硅作为半导体，性质稳定，一般的强酸与它不会反应，要想腐蚀硅就只能酸上加酸，比如浓硝酸加氢氟酸，让硅首先被硝酸氧化成二氧化硅，再被氢氟酸溶解去除。同时为了防止硝酸的氧化分解，溶液中还会额外加一些醋酸(乙酸)。这种三酸混合(氢氟酸Hydrofluoric acid、硝酸Nitric acid、醋酸Aetic acid,简称HNA)，其中氢氟酸俗称化骨水。
氢氟酸刻蚀速率为：480um/min，一张硅片放下去两分钟，就溶解干净了。三酸的配比很重要，比如加大硝酸的比例，有助于表面充分氧化再被腐蚀，硅片表面更加光滑。而增大氢氟酸的比例，刻蚀速度更快，硅片表面就更加粗糙。
另外，温度和搅拌也会影响刻蚀的速率。有时候也会运用物理手段，比如增加超声波装置，产生机械波，来摇晃刻蚀溶液，让液体在不间断的高频振动中被持续压缩和释放，产生大量微小的空泡，这就是空穴现象(Cavitation)，比如我们常见的船舶螺旋桨，当桨叶在船下高速旋转时，就会收到泡泡攻击而产生磨损，因为泡泡的生成和破裂伴随能量的释放。
在芯片制程中，控制好超声波的振幅和频率，就能利用直径合适的空泡在刻蚀中带走硅片表面的杂质。比如我们在用刻蚀液来清洗比较精密的芯片时，可以把高频超声波换成振幅更小的兆频(Megasonic)来减弱空穴的共振效应，避免损伤微小的器件结构。这里的清洗能洗掉硅片表面杂质，显现表面缺陷(defect) 。
2、假设硅和光刻胶的选择比是10 ： 1，那么每刻掉10um深的硅，就会损失1um厚的光刻胶。所以选择比越高，刻蚀就越省心越保险，比如在后端的金属刻蚀中，我们希望选择比尽量高，只腐蚀金属，而不会过渡刻蚀到下层。影响已经做好的硅或氧化物结构。
3、一般的湿法刻蚀是没有方向的，或者说朝各个方向均匀腐蚀。这叫做各向同性(Isotropic)。各向同性意味着只能挖坑甚至会发生钻蚀，挖穿本应该被光刻胶保护的区域，导致器件短路或者开路。#芯片 #芯片制造 #刻蚀 #刻蚀机 #晶圆 #晶圆制造 #半导体 #半导体芯片 #电子芯片 #集成电路
氢氟酸刻蚀速率为：480um/min，一张硅片放下去两分钟，就溶解干净了。三酸的配比很重要，比如加大硝酸的比例，有助于表面充分氧化再被腐蚀，硅片表面更加光滑。而增大氢氟酸的比例，刻蚀速度更快，硅片表面就更加粗糙。
另外，温度和搅拌也会影响刻蚀的速率。有时候也会运用物理手段，比如增加超声波装置，产生机械波，来摇晃刻蚀溶液，让液体在不间断的高频振动中被持续压缩和释放，产生大量微小的空泡，这就是空穴现象(Cavitation)，比如我们常见的船舶螺旋桨，当桨叶在船下高速旋转时，就会收到泡泡攻击而产生磨损，因为泡泡的生成和破裂伴随能量的释放。
在芯片制程中，控制好超声波的振幅和频率，就能利用直径合适的空泡在刻蚀中带走硅片表面的杂质。比如我们在用刻蚀液来清洗比较精密的芯片时，可以把高频超声波换成振幅更小的兆频(Megasonic)来减弱空穴的共振效应，避免损伤微小的器件结构。这里的清洗能洗掉硅片表面杂质，显现表面缺陷(defect) 。
2、假设硅和光刻胶的选择比是10 ： 1，那么每刻掉10um深的硅，就会损失1um厚的光刻胶。所以选择比越高，刻蚀就越省心越保险，比如在后端的金属刻蚀中，我们希望选择比尽量高，只腐蚀金属，而不会过渡刻蚀到下层。影响已经做好的硅或氧化物结构。
3、一般的湿法刻蚀是没有方向的，或者说朝各个方向均匀腐蚀。这叫做各向同性(Isotropic)。各向同性意味着只能挖坑甚至会发生钻蚀，挖穿本应该被光刻胶保护的区域，导致器件短路或者开路。#芯片 #芯片制造 #刻蚀 #刻蚀机 #晶圆 #晶圆制造 #半导体 #半导体芯片 #电子芯片 #集成电路
