MT29F2G08ABAGAWP-IT:G 是由 Micron Technology Inc. 生产的一款高密度 SLC NAND Flash 存储器 。这是该公司的工业级产品系列，专为需要高可靠性、长寿命和稳定性能的应用而设计。
核心技术规格
存储器特性
存储密度: 2Gbit (2千兆位)
存储器组织: 256M × 8位 (256兆字节 × 8位并行接口)
存储器类型: SLC NAND Flash (单层单元 NAND 闪存)
技术特点: 每存储单元存储1位数据，提供更高的可靠性和耐用性
接口与性能
接口类型: 并行接口，8位数据总线
最大时钟频率: 50MHz
访问时间: 16ns (快速读取操作)
数据传输: 采用高度复用的8位总线 (I/Ox) 进行命令、地址和数据传输
电气特性
工作电压: 2.7V - 3.6V (额定电压 3.3V)
工作温度范围: -40°C 至 +85°C (工业级温度范围)
湿度敏感等级: MSL 3 - 168小时
封装规格
封装类型: TSOP-I (薄小型封装)
引脚数: 48引脚
安装方式: 表面贴装技术 (SMT)
制造产地: 中国台湾
主要特性与优势
1.高可靠性: SLC技术提供比MLC更高的可靠性和更长的使用寿命
2.快速访问: 16ns的访问时间确保快速数据读取
3.工业级设计: 宽温度范围操作，适合严苛环境
4.并行接口: 相比串行接口提供更高的数据传输速率
5.高密度存储: 2Gbit容量满足大容量存储需求
应用领域
嵌入式系统和工业控制设备
网络设备和通信基础设施
数据存储和备份系统
汽车电子应用
消费电子产品
工业自动化控制系统
供应链信息
库存状态: 有库存供应
价格区间: 约12.4-15.8人民币 (批量采购价格)
交货时间: 5-6个工作日 (英国库存)
这款芯片代表了当前NAND Flash存储器的主流技术水准，特别适合对可靠性和性能有较高要求的工业级应用。其工业级温度范围和高可靠性的SLC技术使其成为严苛环境下的理想选择。
#芯片 #电子元器件 #三星 #存储 #内存颗粒 #芯片销售 #锂电池 #传感器 #STM32单片机 #电子产品出口
核心技术规格
存储器特性
存储密度: 2Gbit (2千兆位)
存储器组织: 256M × 8位 (256兆字节 × 8位并行接口)
存储器类型: SLC NAND Flash (单层单元 NAND 闪存)
技术特点: 每存储单元存储1位数据，提供更高的可靠性和耐用性
接口与性能
接口类型: 并行接口，8位数据总线
最大时钟频率: 50MHz
访问时间: 16ns (快速读取操作)
数据传输: 采用高度复用的8位总线 (I/Ox) 进行命令、地址和数据传输
电气特性
工作电压: 2.7V - 3.6V (额定电压 3.3V)
工作温度范围: -40°C 至 +85°C (工业级温度范围)
湿度敏感等级: MSL 3 - 168小时
封装规格
封装类型: TSOP-I (薄小型封装)
引脚数: 48引脚
安装方式: 表面贴装技术 (SMT)
制造产地: 中国台湾
主要特性与优势
1.高可靠性: SLC技术提供比MLC更高的可靠性和更长的使用寿命
2.快速访问: 16ns的访问时间确保快速数据读取
3.工业级设计: 宽温度范围操作，适合严苛环境
4.并行接口: 相比串行接口提供更高的数据传输速率
5.高密度存储: 2Gbit容量满足大容量存储需求
应用领域
嵌入式系统和工业控制设备
网络设备和通信基础设施
数据存储和备份系统
汽车电子应用
消费电子产品
工业自动化控制系统
供应链信息
库存状态: 有库存供应
价格区间: 约12.4-15.8人民币 (批量采购价格)
交货时间: 5-6个工作日 (英国库存)
这款芯片代表了当前NAND Flash存储器的主流技术水准，特别适合对可靠性和性能有较高要求的工业级应用。其工业级温度范围和高可靠性的SLC技术使其成为严苛环境下的理想选择。
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