在光伏市场的激烈竞争中，碳化硅 MOS 管的强势入场正重塑行业格局，昕致微也面临着诸多挑战与机遇。
从技术优势看，昕致微的碳化硅 MOS 管有着出色表现。以其 650V/380mohm 的 SiC MOSFET 为例，可配合现有 PWM 控制器设计方案，无需额外门极驱动器，就能直接取代原有硅功率器件。在 150kHz 以下，性能超越 GaN，在 110Vac 输入时输出满载最高效率可达 94.88%，220Vac 输入时可达 95.95%，符合 DoE 6 级能效标准 。且在工艺优化后，售价与 120mohm - 140mhom 硅 MOSFET 相当，成本优势初显。同时，其平面工艺使 EMI 容易通过，导通电阻呈负温度系数，环境温度越高（在结温范围内），温升越小，在高温环境下稳定性强。#光伏人加油 #电力 #光伏行业发展 #电源
在应用方面，昕致微已在工业领域取得进展，新能源汽车充电桩模块、OBC 成功上车。如今将车规品质碳化硅功率器件引入消费电源领域，如在 65W PD 快充碳化硅方案中，展现出高温导通电阻和轻载低开关损耗优势，整体平均效率优于硅功率器件 。昕致微还推出适用于高频电力电子应用的 650V 碳化硅 MOS NKB180P065D31，在 100 - 300W 快充、LED 开关电源等系统中，相比传统超结 MOS 方案，能提升 3% - 5% 效率，缩小 25% - 30% 体积，降低系统成本 。
然而，市场竞争依旧激烈。众多企业纷纷布局碳化硅 MOS 管业务，国际大厂凭借品牌和技术积累占据一定市场份额。昕致微需持续强化技术研发，提升产品性能，拓宽应用领域，加强市场推广，凸显自身优势，方能在光伏市场的碳化硅浪潮中站稳脚跟，持续发展。
从技术优势看，昕致微的碳化硅 MOS 管有着出色表现。以其 650V/380mohm 的 SiC MOSFET 为例，可配合现有 PWM 控制器设计方案，无需额外门极驱动器，就能直接取代原有硅功率器件。在 150kHz 以下，性能超越 GaN，在 110Vac 输入时输出满载最高效率可达 94.88%，220Vac 输入时可达 95.95%，符合 DoE 6 级能效标准 。且在工艺优化后，售价与 120mohm - 140mhom 硅 MOSFET 相当，成本优势初显。同时，其平面工艺使 EMI 容易通过，导通电阻呈负温度系数，环境温度越高（在结温范围内），温升越小，在高温环境下稳定性强。#光伏人加油 #电力 #光伏行业发展 #电源
在应用方面，昕致微已在工业领域取得进展，新能源汽车充电桩模块、OBC 成功上车。如今将车规品质碳化硅功率器件引入消费电源领域，如在 65W PD 快充碳化硅方案中，展现出高温导通电阻和轻载低开关损耗优势，整体平均效率优于硅功率器件 。昕致微还推出适用于高频电力电子应用的 650V 碳化硅 MOS NKB180P065D31，在 100 - 300W 快充、LED 开关电源等系统中，相比传统超结 MOS 方案，能提升 3% - 5% 效率，缩小 25% - 30% 体积，降低系统成本 。
然而，市场竞争依旧激烈。众多企业纷纷布局碳化硅 MOS 管业务，国际大厂凭借品牌和技术积累占据一定市场份额。昕致微需持续强化技术研发，提升产品性能，拓宽应用领域，加强市场推广，凸显自身优势，方能在光伏市场的碳化硅浪潮中站稳脚跟，持续发展。
