中国光芯片产业深度研究报告
执行摘要
本报告基于2026年1月最新产业数据，对中国光芯片产业进行全面深度分析。研究发现，在AI算力需求爆发和国产替代双重驱动下，中国光芯片产业正迎来历史性发展机遇。2025年中国光芯片市场规模预计达到180亿元，年复合增长率超过25%。
从量产进度看，光迅科技、源杰科技、三安光电三家企业在EML/CW光芯片领域实现规模量产，处于第一梯队；长光华芯、华工科技、仕佳光子在100G EML等产品实现突破，处于第二梯队；永鼎股份通过收购索尔思布局光芯片，产能释放待观察。
从技术发展看，200G EML成为行业焦点，多家企业进入客户验证阶段，预计2026年实现量产突破；CPO（共封装光学）技术成为下一代发展方向，华工科技在3.2T CPO领域全球领先。
从投资价值看，光迅科技凭借全产业链优势和客户资源优势，投资确定性最高；源杰科技受益于数据中心业务爆发，成长性突出；仕佳光子在AWG芯片领域具有垄断优势，值得重点关注。建议投资者重点关注技术突破进度、客户认证进展和产能释放节奏三个关键指标。
一、产业发展背景与市场机遇
1.1 AI算力需求驱动光芯片市场爆发
随着ChatGPT等大模型应用的爆发式增长，全球AI算力需求呈现指数级增长态势。数据中心内部互连带宽正加速从800G演进至1.6T，博通最新发布的Tomahawk 6交换芯片提供高达102.4Tbps交换能力，可支持64个1.6TbE端口，这意味着业界将在2025～2026年开始大规模部署1.6T光模块。
AI算力需求对光芯片提出了前所未有的性能要求。800G/1.6T时代要求光芯片支持单波100Gbps甚至200Gbps速率，这对应PAM4调制下每通道约50~100GBd的符号率，对激光器的带宽、线性度和功耗提出严苛要求。在这一代高速光模块中，电吸收调制激光器（EML）芯片作为光发射核心器件备受关注，相比直接调制激光（DML），EML在高符号率下具有更优的调制带宽和信号质量，能够在PAM4调制下保持所需的传输距离，是800G/1.6T可插拔光模块主要的发射端方案之一。
中国数据中心建设为光芯片市场提供了强劲增长动力。国家统计局数据显示，2024年光通信设备制造业固定资产投资同比增长23.8%，远超电子器件制造业平均增速（12.4%）。东数西算工程全面落地，八大枢纽节点数据中心机架总数突破450万架，直接带动高速光芯片需求激增。
1.2 国产替代进程加速推进
中国光芯片产业正处于国产替代的关键窗口期。根据工信部《光电子产业发展指南》，2025年核心光器件国产化率目标为70%，2030年将提升至85%。然而，当前国产化率仍有较大提升空间：2.5G及以下速率光芯片国产化率超90%，10G芯片国产化率约60%，但25G及以上高速芯片（如EML调制器）国产化率不足5%，主要依赖Lumentum、II-VI等海外厂商。
技术突破为国产替代奠定基础。华为海思自研硅光芯片良品率达90%，光迅科技薄膜铌酸锂调制器功耗降低40%，华为海思、光迅科技通过"光芯片-模块-设备"全链条整合，将25G光芯片国产化率提升至50%。源杰科技聚焦25G/50G高速光通信芯片的国产化替代，其2024年发布的硅光集成芯片良品率已达92%，较行业平均水平高出7个百分点，直接推动企业市场份额从2023年的3.8%跃升至2025年一季度的6.2%。
政策支持为产业发展提供强大动力。财政部《半导体产业税收优惠目录（2025版）》将光芯片研发费用加计扣除比例提高至120%，预计带动年研发投入增长40%以上。工信部《光电子产业发展行动计划》明确要求2026年前建成35个国家级光芯片创新中心，直接拉动产业投资超600亿元。
1.3 技术演进路径与发展趋势
光芯片技术正朝着高速率、低功耗、集成化方向发展。在速率方面，从25G向100G、200G乃至更高速率演进已成为明确趋势。索尔思率先开发出支持100GBd PAM4的200G/λ EML芯片，并在OFC 2023上演示，标志着1.6T光模块时代的到来。光迅科技的新一代EML芯片支持212.5Gbps单波速率（约106GBd PAM4），被用于1.6T光模块发射端。
在功耗优化方面，LPO（线性直驱）技术成为重要发展方向。通过去除DSP芯片，LPO方案可将功耗降低50%以上，三安光电在LPO领域与阿里巴巴旗下半导体公司平头哥半导体有深度合作，聚焦磷化铟（InP）光芯片的研发与量产。
在集成化方面，CPO（共封装光学）技术代表了下一代光互连发展方向。通过将光引擎和交换芯片封装在一起，CPO能显著缩短电信号传输距离，降低功耗和延迟。华工科技是全球首家实现3.2T液冷CPO光引擎量产的厂商，较中际旭创、新易盛等竞争对手领先1-2年，其硅光全链条自主化程度高，800G模块国产化率达90%，单波200G硅光芯片良率超90%。
硅光技术在高速光模块中的渗透率快速提升。2025年，硅光在800G模块中的占比将从2024年的15%提升至40%，1.6T模块中占比达80%。硅光技术具备成本与集成度优势，800G硅光模块物料数减少50%，成本较EML方案低15%-20%，功耗降低20%，适配液冷散热需求。
二、七家重点企业技术实力与量产进度深度分析
2.1 第一梯队：EML/CW规模量产企业
光迅科技（002281）
光迅科技作为中国光通信领域的领军企业，在光芯片技术方面具有深厚积累。公司拥有自主研发并规模生产的PLC、FP、DFB、EML、VCSEL、APD等芯片技术及平台，形成了半导体材料生长、半导体工艺与平面光波导、光学设计与封装、高频仿真与设计、热分析与机械设计、软件控制与子系统开发六大核心技术工艺平台，具备从芯片到器件、模块、子系统的垂直整合能力。
在EML光芯片方面，光迅科技是国内唯一量产25G EML光芯片的厂商，25G以下光芯片自给率超80%，中低端芯片自给率达90%，25G芯片年产能1亿只。公司在100G EML领域已实现量产，200G EML产品处于客户验证阶段。特别值得关注的是，光迅科技的新一代EML芯片支持212.5Gbps单波速率（约106GBd PAM4），被用于1.6T光模块发射端，该芯片具备高调制带宽和良好线性度，支持DR8/FR8 10公里传输。
在CW光源方面，光迅科技全系列CW光源已实现规模量产，技术指标达到国际先进水平。公司采用成熟的COC/COB工艺平台封装EML，实现了多通道一致性的性能和可靠性，其发射器件设计注重信号完整性优化，通过高带宽EML+低噪声驱动，满足PAM4信号质量要求。
光迅科技在前沿技术布局方面表现突出。在硅光技术领域，公司全球率先实现256通道硅光集成芯片量产，功耗降低50%，技术水平达到国际领先。公司已实现1.6T硅光芯片流片，集成8通道200G架构，良率达95%以上。在CPO技术方面，光迅科技CPO技术研发起步早，已推出800G CPO原型产品，与华为联合研发光电共封装技术，瞄准2026年3.2T市场，2025年新增CPO专利85件，位居国内首位。
从客户资源看，光迅科技产品全面覆盖全球顶级通信设备商，包括华为、中兴、烽火等国内厂商，以及思科、爱立信等国际巨头。公司在国内电信市场占据主导地位，同时积极拓展数据中心市场，与中际旭创、新易盛等光模块厂商建立了稳定的供应关系。
源杰科技（688498）
源杰科技成立于2013年，是中国国内领先的光芯片IDM企业，专注于光芯片的研发、设计、生产与销售。公司采用垂直整合的IDM模式，覆盖芯片设计、MOCVD外延、晶圆制造等核心环节，自主可控的产能和工艺迭代能力显著优于Fabless厂商，其6英寸磷化铟晶圆产线良率已超85%，大幅降低对进口衬底的依赖。
在EML光芯片领域，源杰科技已实现重要突破。公司100G PAM4 EML产品已通过客户验证并实现小批量出货，200G PAM4 EML完成产品开发并推出，相关技术成果在2025年OFC大会上进行发表。公司高管在接受调研中介绍，100G PAM4 EML产品已完成性能与可靠性验证，并完成了客户端验证，下一步目标是实现批量出货并逐步提升份额；200G PAM4 EML已完成产品开发，正处于客户推广阶段。
在CW光源方面，源杰科技表现尤为突出。公司以CW 70mW激光器芯片为核心，早在2024年就实现了百万颗级别的出货量，100mW已通过客户验证。公司正在开发的大功率CW光源已实现核心技术突破，面向更未来CPO技术的300mW高功率产品也已经取得了技术突破。
源杰科技的产品矩阵十分齐全，覆盖了从2.5G至200G的激光器芯片，具体产品包括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G以及更高速率的DFB、EML激光器系列产品和大功率硅光光源产品。公司在25G DFB芯片领域处于国内绝对领先地位，是少数能实现25G MWDM 12波DFB芯片批量出货的厂商，国内电信市场市占率超40%。
从客户资源看，源杰科技已进入英伟达、北美CSP等国际顶级客户供应链。2025年上半年，数据中心业务收入同比激增1034.18%至1.05亿元，占总营收51%，主要得益于70mW硅光CW光源的规模化应用，该产品已通过中际旭创等头部光模块厂商验证。
三安光电（600703）
三安光电作为国内化合物半导体龙头企业，在光芯片领域具有独特的技术优势和产业地位。公司早在2014年就开始布局第三代半导体业务，目前已建成国内规模最大、技术最先进的第三代半导体研发与生产基地，涵盖衬底、外延、器件全产业链。
在EML光芯片方面，三安光电已实现25G/100G EML的规模量产，200G EML已研发成功并开始送样验证。公司的InP基EML外延片良率提升至65%，成本较进口低20%，并通过华为海思认证，产品已进入中际旭创等头部光模块厂商供应链。特别值得关注的是，三安光电是华为50GPON技术的独家供应商，这一成就体现了公司在高端光通信芯片领域的核心技术能力。
三安光电在InP产业链方面具有显著优势。公司旗下的三安集成不仅做磷化铟（InP）外延片和光芯片，也自己做InP衬底，已经实现2-6英寸全尺寸、全流程（衬底→外延→芯片）的IDM布局。公司已实现"长晶-衬底-外延-芯片-封装"全流程自主化，衬底自给率超40%（2024年），8英寸衬底良率达60%（国内领先），目标2025年提升至75%。
在光通信芯片市场地位方面，三安光电PD/VCSEL市占率全国第一，占国内数据中心份额35%。公司的10G/25G VCSEL芯片通过华为认证，2023年在数通市场市占率达国产第一。公司的PD、VCSEL、DFB等芯片产品均获下游核心头部客户认可，且已实现大批量出货。
三安光电在技术创新方面持续投入。公司联合中科院开发的磷化铟量子点激光器实现100Gbps高速调制，良率从30%跃升至65%，成本较Lumentum低20%。在碳化硅业务方面，公司6英寸SiC晶圆良率已达82%，8英寸中试线进入设备调试阶段，计划2025年Q2实现小批量生产。
2.2 第二梯队：100G EML突破企业
长光华芯（688048）
长光华芯成立于2012年，专注于高功率半导体激光器芯片、高速光通信半导体激光芯片及器件和系统的研发、生产和销售。公司已建成从芯片设计、MOCVD（外延）、光刻、解理/镀膜、封装测试到光纤耦合等完整的工艺平台和量产线，是全球少数几家研发和量产高功率半导体激光器芯片的公司。
在EML光芯片领域，长光华芯取得重要进展。公司100G PAM4 EML已于2024年9月成功发布，支持112Gbps（PAM4调制），具有高带宽、高功率、低耗能、低RIN等特点，应用于100G DR/FR、400G DR4/FR4、800G DR8/FR8等光模块。200G PAM4 EML于2025年3月发布，典型带宽>60GHz，低RIN<-150dB/Hz，高消光比>4.3dB@1.0Vpp，支持ODSP直驱，已开始送样，阶段性验证进展顺利。
在CW光源方面，长光华芯产品线丰富。公司已推出100mW DFB（工作波长1311nm，功率100mW、RIN<-143dB/Hz）、70mW CWDM4 CW Laser（全温光功率大于70mW，低RIN<-143dB/Hz）、200mW Uncool CW DFB（全温光功率大于200mW，80℃电光转换效率>20%，支持5℃-80℃宽温工作）等产品。
长光华芯在高功率激光芯片领域技术领先。公司双结单管芯片创室温连续功率超过132W（芯片条宽500μm，工作效率62%），打破公司此前单管芯片室温连续功率超过100W的行业最高水平记录。公司推出的9XXnm 50W高功率半导体激光芯片，在宽度为330μm发光区内产生50W的激光输出，光电转化效率≥62%，现已实现大批量生产、出货，是目前市场上量产功率最高的半导体激光芯片。
从市场布局看，长光华芯在光通信领域致力于成为"短距互联光芯片一站式IDM解决方案商"，已形成VCSEL、PIN、DFB、EML四大类光通信芯片产品矩阵，可满足超大容量的数据通信需求。公司充分发挥IDM平台在多材料体系(InP/GaAs)与多技术路线(EML/VCSEL)上的资源复用优势，紧抓AI算力建设爆发及日本友商产能切换带来的100G EML供需缺口，有望快速抢占市场份额。
华工科技（000988）
华工科技作为全球光模块行业排名第八的头部企业，在光芯片领域具有重要地位。公司是国内光模块第一梯队代表，连续两年入选LightCounting全球厂商TOP8，800G硅光模块全球份额达18%，基站光模块国内市占率35%。
在EML光芯片方面，华工科技通过控股子公司云岭光电布局。公司100G EML芯片已实现批量出货，2025年产生了1.4亿RMB的收入。云岭光电芯片产能约7500万颗/年，华工正源长期稳定采购量约3000万颗/年（占比40%）。
华工科技在硅光技术方面优势突出。公司实现了"硅光芯片设计→封装→模块集成"全链条自主化，800G模块国产化率达90%，单波200G硅光芯片良率超90%，显著降低对进口芯片的依赖。公司具备硅光芯片到模块的全自研设计能力，已成功推出用于1.6T光模块的单波200G自研硅光芯片和多种1.6T光模块产品（DSP和LPO）方案。
在CPO技术方面，华工科技全球领先。公司是全球首家实现3.2T液冷CPO光引擎量产的厂商，较中际旭创、新易盛等竞争对手领先1-2年。2025年CIOE上，公司发布了第二代单波400G光引擎、行业首款3.2T CPO光引擎以及业内首发的PCIe 6.0光模块。该3.2T CPO产品采用16通道200G方案，集成度业界最高，基于自研硅光芯片，在功耗、数据密度等方面均保持领先，并与头部互联网客户深度合作，已成为其核心部件。
从客户资源看，华工科技深度绑定北美头部云厂商。公司800G光模块已进入规模出货期，客户覆盖Meta、微软、亚马逊等海外头部云厂商，斩获甲骨文1万片订单，海外大额订单预估超50万只。1.6T光模块已实现小批量交付，累计获得千支级别订单，其中包含Meta 25亿元大额订单。
仕佳光子（688313）
仕佳光子聚焦光通信行业，主营业务覆盖光芯片及器件、室内光缆、线缆材料三大板块。公司系统建立了覆盖芯片设计、晶圆制造、芯片加工、封装测试的IDM全流程业务体系，应用于多款光芯片开发，突破一系列关键技术。
在EML光芯片方面，仕佳光子已开发出数据中心用CWDM4 100G EML激光器、万兆接入网用50G 1286nm/1342nm EML+SOA激光器，目前正处于客户验证阶段。公司在投资者关系活动中表示，开发出的千兆接入网用10G 1577nmEML+SOA激光器目前在内部验证中；50GPON用EML相关产品正处于客户验证阶段。
仕佳光子在AWG芯片领域具有垄断优势。公司是国内唯一量产1.6T AWG芯片的厂商，2025年数据中心AWG芯片市场占有率约30%，全球市占率有望突破15%。公司的1.6T光模块用AWG芯片已通过Intel认证，2025年Q2量产，良率提升至95%，并支持CPO方案。通过碳化硅衬底替代石英，公司将插损从3dB降至0.5dB，波长精度达±0.05nm，优于行业±0.1nm的标准。
在CW光源方面，仕佳光子已形成完整产品序列。公司CW DFB激光器芯片产品已形成75mW、100mW、200mW（小批量销售）、500mW、900mW（客户送样）等相对全面的产品序列，最新开发的产品在50℃下实现功率大于1000毫瓦的突破，对比友商优势明显，如源杰科技量产最大功率仅150mW，长光华芯仅100mW。
仕佳光子在硅光用高功率CW DFB激光器方面取得突破。公司的相关产品已小批量销售，成本较传统方案低30%，在1.6T硅光模块领域，其相关激光器技术波长精度达0.05nm，优于行业平均的0.1nm，支持高通道数波分复用。公司硅光模块用CW DFB激光器已获得业内客户验证，实现小批量出货。
从客户资源看，仕佳光子客户质量优异。公司已进入Intel、AOI、华为等头部客户供应链，并绑定北美云厂商，2024年境外收入占比26%。公司的高功率CW DFB激光器通过英伟达验证，用于其CPO交换机的硅光模块外置光源，并进入GB200 NVL72超算架构供应链。中际旭创生产800G/1.6T硅光模块时，需要采购它的AWG芯片和DFB激光器。
2.3 第三梯队：产能释放待观察企业
永鼎股份（600105）
永鼎股份通过控股子公司鼎芯光电和索尔思光电布局光芯片业务。公司建成国内稀缺的InP激光器IDM工厂，实现"光棒-光纤-光芯片-光模块"全流程自主可控，100G EML芯片量产良率达90%，成本较国际竞品低30%。
在EML光芯片方面，永鼎股份已实现重要突破。子公司鼎芯光电100G EML芯片已实现量产，适配800G/1.6T光模块，已获微软、亚马逊等国际客户认证。公司的100G EML激光器芯片（适配400G光模块）已通过客户验证，消光比≥10dB，阈值电流≤15mA，性能对标博通。25G DFB激光器芯片良率达到了85%，成本比进口产品低约20%，已能规模供货给中际旭创、新易盛等头部光模块厂商。
在CW光源方面，永鼎股份通过收购索尔思获得技术积累。公司的70mW CW DFB芯片输出功率行业领先，适配800G/1.6T光模块。公司目前有两台Mocvd设备，年化产能2000-3000万颗光芯片。第三代CW产线2025Q4投产，设计产能1500万颗/年。
永鼎股份在客户拓展方面进展顺利。公司100G EML芯片已打入北美光模块龙头COHR(Coherent)供应链，这是国际顶级客户突破。产品已进入特斯拉Dojo2.0、微软、谷歌等AI超算和数据中心供应链。国内客户方面，公司与中际旭创、新易盛等国内头部光模块厂商建立批量供货关系，正在与"超一线厂商"接洽（终端客户包括思科）。
从产能规划看，永鼎股份光子集成芯片项目规划年产1500万颗，预计2026年将释放50%产能，即达到年产750万颗的生产规模。光模块用芯片自给率达85%，形成显著成本优势。
三、产业链竞争格局与市场地位分析
3.1 全球光芯片产业竞争格局
全球光芯片产业呈现高度集中的竞争格局，美日企业在高端市场占据主导地位。Lumentum在25G及以上光芯片市占率超40%，与英伟达合作开发1.6T光模块专用激光器。Coherent作为全球光电子器件龙头（由II-VI并购Finisar和Coherent而成），在高速EML技术方面处于领导地位，早在2022年9月就发布了200Gbps InP EML激光器，支持800G（4×200G）和下一代1.6T（8×200G）光模块。
在技术路线方面，国际巨头在高速EML、硅光集成等领域技术领先。索尔思率先开发出支持100GBd PAM4的200G/λ EML芯片，采用单片集成多通道InP光子集成芯片（PIC）方案，将DFB激光器和调制器集成在InP平台上，具备低驱动电压、高调制带宽的特点，可将光芯片带宽提升一倍，支持200G PAM4信号调制。
中国企业在全球竞争中地位逐步提升。根据LightCounting预测，2027年全球光芯片市场规模将突破80亿美元，中国厂商份额有望从15%提升至35%，七大龙头将率先受益。中国在全球光通信芯片产业链中处于重要地位，是制造中心和国产替代的重要力量。国内已有多家企业在光芯片领域取得进展，如华为海思、光迅科技、华工科技技术与产能领先，占据国内市场前三。
3.2 国内企业市场份额与竞争优势
中国光芯片市场规模快速增长，2025年预计达到180亿元，到2030年将增长至320亿元，年均复合增长率约为11.5%。从市场份额看，国产光芯片企业份额显著提升，从2025年的45%增长至2030年的68%，而进口光芯片份额则从55%下降至32%。
在细分市场方面，不同速率光芯片国产化率差异显著。2.5G及以下速率光芯片国产化率超90%，10G芯片国产化率约60%，但25G及以上高速芯片（如EML调制器）国产化率不足5%，主要依赖Lumentum、II-VI等海外厂商。400G/800G光模块所需的100G EML芯片、高速调制器等，90%以上依赖进口；用于AI算力中心、超大规模数据中心的超高速光芯片（如1.6T模块所需的200G PAM4 EML、高功率CW光源等核心芯片）几乎全部进口。
国内企业在不同技术路线上各有优势。在EML光芯片领域，光迅科技、源杰科技、三安光电处于领先地位；在硅光芯片领域，华工科技、光迅科技技术领先；在AWG芯片领域，仕佳光子具有垄断优势；在高功率CW光源领域，仕佳光子、长光华芯等企业技术突出。
从客户结构看，国内企业呈现"海外+国内"双市场布局特征。中际旭创、新易盛绑定北美云巨头，光迅科技、烽火通信主导国内电信市场。北美市场贡献国内光模块企业65%的营收，该地区客户对高速率、低功耗光模块需求最为迫切，是800G/1.6T产品的主要买家。
3.3 产业链上下游协同关系
光芯片产业链上游主要包括InP、GaAs等化合物半导体材料供应商，以及设备供应商。在材料供应方面，全球InP衬底主要由日本住友电工、美国AXT等企业垄断，但中国企业正在加速突破。三安光电已实现InP衬底自给率超40%，源杰科技6英寸磷化铟晶圆产线良率已超85%，永鼎股份通过收购索尔思获得衬底自给能力。
中游为光芯片设计制造企业，包括IDM模式企业（如光迅科技、源杰科技、三安光电）和Fabless模式企业。IDM模式企业具有垂直整合优势，能够更好地控制成本和质量，在当前供应链安全背景下优势更加明显。
下游为光模块封装企业和终端应用市场。主要光模块企业包括中际旭创、新易盛、华工科技、光迅科技等，这些企业既是光芯片的主要客户，也是产业链协同发展的重要环节。终端应用市场包括电信市场（5G基站、传输网等）和数据中心市场（AI算力中心、云计算等），其中数据中心市场增长最为迅速。
产业链协同效应日益明显。上游材料企业与中游芯片企业通过长期合作协议确保供应稳定；中游芯片企业与下游模块企业通过联合研发、技术共享等方式共同推进产品迭代；模块企业与终端客户通过深度绑定确保需求确定性。例如，光迅科技与华为在CPO技术方面联合研发，华工科技与Meta在1.6T光模块方面深度合作，源杰科技的70mW CW光源通过中际旭创验证并实现大规模应用。
四、技术发展趋势与投资机会分析
4.1 200G EML技术突破进展
200G EML技术已成为光芯片行业的焦点，多家企业在这一领域取得重要突破。索尔思率先开发出支持100GBd PAM4的200G/λ EML芯片，并在OFC 2023上演示，标志着1.6T光模块时代的到来。其新一代EML采用单片集成多通道InP光子集成芯片（PIC）方案，将DFB激光器和调制器集成在InP平台上，具备低驱动电压、高调制带宽的特点，可将光芯片带宽提升一倍，支持200G PAM4信号调制。
国内企业在200G EML技术方面进展迅速。光迅科技的新一代EML芯片支持212.5Gbps单波速率（约106GBd PAM4），被用于1.6T光模块发射端，该芯片具备高调制带宽和良好线性度，支持DR8/FR8 10公里传输。源杰科技200G PAM4 EML已完成产品开发并推出，相关技术成果在2025年OFC大会上进行发表，正处于客户推广阶段。
三安光电的200G EML已研发成功并开始送样验证，1只1.6T光模块需8颗200G EML，若2026年1.6T模块需求达1000万只，对应芯片需求约8000万颗。长光华芯200G PAM4 EML于2025年3月发布，典型带宽>60GHz，低RIN<-150dB/Hz，高消光比>4.3dB@1.0Vpp，支持ODSP直驱，已开始送样，阶段性验证进展顺利。
从技术指标看，200G EML需要满足更高的性能要求。在调制带宽方面，需要达到60GHz以上；在消光比方面，需要大于4.3dB；在RIN（相对强度噪声）方面，需要低于-150dB/Hz；在功耗方面，需要支持ODSP直驱以降低功耗。这些技术指标的实现对材料生长、芯片设计、工艺制造等各个环节都提出了更高要求。
从量产时间看，预计2026年将是200G EML量产的关键年份。多家企业的200G EML产品已进入客户验证阶段，验证周期一般为3-6个月，预计2026年上半年将有企业率先实现200G EML的规模量产，下半年其他企业将陆续跟进。
4.2 CPO技术发展前景
CPO（共封装光学）技术作为下一代光互连方案，在功耗、连接密度等多方面具有突出优势，正成为行业发展的重要方向。通过将光引擎和交换芯片封装在一起，CPO能显著缩短电信号传输距离，降低功耗和延迟。CPO技术预计2026年后在超算中心率先商用，可将功耗降低50%以上。
在技术发展方面，CPO对光芯片提出了新的要求。首先是高功率要求，CPO架构下光芯片需要更高的输出功率以补偿封装损耗，一般要求达到200mW以上；其次是低功耗要求，需要通过优化设计降低芯片功耗，以满足系统整体功耗要求；再次是高集成度要求，需要将多个光芯片集成在一个模块中，实现更高的集成度。
国内企业在CPO技术方面布局积极。华工科技在这一领域处于全球领先地位，是全球首家实现3.2T液冷CPO光引擎量产的厂商，较中际旭创、新易盛等竞争对手领先1-2年。公司的3.2T CPO产品采用16通道200G方案，集成度业界最高，基于自研硅光芯片，在功耗、数据密度等方面均保持领先。
光迅科技在CPO技术方面也有重要布局。公司CPO技术研发起步早，已推出800G CPO原型产品，与华为联合研发光电共封装技术，瞄准2026年3.2T市场，2025年新增CPO专利85件，位居国内首位。公司自主研发的ELSP光源模块支持8个高功率光通道，并与交换机和芯片厂商合作探索实际部署。
仕佳光子的高功率CW DFB激光器已通过英伟达验证，用于其CPO交换机的硅光模块外置光源，并进入GB200 NVL72超算架构供应链。公司在1.6T硅光模块领域，其相关激光器技术波长精度达0.05nm，优于行业平均的0.1nm，支持高通道数波分复用，成本较传统方案低30%。
从市场前景看，CPO技术市场空间巨大。LightCounting预测2025年全球CPO相关光芯片市场规模将达54亿美元，2030年扩容至210亿美元，中国企业在封装环节的市场占有率有望从当前的25%提升至40%。随着AI算力需求的持续增长和数据中心密度的不断提升，CPO技术有望在2026-2027年迎来大规模商用。
4.3 投资价值评估与风险分析
基于技术实力、市场地位、财务表现等多维度分析，七家重点企业的投资价值呈现明显分化：
第一梯队企业投资价值分析：
光迅科技投资确定性最高。公司作为行业龙头，具备从芯片到系统的全产业链优势，客户资源优质，技术储备深厚。2025年前三季度营收85.32亿元，同比增长58.65%，归母净利润7.19亿元，同比增长54.95%。公司在200G EML、CPO等前沿技术方面布局完善，预计将充分受益于行业发展红利。
源杰科技成长性突出。公司数据中心业务爆发式增长，2025年前三季度营收3.83亿元，同比增长115.09%，归母净利润1.06亿元，同比增长19348.65%，实现扭亏为盈。公司在70mW CW光源领域已实现百万颗级出货，100G EML小批量出货，200G EML进入客户验证，未来成长空间巨大。
三安光电具有成本优势。公司InP衬底自给率超40%，在化合物半导体领域技术积累深厚，是华为50GPON独家供应商。虽然传统LED业务承压，但光芯片业务增长迅速，200G EML送样进展顺利，有望成为新的增长点。
第二梯队企业投资价值分析：
长光华芯技术特色鲜明。公司在高功率激光芯片领域全球领先，单管芯片功率突破132W，同时在光通信芯片领域实现突破。2025年前三季度营收3.39亿元，同比增长67.42%，实现扭亏为盈。公司100G EML已量产，200G EML送样顺利，值得关注。
华工科技在硅光和CPO领域具有独特优势。公司是全球首家实现3.2T CPO量产的企业，技术领先性明显。2025年前三季度营收110.38亿元，归母净利润13.21亿元，同比增长40.92%。公司深度绑定北美头部客户，订单确定性强。
仕佳光子在AWG芯片领域具有垄断优势。公司是国内唯一量产1.6T AWG芯片的企业，市场占有率约30%，同时在高功率CW光源领域技术领先。2025年前三季度营收15.60亿元，同比增长113.96%，归母净利润3.00亿元，同比增长727.74%，业绩爆发式增长。
第三梯队企业投资价值分析：
永鼎股份通过收购获得技术和市场资源，但产能释放存在不确定性。公司100G EML已量产，70mW CW输出功率行业领先，第三代CW产线2025Q4投产。2025年前三季度营收36.30亿元，归母净利润3.29亿元，同比增长474.30%，但第三季度单季业绩下滑，需关注后续产能释放情况。
主要风险因素分析：
技术风险方面，200G EML等高端产品良率提升存在不确定性，新技术路线（如硅光、薄膜铌酸锂）可能对传统技术形成替代威胁。市场风险方面，客户集中度较高，前五大客户占比较高，若主要客户调整采购计划将对业绩产生较大影响；海外市场政策变化可能影响产品出口。
供应链风险方面，关键设备和材料仍依赖进口，如MOCVD设备主要来自国外厂商，InP衬底等材料供应存在不确定性。竞争风险方面，国际巨头技术领先优势明显，国内企业在高端市场竞争压力较大。
投资建议：
建议投资者采取"核心+卫星"的投资策略。核心配置选择光迅科技，其全产业链优势和客户资源优势确保了投资确定性；卫星配置可选择源杰科技和仕佳光子，前者受益于数据中心业务爆发，成长性突出，后者在AWG芯片领域具有垄断优势，业绩弹性大。
重点关注三个关键指标：一是技术突破进度，特别是200G EML量产时间和良率提升情况；二是客户认证进展，重点关注北美CSP客户认证和订单落地情况；三是产能释放节奏，关注各企业扩产计划的执行情况和产能爬坡进度。
五、总结与展望
中国光芯片产业正处于历史性发展机遇期。在AI算力需求爆发和国产替代加速的双重驱动下，2025年中国光芯片市场规模预计达到180亿元，年复合增长率超过25%，到2030年有望突破400亿元。
从产业发展阶段看，中国光芯片产业正从跟随者向并跑者转变。在25G及以下低速光芯片领域，国产化率已超过90%；在100G EML等中高速产品领域，光迅科技、源杰科技、三安光电等企业已实现规模量产；在200G EML、CPO等前沿技术领域，多家企业进入客户验证阶段，预计2026年实现量产突破。
从竞争格局看，国内企业呈现梯队化发展态势。光迅科技、源杰科技、三安光电凭借技术积累和产业化能力处于第一梯队；长光华芯、华工科技、仕佳光子在细分领域实现突破，处于第二梯队；永鼎股份通过收购布局，产能释放有待观察。
从技术发展趋势看，高速化、低功耗、集成化成为明确方向。200G EML将成为2026年的技术焦点，CPO技术有望在2026-2027年迎来大规模商用。硅光技术渗透率快速提升，预计在1.6T模块中占比将达到80%。
从投资价值看，光迅科技投资确定性最高，源杰科技成长性突出，仕佳光子具有垄断优势，建议投资者重点关注。同时需要关注技术突破进度、客户认证进展和产能释放节奏等关键指标。
展望未来，中国光芯片产业发展前景广阔。随着国家政策支持力度加大、企业研发投入增加、产业链协同效应增强，预计到2030年，中国光芯片产业将在更多领域实现技术突破，国产化率有望达到60%以上，部分企业有望进入全球第一梯队。对于投资者而言，当前是布局光芯片产业的重要窗口期，建议把握产业发展机遇，选择优质标的进行投资。
