AFM测得二维柱状光栅的具体参数为：两个维度光栅高度均为80nm，图一槽已露底，图二槽粘连处高度为40nm；图三中明场光镜下可隐约看到横向并未完全断开。使用的光刻胶是1：1.6稀释后的RZJ-304胶，胶厚180nm，旋转曝光（先曝一维，旋转90°再曝第二维）两个维度使用相同的曝光剂量，湿法显影。
想请教大佬既然两个维度剂量一样的话，为什么会有两个维度一个断开一个未断。图二柱中心凹陷应该是第一维的剂量偏大，可为什么还会有没洗断的情况发生，感觉很矛盾的现象。问题出在剂量上吗，后来把第二维的剂量减小，第一维的剂量增大，依旧是同样的未断，调整了好多剂量都是这样的情况，真的想不到问题出在哪里，还是说这样旋转曝光的方式行不通，救命，到底怎样才能曝出来形貌好一点的圆柱光栅，孩子要毕业啊
我的光路如图四，使用360nm激光器搭建马赫曾德干涉光路，pbs分光后经过两个针孔滤波器，通过半波片控制曝光面处两路光的功率相同，在曝光面处放置一个可旋转镜架，片子匀胶后贴在镜架中心曝光 ，先曝第一维，结束后旋转90度再曝第二维，第二维结束后显影。实验室条件简陋，谢谢大佬的宝贵建议，每一条都是孩子毕业的救命稻草。
#光刻胶工艺 #全息光刻 #光栅 #微纳光学加工 #光刻加工 #微纳光学 #半导体 #半导体工艺
想请教大佬既然两个维度剂量一样的话，为什么会有两个维度一个断开一个未断。图二柱中心凹陷应该是第一维的剂量偏大，可为什么还会有没洗断的情况发生，感觉很矛盾的现象。问题出在剂量上吗，后来把第二维的剂量减小，第一维的剂量增大，依旧是同样的未断，调整了好多剂量都是这样的情况，真的想不到问题出在哪里，还是说这样旋转曝光的方式行不通，救命，到底怎样才能曝出来形貌好一点的圆柱光栅，孩子要毕业啊
我的光路如图四，使用360nm激光器搭建马赫曾德干涉光路，pbs分光后经过两个针孔滤波器，通过半波片控制曝光面处两路光的功率相同，在曝光面处放置一个可旋转镜架，片子匀胶后贴在镜架中心曝光 ，先曝第一维，结束后旋转90度再曝第二维，第二维结束后显影。实验室条件简陋，谢谢大佬的宝贵建议，每一条都是孩子毕业的救命稻草。
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