第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文
8月11日，“洪泰Family”在社交媒体发布消息，泰科天润获得由洪泰基金、高精尖产业基金等投资机构的数亿元E轮融资，本轮融资将主要用于北京泰科天润总部建设、持续产品开发投入及日常经营现金流补充。
公开资料显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司(Global Power Technology)是中国碳化硅（SiC）功率器件产业化的倡导者之一。
泰科天润总部坐落于中国北京中关村东升科技园北领地内。泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，可在4/6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。作为国内碳化硅研发生产和平台服务型公司，泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。目前泰科天润的碳化硅器件650V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A -50A，3300V/0.6A-50A等系列的产品已经投入批量生产。
洪泰基金投资人周光涛表示：“碳化硅行业已从导入期进入成长期，下游电动车、光伏等行业在高电压、大电流趋势下对SiC的需求刚需。随着电气化趋势的持续推动，国产SiC产业链的相关配套逐步成熟，工艺成熟、成本下降将推动SiC功率器件实现更为广泛的市场应用。泰科天润作为IDM模式龙头，在研发、工艺、客户验证和口碑，以及人才培养等方面有深厚积累，已成功实现国产碳化硅器件产品系列的量产，期待泰科天润未来继续以高质量、低成本、大批量的市场竞争力为新能源、高端制造业、智能电网、航空航天等战略领域提供国产核心器件的有力保障。”
来源：集微网
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察（重点企业或园区）
最新日程如下
会议日程 |
宽禁带器件应用中的机遇与挑战（题目暂定） ——厦门三安光电有限公司（已定） |
中国第三代半导体产业布局情况（题目暂定） ——中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（已定） |
SiC单晶生长技术浅析及应用展望（题目暂定） ——山西烁科晶体有限公司（已定） |
国产碳化硅功率器件机遇和挑战（题目暂定） ——安徽芯塔电子科技有限公司（已定） |
国产SiC MOSFET发展要点浅析 ——泰科天润半导体科技（北京）有限公司（已定） |
用于汽车半导体的碳化硅MOSFET解决方案（题目暂定） ——深圳基本半导体有限公司（已定） |
大尺寸碳化硅单晶工艺控制 ——山东天岳先进材料科技有限公司（待定） |
碳化硅晶体的生长技术，PVT法及液相法 ——中国电子科技集团公司第二研究所（待定） |
大尺寸碳化硅晶圆制造技术难点 ——上海积塔半导体有限公司（待定） |
Si基GaN器件及系统研究与产业前景 ——南方科技大学（待定） |
氮化镓同质外延功率/射频器件应用与相关单晶衬底制备技术的研发进展 ——东莞中镓半导体科技有限公司（待定） |
中国第三代半导体供应链现状 ——厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（待定） |
GaN在车用功率半导体的应用 ——苏州晶方半导体科技股份有限公司（待定） |
*以上演讲报告列表将随着会议邀请工作进展不断更新，最终版以会场发布为准。
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