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rie icp 之后去胶

日期：2025-11-02 19:29:35 来源：网络整理作者：本站编辑评论：0

rie icp 之后去胶

rie icp刻蚀氧化铪，用s1805光刻胶作为mask layer。刻蚀功率150w,时间15s左右。之后如何优雅的干净的除去光刻胶。
目前采用的方法，nmp80度，浸泡一个小时。发现还会有残胶。40kHz超声底电极震掉。延长加热时间，胶也去不掉，就是那种摇摇欲坠的感觉。
请问大家有什么好方法吗#微纳加工 #光刻 #刻蚀 #研究生

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