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投资近40亿!三星购买MOCVD设备用于氮化镓、碳化硅生产

   日期:2023-08-14 21:53:12     来源:网络整理    作者:本站编辑    浏览:24    评论:0    

  • 第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日厦门召开,详见后文

据电子时报报道,三星电子及其国内晶圆代工厂同行DB Hitek(东部高科)和Key Foundry(启方半导体)将从德国Aixtron(爱思强)采购金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,以进军GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)芯片制造服务市场。

ZDNet Korea日前援引业内人士消息称,爱思强CEO Felix Grawert于今年7月中旬低调访问韩国,并与三大代工厂举行会议,讨论设备供应协议相关事宜。三者均计划进军GaN和SiC代工市场。

其中,消息人士透露,三星已决定购买Aixtron最新的MOCVD设备,用于加工GaN和SiC晶圆,投资规模预计至少达到7000亿-8000亿韩元(5.4亿-6.2亿美元)。

MOCVD设备是生产GaN芯片的核心设备之一。目前,只有少数公司在技术上有能力生产此类设备,其中爱思强是最大的供应商,占据全球市场75%的份额,其次是美国Veeco(维易科),份额为10%-15%。

与传统的硅半导体相比,GaN具有更高的耐高温和耐电压能力以及更高的能源效率。预计未来IT、通信和汽车应用领域的GaN需求将快速增长。

业内人士表示,三星、DB Hitek和Key Foundry预计在2025年至2026年将8英寸GaN代工服务商业化。他们现在正处于研究和样品生产阶段,只需要少量设备。然而,他们必须根据未来的量产计划进行大量的设备投资。

业内人士指出,2023年初,三星投资约1000亿-2000亿韩元购买8英寸GaN和SiC制造设备,但仅GaN生产的总投资预计将达到1万亿韩元的规模。

目前,GaN和SiC代工厂严重依赖爱思强设备的支持。尽管MOCVD机台单价高达200亿韩元,但韩国半导体代工厂仍在积极进行该领域的投资。

来源:集微网

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料,在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点;碳中和与新能源体系变革的背景下,在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。

据行业机构预测,到2026年,碳化硅产品市场将达35亿美元,氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来,国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目,全产业链项目约26个,国外龙头如英飞凌等也正积极布局。

在碳化硅功率器件市场,受益于特斯拉的应用需求,意法半导体领先全球市场;Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集,是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业,8英寸衬底正在探索商业化量产,其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速,国内企业在提供样品或小规模供货阶段。

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景,最新衬底、外延、器件技术与项目投资,碳化硅、氮化镓长晶技术,净化工程与EPC,新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。

会议主题包括但不限于

  1. 国际形势对中国第三代半导体发展的影响

  2. 第三代半导体市场及产业发展机遇

  3. 6寸与8寸SiC项目投资与市场需求

  4. SiC长晶工艺技术与设备

  5. 净化工程与EPC工程项目实践

  6. 8英寸SiC国产化进程和技术突破 

  7. SiC市场以及技术发展难题&解决方案

  8. SiC与GaN外延片技术进展

  9. 大尺寸GaN长晶难点及技术展望

  10. GaN材料技术进展

  11. SiC与GaN器件与下游应用

  12. 功率器件封装技术与材料

  13. 新兴化合物半导体进展:氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌

  14. 工业参观与考察(重点企业或园区)

主要日程如下

会议日程

宽禁带器件应用中的机遇与挑战题目暂定)

——厦门三安光电有限公司(已定)

中国第三代半导体产业布局情况(题目暂定

——中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(已定)

SiC单晶生长技术浅析及应用展望(题目暂定

——山西烁科晶体有限公司(已定)

国产碳化硅功率器件机遇和挑战题目暂定)

——安徽芯塔电子科技有限公司(已定)

国产SiC MOSFET发展要点浅析

——泰科天润半导体科技(北京)有限公司(已定)

用于汽车半导体的碳化硅MOSFET解决方案题目暂定)

——深圳基本半导体有限公司(已定)

大尺寸碳化硅单晶工艺控制

——山东天岳先进材料科技有限公司(待定)

碳化硅晶体的生长技术,PVT法及液相法

——中国电子科技集团公司第二研究所(待定)

大尺寸碳化硅晶圆制造技术难点

——上海积塔半导体有限公司(定)

Si基GaN器件及系统研究与产业前景

——南方科技大学(待定)

氮化镓同质外延功率/射频器件应用与相关单晶衬底制备技术的研发进展

——东莞中镓半导体科技有限公司(待定)

中国第三代半导体供应链现状

——厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(待定)

GaN在车用功率半导体的应用

——苏州晶方半导体科技股份有限公司(待定)

*以上演讲报告列表将随着会议邀请工作进展不断更新,最终版以会场发布为准。

若您有意向参与演讲、赞助参会,欢迎联系我们!(见文末)

尊敬的行业同仁:

亚化咨询最新推出《中国SiC月报2023》,主要包含:

1.三代半导体行业评论(月度更新)

2.三代半导体行业政策、市场动向(月度更新)

3.行业重大动向(月度更新)

4.SiC项目建设动态(月度更新)

5.SiC相关技术进展、历史和月度价格走势(月度更新)

新能源市场巨大需求驱动着第三代半导体以SiC、GaN为代表的功率器件在激光通信、快充、续航等领域的大规模市场应用。亚化咨询推出《中国第三代半导体SiC月报2022》,每月以PDF文档形式重点关注三代半导体行业动态、前沿技术、项目进度等,为各位行业同仁实时抓住行业热点,把我行业脉搏提供清晰可靠的前沿消息。

如果您有意向购买报告,参与演讲、赞助或参会敬请联系:亚化咨询—徐经理 18021028002(微信同号)

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