去胶剂（Stripper/Remover）是半导体光刻工艺中的关键辅助材料，用于彻底清除完成图形转移后的残留光刻胶及有机涂层，确保晶圆表面洁净，为后续工序提供无污染的基础。
1. 清除图形化残留物
光刻胶剥：在完成刻蚀或离子注入后，光刻胶已完成“掩模”使命。去胶剂通过化学溶解或反应，高效去除硬化、变性后的光刻胶层（包括正胶/负胶）。
辅助层清除：同步去除底部抗反射涂层（BARC）、顶部抗反射涂层（TARC）等有机辅助材料，避免多层残留导致结构缺陷。
2. 保护基底与器件结构
选择性清除：配方需精准设计——仅溶解有机层（光刻胶/BARC），不损伤硅衬底、金属导线、介质层（如SiO₂、SiN）等关键结构。
低腐蚀性：避免强酸/强碱破坏微纳尺度的器件形貌，尤其对先进制程（如FinFET、GAA）中的脆弱结构至关重要。
3. 兼容复杂工艺环境
抗高温变性：部分工艺需在离子注入或刻蚀后直接去胶，此时胶层已高温碳化。去胶剂需渗透碳化层并分解其交联结构。
抗金属离子污染：不含金属杂质（如钠、钾），防止污染晶圆影响器件电性能。
技术实现路径
湿法去胶：主流工艺，分为：
有机溶剂型：溶解树脂（如NMP、DMSO），适用于厚胶或深层残留。
氧化剂型：过氧化氢/硫酸混合液氧化分解有机物，效率高但需控温防损伤。
干法去胶：氧等离子体灰化（无需液体），适合不耐溶剂的精密结构，但可能产生静电损伤。
价值：良率的守护者
残留的光刻胶会导致：
刻蚀残留 → 电路短路
层间附着力下降 → 金属线脱落
微粒污染 → 器件失效
去胶剂通过100%清除有机残留，直接提升芯片良率与可靠性，是摩尔定律持续推进的幕后功臣。
#半导体材料 #去胶剂 #光刻工艺 #芯片制造 #晶圆清洗 #良率提升 #微电子 #先进制程 #半导体封装 #集成电路
1. 清除图形化残留物
光刻胶剥：在完成刻蚀或离子注入后，光刻胶已完成“掩模”使命。去胶剂通过化学溶解或反应，高效去除硬化、变性后的光刻胶层（包括正胶/负胶）。
辅助层清除：同步去除底部抗反射涂层（BARC）、顶部抗反射涂层（TARC）等有机辅助材料，避免多层残留导致结构缺陷。
2. 保护基底与器件结构
选择性清除：配方需精准设计——仅溶解有机层（光刻胶/BARC），不损伤硅衬底、金属导线、介质层（如SiO₂、SiN）等关键结构。
低腐蚀性：避免强酸/强碱破坏微纳尺度的器件形貌，尤其对先进制程（如FinFET、GAA）中的脆弱结构至关重要。
3. 兼容复杂工艺环境
抗高温变性：部分工艺需在离子注入或刻蚀后直接去胶，此时胶层已高温碳化。去胶剂需渗透碳化层并分解其交联结构。
抗金属离子污染：不含金属杂质（如钠、钾），防止污染晶圆影响器件电性能。
技术实现路径
湿法去胶：主流工艺，分为：
有机溶剂型：溶解树脂（如NMP、DMSO），适用于厚胶或深层残留。
氧化剂型：过氧化氢/硫酸混合液氧化分解有机物，效率高但需控温防损伤。
干法去胶：氧等离子体灰化（无需液体），适合不耐溶剂的精密结构，但可能产生静电损伤。
价值：良率的守护者
残留的光刻胶会导致：
刻蚀残留 → 电路短路
层间附着力下降 → 金属线脱落
微粒污染 → 器件失效
去胶剂通过100%清除有机残留，直接提升芯片良率与可靠性，是摩尔定律持续推进的幕后功臣。
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