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高低温探针台配合DLTS深能级瞬态谱

   日期:2025-11-02 06:47:15     来源:网络整理    作者:本站编辑    评论:0    
高低温探针台配合DLTS深能级瞬态谱

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半导体的掺杂浓度、缺陷能级位、界面态(俘获界面)是研究半导体性质的重要手段。此
设备根据半导体 P-N 结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容(△C~t)技术和深能级瞬
态谱(DLTS)的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱,是一种具有很高检测灵敏度的实验
方法,能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描,可以给
出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度(即能量)分布的 DLTS 谱。
特点
自动接触检查
常规测试和加强软件
自动电容补偿
三终端 FET电流瞬态测量
大电容和浓度范围
灵活性高、模块化硬件
支持各种冷却仓和温度控制器
傅里叶转换(F-DLTS) ,比例窗口和用户自定义校正功能
 
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