武汉新芯聚焦特色存储、数模混合、三维集成三大核心技术方向构建布局，各领域技术落地成熟且持续迭代。
1. 特色存储：作为中国大陆规模最大的NOR Flash制造厂商，其工艺涵盖浮栅型与电荷俘获型两种主流结构，制程节点覆盖65nm - 50nm，其中50nm技术平台存储密度达国际领先水平。同时它是某头部客户特定代码型闪存的全球唯一晶圆代工供应商，还推出低功耗、高性能SPI NOR Flash产品，广泛应用于消费电子、汽车电子等多领域。
2. 数模混合：该领域技术平台布局完整，55nm RF - SOI工艺已实现量产且器件性能国内领先。它具备CMOS图像传感器制造全流程工艺，拥有稳定量产的背照式、堆栈式工艺，2023年车规级深度传感器投产，成功打入汽车电子供应链，产品还适配射频前端、电源、驱动芯片等多个应用场景。
3. 三维集成：打造了3DLink™技术品牌，构建了双晶圆堆叠、多晶圆堆叠、芯片 - 晶圆异构集成和2.5D硅转接板四大工艺平台。2024年实现多晶圆堆叠和2.5D硅转接板技术量产，是全球少数掌握混合键合技术的企业。其技术可实现高带宽、低延时，适配存算芯片、3D传感器ToF等场景，曾用38nm定制化存储与40nm架构结合的堆叠方案，追上一流工艺产品的运算性能。
#半导体 #芯片 #科技前沿与未来 #解锁新兴行业 #发展前景好
1. 特色存储：作为中国大陆规模最大的NOR Flash制造厂商，其工艺涵盖浮栅型与电荷俘获型两种主流结构，制程节点覆盖65nm - 50nm，其中50nm技术平台存储密度达国际领先水平。同时它是某头部客户特定代码型闪存的全球唯一晶圆代工供应商，还推出低功耗、高性能SPI NOR Flash产品，广泛应用于消费电子、汽车电子等多领域。
2. 数模混合：该领域技术平台布局完整，55nm RF - SOI工艺已实现量产且器件性能国内领先。它具备CMOS图像传感器制造全流程工艺，拥有稳定量产的背照式、堆栈式工艺，2023年车规级深度传感器投产，成功打入汽车电子供应链，产品还适配射频前端、电源、驱动芯片等多个应用场景。
3. 三维集成：打造了3DLink™技术品牌，构建了双晶圆堆叠、多晶圆堆叠、芯片 - 晶圆异构集成和2.5D硅转接板四大工艺平台。2024年实现多晶圆堆叠和2.5D硅转接板技术量产，是全球少数掌握混合键合技术的企业。其技术可实现高带宽、低延时，适配存算芯片、3D传感器ToF等场景，曾用38nm定制化存储与40nm架构结合的堆叠方案，追上一流工艺产品的运算性能。
#半导体 #芯片 #科技前沿与未来 #解锁新兴行业 #发展前景好
