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Y调研报告:《宽禁带(WBG)器件先进功率模块封装技术及其热管理策略(免费下载)》

   日期:2026-01-05 10:44:24     来源:网络整理    作者:本站编辑    评论:0    
Y调研报告:《宽禁带(WBG)器件先进功率模块封装技术及其热管理策略(免费下载)》

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本文共30页:探讨了宽禁带(WBG)器件先进功率模块封装技术及其热管理策略,分析了当前技术的优缺点,并提出了未来发展方向。
百度网盘下载链接: 

https://pan.baidu.com/s/1DaIB2FcuhK-ZLs7mJ1jRxg?pwd=y8is 提取码: y8is

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主要内容介绍

1. 研究背景与项目介绍

  • 研究背景
    : 宽禁带(WBG)器件因其高效率和高频特性,在电力电子领域具有重要地位。然而,其封装和热管理面临诸多挑战。
  • 项目介绍
    : 由Fang Luo教授领导的阿肯色大学HiDEC中心专注于高密度电子封装技术,涵盖柔性基板解决方案、陶瓷封装技术等。

2. 封装技术现状与挑战

  • 典型封装材料系统:
    • 基板材料对比:Si3N4、AlN、Al2O3、BeO在介电常数、热导率、弯曲强度等方面的表现差异显著。例如,Si3N4的热导率为40-90 W/m·K,而BeO高达209-330 W/m·K。
    • 厚膜金属化技术:AMB(活性金属钎焊)、DBC(直接键合铜)等技术被广泛采用。
  • 主要挑战:
    • 寄生效应控制:如杂散电感和电磁干扰(EMI)问题。
    • 高损耗密度下的热管理:需平衡散热性能与可靠性。
    • 可靠性与制造性:特别是针对WBG器件的特殊需求。

3. 先进封装结构设计

  • 改进的线键合结构:
    • 减少键合线数量,优化动态电流分配。例如,HT SiC模块通过减少键合线实现了更高的电流共享能力。
  • 无线键合结构:
    • 直接引线键合(DLB)技术显著降低功率回路电感。例如,STMicroelectronics开发的全SiC DLB模块用于特斯拉Model 3。
    • SKiN技术:通过改进结构实现1 nH的回路电感。
  • 高压模块设计:
    • UARK开发的6.5 kV无键合线双面冷却模块,以及CPES的10 kV/54 A无键合线模块。

4. 转换器级封装与系统优化

  • 转换器级封装的重要性:
    • 转换器(PEBB)级封装与模块级封装同等重要,反映了WBG器件对系统级的影响。
    • 示例:Gen 1 Si IGBT-SiC MOSFET混合模块(Lbus = 15~18 nH),Gen 2 SiC MOSFET模块(Lbus = 11 nH)。
  • 多学科协同设计:
    • 通过电气-热协同设计优化系统性能。例如,3D打印非金属冷板用于EMI优化,温度分布优化至150 kW,1 GPM @ 70°C。

5. 热管理技术

  • 管理策略:
    • 冷却技术:包括平行板配置、喷射冷却等。例如,ARL ParaPower通过快速热估算实现稳态和动态热分析。
    • 材料选择:ABS(介电强度15-34 kV/mm)和PTFE(介电强度17-24 kV/mm)作为外壳材料。
  • 实际应用案例:
    • 4H PEBBs用于航空推进系统,重量2.1 kg,体积12” x 6” x 4.5”,功率密度达308.61 W/in³。

6. 封装自动化与设计工具

  • PowerSynth设计自动化:
    • 提供从S1到S8的三级全桥SiC模块设计支持,简化复杂封装设计流程。
    • 特点:无需有限元分析(FEA)模拟,支持稳态和动态热分析。

7. 总结与展望

  • 总结:
    • 先进封装技术是WBG功率转换的关键,新架构和材料系统需求迫切。
    • 转换器级封装与模块级封装同样重要,反映系统级影响。
  • 展望:
    • 多学科协同设计为全局优化提供可能性,未来需进一步探索新材料和新工艺。

以上内容详细梳理了宽禁带器件封装技术的研究进展及应用前景,为相关领域的研究提供了重要参考。

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