高端垄断，国产厂商借成熟制程加速替代，长江存储、长鑫存储在3DNAND、DRAM领域突破良率瓶颈，全产业链协同发力缩小差距。同时，产能向高端倾斜与供应链政策调控将重塑供需格局，国产替代与AI驱动的结构性机会成为行业核心发展主线。

存储行业将开启新一轮发展周期

爱建证券认为，受益于AI服务器持续高景气叠加iPhone等智能手机存储芯片参数升级周期，存储行业将开启新一轮发展周期，建议关注国产存储产业链上市公司投资机会。

开源证券认为，在AI超级周期的拉动之下，存储芯片正面临短缺。从需求层面看，AI服务器对存储的需求呈指数级增长，单台AI服务器的DRAM用量约为传统服务器的8倍，NAND用量约为3倍，2025年AI对存储的需求占比来到40%，未来或将进一步提升。此外HDD的产能紧张也导致SSD为代表的半导体存储渗透加速；供给层面而言，三星、海力士等原厂均表示未来将把大部分资本开支投向持续紧缺的HBM及高利润率的产品。结果而言，据半导体产业观察，传统DRAM可能在2027年后才开始回稳，NAND与高容量存储需求可能会持续至2028年甚至更久，因此我们认为国内存储厂商扩产有望在缺货的情况之下带动份额扩张，扩产的必要性在提升。

存储芯片行业重点企业一览

兆易创新（603986）

兆易创新公司成立于2005年4月，是一家以中国为总部的全球化芯片设计公司。

公司致力于各类存储器、控制器及周边产品的设计研发，已通过SGS ISO9001及ISO14001等管理体系的认证，在上海、合肥、中国香港设有全资子公司、在深圳设有分公司，在中国台湾地区设有办事处，并在韩国、美国、日本等地通过产品分销商为客户提供优质便捷的本地化服务。公司核心管理团队由来自世界各地的高级管理人员组成，每一位都曾在硅谷、韩国、台湾等各地著名IC企业工作多年，有着丰富的研发及管理经验。公司产品为NOR Flash、NAND Flash及MCU，广泛应用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及周边、网络、电信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等各个领域。公司先后被评为“重大科技成果产业化突出贡献单位”、“创新型试点企业”。

688***

公司是业界领先的集成电路设计公司，为全球仅有的3家内存接口芯片供应商之一。

公司主要经营模式为Fabless模式，在该模式下企业仅需专注于从事产业链中的集成电路设计和营销环节，其余委托代工完成；由公司取得测试芯片成品销售给客户。公司的主营业务是为云计算和人工智能领域提提供以芯片为基础的解决方案，目前主要产品包括内存接口，津逮服务器CPU以及混合安全内存模组。公司发明的DDR4全缓冲“1+9”架构被采纳为国际标准。现已成为全球可提供从DDR2到DDR4内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一，在内存接口芯片市场位列全球前二。

中芯国际（688981）

公司是全球领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国大陆技术最先进、规模最大、配套服务最完善、跨国经营的专业晶圆代工企业，主要为客户提供0.35微米至14纳米多种技术节点、不同工艺平台的集成电路晶圆代工及配套服务,在逻辑工艺领域，中芯国际是中国大陆第一家实现14纳米FinFET量产的晶圆代工企业，代表中国大陆自主研发集成电路制造技术的最先进水平；在特色工艺领域，中芯国际陆续推出中国大陆最先进的24纳米NAND、40纳米高性能图像传感器等特色工艺，与各领域的龙头公司合作，实现在特殊存储器、高性能图像传感器等细。公司是全球领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国大陆技术最先进、规模最大、配套服务最完善、跨国经营的专业晶圆代工企业。

002***

公司是一家以电子专用设备和电子元器件为主要产品，集研发、生产、销售及服务于一体的大型综合性高科技公司。

公司电子专用设备方面，公司以大规模集成电路制造工艺技术为核心，研发生产了集成电路工艺设备、太阳能电池制造设备、气体质量流量控制器(MFC)、TFT设备、真空热处理设备、锂离子电池制造设备等系列产品，广泛应用于半导体、光伏、电力电子、TFT-LCD、LED、MEMS、锂电等多个新兴行业。高精密电子元器件方面，公司依托多年的元器件技术积累，建立了新产品、新工艺研发体系，产品技术等级不断提升，研发生产了电阻、电容、晶体器件、微波组件、模块电源、混合集成电路等高精密电子元器件系列产品，广泛应用于精密仪器仪表、自动控制等领域。

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