上次，已经写了两篇关于“储存芯片”的入门文章。这篇主要基于“HBM高带宽存储器”，这也是AI算力卡的核心之一（与GPU封装在一起）。
✅正式开始之前，还是说一下 最近写了2 篇存储的原因。因为 全球来看，存储大周期确实来了。SK海力士 10.30出了业绩，三季度营收+39%，净利润同比+119%。
且，SK海力士称明年的HBM，以及标准的DRAM NAND产能都已经被客户预定了，四季度对客户?价等。
?所以，还是想看看国内的存储，看看有没有机会。
1️⃣回顾HBM
?HBM高带宽储存器，通过3d堆叠技术将多个DRAM裸片垂直堆叠在一起。利用TSV技术 实现与DRAM芯片间的互联，利用微凸块技术实现HBM与硅中阶层实现横向连接。
2️⃣为什么是HBM专用在AI服务器里？
核心是性能，AI服务器核心负载是大模型训练/推理，这类任务要求“带宽，吞吐效率，延迟”。HBM刚好能满足。
✅带宽 HBM3e 在H200算力卡中带宽是4.8TB/s，是DDR5的11.7倍。
✅延迟： DDR5是通过主板总线连接GPU，路径数十厘米，而HBM与GPU通过硅中阶层互联封装在一起，路劲仅数毫米，内存访问延迟是DDR5的1/10。
✅能耗：HBM3e能耗是DDR5的1/4。
3️⃣DRAM的全球竞争格局
三巨头SK海力士 第一 35%，三星第二34%，美光第三25%。（counterpoint数据，口径不一样，供参考）
✅SK海力士凭借HBMQ3份额58%，连续3个季度超过三星成为全球DRAM第一。
国内长鑫存储 第四，约 8%份额。
4️⃣我国DRAM公司有哪些？
✅DRAM的 IDM模式只有长鑫存储，量产了DDR4/5/4x，LPDDR5等，HBM3样品计划2025年底交付，26年量产。
存储设计：
兆易创新、北京君正、东芯、澜起科技（内存接口芯片）
模组：
江波龙、 佰维存储、 德明利
封测：
深科技（封测+模组）、长电科技、通富微电、华天科技等。
?整体来看，存储芯片的大周期目前看是比较强烈的。
但存储上市公司目前来看，缺乏SK海力士 三星美光这种生产DRAM芯片的公司（长鑫没上市），主要是模组+封测+芯片设计公司。
此外，模组等公司估值比较贵。
#长鑫存储 #小白理财 #兆易创新#江波龙#德明利#佰维存储#美光科技#三星电子
✅正式开始之前，还是说一下 最近写了2 篇存储的原因。因为 全球来看，存储大周期确实来了。SK海力士 10.30出了业绩，三季度营收+39%，净利润同比+119%。
且，SK海力士称明年的HBM，以及标准的DRAM NAND产能都已经被客户预定了，四季度对客户?价等。
?所以，还是想看看国内的存储，看看有没有机会。
1️⃣回顾HBM
?HBM高带宽储存器，通过3d堆叠技术将多个DRAM裸片垂直堆叠在一起。利用TSV技术 实现与DRAM芯片间的互联，利用微凸块技术实现HBM与硅中阶层实现横向连接。
2️⃣为什么是HBM专用在AI服务器里？
核心是性能，AI服务器核心负载是大模型训练/推理，这类任务要求“带宽，吞吐效率，延迟”。HBM刚好能满足。
✅带宽 HBM3e 在H200算力卡中带宽是4.8TB/s，是DDR5的11.7倍。
✅延迟： DDR5是通过主板总线连接GPU，路径数十厘米，而HBM与GPU通过硅中阶层互联封装在一起，路劲仅数毫米，内存访问延迟是DDR5的1/10。
✅能耗：HBM3e能耗是DDR5的1/4。
3️⃣DRAM的全球竞争格局
三巨头SK海力士 第一 35%，三星第二34%，美光第三25%。（counterpoint数据，口径不一样，供参考）
✅SK海力士凭借HBMQ3份额58%，连续3个季度超过三星成为全球DRAM第一。
国内长鑫存储 第四，约 8%份额。
4️⃣我国DRAM公司有哪些？
✅DRAM的 IDM模式只有长鑫存储，量产了DDR4/5/4x，LPDDR5等，HBM3样品计划2025年底交付，26年量产。
存储设计：
兆易创新、北京君正、东芯、澜起科技（内存接口芯片）
模组：
江波龙、 佰维存储、 德明利
封测：
深科技（封测+模组）、长电科技、通富微电、华天科技等。
?整体来看，存储芯片的大周期目前看是比较强烈的。
但存储上市公司目前来看，缺乏SK海力士 三星美光这种生产DRAM芯片的公司（长鑫没上市），主要是模组+封测+芯片设计公司。
此外，模组等公司估值比较贵。
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