长存控股于2026年8月21日获得IPO受理，当前公司已成为全球第三、中国第一大NAND Flash原厂。公司在武汉拥有三条产线，近年来稼动率均接近满载，盈利能力持续增强。26Q1营收470.42亿元，归母净利333.79亿元，毛利率高达76.77%。在AI驱动的存储超级周期下，存储供需缺口持续增大，各类产品价格持续上涨，本次公司拟募资330亿元，用于产线升级及相关研发，有望带动国产设备材料等环节需求增长。
全球第三大NAND Flash原厂，国家大基金入股助力长期发展。长存控股是聚焦3D NAND闪存及存储器解决方案的IDM存储企业，按销售金额和出货量口径位列全球第三大NAND Flash原厂。依托自研晶栈®Xtacking®架构持续迭代，第五代TLC、QLC 3D NAND闪存实现量产，业务面向智能终端存储、固态硬盘、存储芯片、个人用户产品四大方向，已导入全球一流客户供应链并稳定供货，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。上市主体长存控股不存在控股股东及实际控制人，股东集合地方产业平台与国家级产业投资基金，湖北长晟持股26.54%、芯飞科技持股25.35%、国家集成电路产业投资基金一期持股11.97%、国家集成电路产业投资基金二期持股11.38%。全资子公司长江存储承担3D NAND闪存研发制造核心业务，宏茂微开展半导体芯片封测服务。
长存营收与利润高速增长，盈利能力持续增强。公司2023-2025年营业收入快速增长，CAGR达83.60%，受益存储价格大幅上涨，2026Q1实现营业收入470.423亿元，同比增长393.38%。存储芯片2026Q1营收238.55亿元，占比51%；智能终端26Q1营收166.68亿元，占比36%；固态硬盘26Q1营收47.14亿元，占比10%。毛利率方面，公司2023-2025年综合毛利率和净利率逐年提升，2026年第一季度毛利率高达76.77%，净利率达71.18%。
长存三大产线协同优化产品结构，拟募资330亿元用于产线升级。公司在武汉东湖新技术开发区（光谷）建有三座12英寸3D NAND Flash 晶圆产线，已建成中国大陆领先的3D NAND Flash 晶圆生产基地，产能规模位居全球前列。目前一期、二期产线均满产，三期产线预计2026年底投产，公司产能将进一步释放。公司本次计划募集资金330亿元，主要用于投资建设长江存储量产线技术升级和研发相关募投两大项目。通过实施本次募集资金投资项目，公司在半导体存储器领域的产线代次、产品性能、研发与技术水平将进一步提升，有助于提高公司新工艺代高性能产品能力，保持国际一流水平，提升公司全球竞争力和市占率，为公司实现长期可持续发展提供有力支撑。
投资建议：我们认为，长江存储已完成从“国产替代企业”向“全球前三NAND平台”的跃迁，短期关注存储价格周期，长期更应重视330亿元募资带来的技术升级与供应链验证机会，继续看好国产存储以及半导体设备、零部件和材料产业链：1）存储原厂：***、***、***、***、***、***、***等；2）设备/零部件及材料：***、***、***、***、***；3）代工及封测：***、***、***、***、***等。
风险提示：产业及技术研发不达预期；客户集中度较高；产品价格波动；国际贸易摩擦导致供应链不稳定；行业下游需求变化；行业竞争加剧等。
一、长存营收与利润高增，Xtacking技术位列全球第一梯队
1、全球第三大NAND Flash原厂，国家大基金持股助力长期发展
依托Xtacking®为核心的3D NAND独立自主技术路线与技术体系，长存成长为国内第一、全球第三大NAND Flash厂商。公司前身为长存有限，自2016年设立以来专注3D NAND闪存及存储器解决方案，核心技术覆盖NAND Flash 产品设计、工艺、封测等各环节。2018年公司全球首创Xtacking®架构，开辟了三维闪存技术新路径，为3D NAND闪存迈向更高层提供核心技术支撑，成为全球首批突破200层NAND存储芯片的企业，在3D NAND晶圆技术、产品技术多个环节达到国际先进水平，存储芯片封装技术国内领先。产品矩阵方面，公司NAND Flash稳步实现从第一代到第五代3D NAND Flash量产的快速迭代，同步推进第六代产品研发项目，市场规模及行业地位稳步攀升。根据TrendForce，2026年1-3月按销售金额和出货量口径，公司位列全球NAND Flash厂商第三名、中国厂商第一位。产能方面，截至2026年3月末，公司已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地。客户方面，公司与国内互联网、服务器、消费电子等领域头部企业深度合作，同时切入国际一流客户供应体系并稳定供货，产品广泛应用于移动通信、消费电子、计算机、服务器等领域。
公司3D NAND完成多代 TLC、QLC产品迭代，产品体系覆盖多梯度性能需求。2017年公司成功设计制造中国首款3D NAND闪存，2019年搭载自主创新Xtacking®架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。目前公司已完成第五代TLC、QLC 3D NAND 产品迭代量产，产品覆盖四大应用方向：面向智能终端、固态硬盘领域提供企业级和消费级系统级存储产品，面向存储芯片提供晶圆和颗粒产品，同时公司面向个人用户产品推出致态品牌固态硬盘和存储卡等产品，封测业务由子公司宏茂微提供芯片封测解决方案和存储器封装测试服务。
公司采用IDM一体化经营模式，构建存储器完整全流程业务能力。公司采用IDM经营模式，业务涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试，并延伸至固态硬盘的模组加工与测试环节：芯片设计环节公司自主设计IP模块和引入经过验证的第三方IP进行电路设计，进行3D NAND闪存的架构与产品开发；晶圆制造环节完成清洗、光刻、刻蚀等工序；封装测试对裸晶圆进行封装与功能检测；模组加工与测试实现芯片电路组装及整机装配、固态硬盘成品的组装验证。晶圆制造主要由子公司长江存储完成，颗粒和嵌入式产品封装测试由子公司宏茂微或委托第三方封测厂商完成，固态硬盘产品模组加工与测试由公司委托第三方模组厂商完成。
长存3D NAND技术为行业第一梯队，300层以上产品已实现行业量产出货。存储芯片行业具有快速迭代的特点，平均每1.5‑2年完成一次技术迭代。全球各大NAND Flash厂商持续推进3D NAND堆叠层数抬升与架构优化，海外主流厂商中，三星、SK海力士、铠侠、美光分别推进各自架构路线，量产堆叠层数处于218‑321层区间，并向400层以上节点开展研发验证。截至2026年3月末，行业内300层以上3D NAND产品已量产出货。3D NAND产品向超高层堆叠升级过程中，晶圆应力管控、高深宽比沟道孔刻蚀、横向电荷损失成为主要技术瓶颈。晶圆混合键合、多堆栈堆叠、存储单元多值存储，成为3D NAND 产品向更高容量迭代的核心技术路线长江存储依托自研晶栈®Xtacking®架构走差异化技术道路，跻身全球3D NAND技术第一梯队。
晶栈®Xtacking®是公司核心技术品牌，开创3D NAND独有混合键合技术路线并实现大规模产业化落地。过去市场上的3D NAND主要分为传统并列式架构和CuA（CMOS under Array）架构，2018年公司率先创新落地晶栈®Xtacking® 架构，在3D NAND闪存上实现晶圆键合这一关键技术。晶栈®Xtacking® 可实现在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元，使NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能，实现比传统3D NAND更高的存储密度，芯片面积可减少约25%，生产周期可缩短20%。当前全球3D NAND Flash向更高堆叠层数演进，混合键合成为行业主流发展方向，公司持续迭代的Xtacking架构，2022年推出Xtacking 3.0技术，成为全球首批推出200层以上3DNANDFlash产品的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平，2024年迭代Xtacking4.0技术，重塑全球3DNAND技术发展路线。目前，公司全部3D NAND Flash产品均基于Xtacking®3.0或 Xtacking®4.0技术平台开发。
公司无控股股东或实控人，全资子公司长江存储为主要经营主体。截至2026年8月，公司不存在控股股东或实际控制人，主要股东包括湖北长晟（持股 26.54%）、芯飞科技（持股 25.35%）、国家集成电路产业投资基金一期（持股 11.97%）、国家集成电路产业投资基金二期（持股 11.38%），多元国有资本协同为公司技术研发与产能建设赋能。子公司方面，公司全资控股长江存储，作为主要经营主体，承担3D NAND闪存芯片的设计制造及销售核心业务；子公司宏茂微提供半导体芯片封测服务；武汉新芯主营特色存储、数模混合、三维集成相关业务。2026年7月，经过股权调整，公司将所持有武汉新芯39%股权进行转让，公司对武汉新芯持股比例由68.19%降至29.19%，不再将其纳入合并报表，进一步聚焦自身3D NAND闪存主赛道。
2、26Q1毛利率高达76.77%，受益存储价格上涨盈利能力持续增强
受益存储价格快速增长，公司营收有望进一步迎来高增。公司2023-2025年营业收入快速增长，复合增长率达83.60%，2026年第一季度实现营业收入470.423亿元，同比增长393.38%。公司97.80%以上营业收入来源于主营业务，主营业务收入主要来源于NAND Flash产品销售收入，2023-2025年营业收入逐年增长，2025年实现收入566,597亿元，同比增长42.08%。受益于产能提升、存储市场回暖以及公司的持续市场开拓，公司存储产品销售收入、销量保持快速增长趋势。产品平均单价与全球市场 NAND Flash 产品走势基本一致。
各NAND Flash 产品营收逐年增长，存储芯片营收占比超五成。公司 NAND Flash 产品包括存储芯片、智能终端和固态硬盘。1）存储芯片销售收入占比较高且逐年增长，2025年实现营收294.440亿元，占NAND Flash产品营收近50%，主要由于存储行业景气度提升、企业级存储芯片逐步获得国内头部数据中心企业级用户认可及公司产能提升。存储芯片的销售数量增速低于 NAND Flash 产品整体增速，主要由于报告期内公司将生产的存储芯片更多用于自主研发的智能终端、固态硬盘产品的生产，因此对外销售的数量增长率低于其他类型产品。2）智能终端产品销售收入和营收占比逐年增长，主要应用于智能手机等移动终端，已导入国内主要智能手机厂商，销量和市场份额快速提升。3）固态硬盘产品销售收入保持逐年增长态势。公司固态硬盘产品包括企业级固态硬盘、消费级固态硬盘和致态系列等个人用户固态硬盘及存储卡：企业级固态硬盘主要应用于互联网基础设施、企业级数据库等领域，主要客户为国内领先的互联网企业、服务器厂商和产业客户等；消费级固态硬盘主要应用于笔记本、台式机等消费电子产品；个人用户产品直接面向零售客户，产品种类涵盖固态硬盘、存储卡等。
公司26Q1毛利率提升至77%，整体盈利水平持续向好。公司2023-2025年综合毛利率和净利率逐年提升，2026年第一季度毛利率高达76.77%，净利率达71.18%。公司96.80%以上毛利来自主营业务，各期主营业务收入毛利率逐年提升，主要为 NAND Flash 产品售价上升及单位成本下降所致。其他业务成本主要为废料销售成本、验证服务成本、租赁成本等，金额相对较小，毛利率代表性较低。2023-2025年各类NAND Flash 产品毛利率均呈现逐年增长态势，2025年存储芯片毛利率达44.21%。公司智能终端和消费级固态硬盘主要应用于手机、个人电脑等移动终端，终端客户业务体量大、议价能力强，且公司需与国际存储巨头竞争；企业级固态硬盘性能要求最高，需满足低功耗、低延迟、长寿命和高可靠性等要求，在导入初期单位成本较高。上述情况对公司智能终端、固态硬盘产品的毛利率形成一定压力。2025年及2026年一季度，随着公司产品市场需求增加、市场竞争力提升和单位成本的下降，上述产品毛利率有所提升。在产品平均单价提升及单位成本下降共同推动下，公司NAND Flash 产品毛利率逐年提升。
费用率逐年下降，研发投入维持高位。2023-2025年，公司期间费用规模整体呈先降后升趋势。随着公司营业收入快速增长，期间费用率呈下降趋势。公司持续加大研发投入，研发费用率相对较高，2023-2025年研发费用逐年增长，2025年研发费用达55.846亿元，同比增长30%。
公司盈利水平实现由巨额亏损向大幅盈利的跨越式反转，盈利能力较强。2023年受半导体行业周期下行、存储产品价格大幅下滑影响，公司归母净利润亏损191.81亿元；伴随产能持续爬坡、综合毛利率提升以及费用率下行，公司盈利状况持续修复，2024年归母净利润转正至67.71亿元，2025年进一步增长至142.11亿元，2026年第一季度归母净利润大幅攀升至333.79 亿元，盈利规模呈加速扩张态势。
二、三大产线协同优化产品结构，拟募投330亿元用于产线升级
1、三大产线集中于武汉协同布局，三期预计2026年底投产
三大产线协同布局驱动产能释放，Xtacking工艺平台迭代支撑产品结构升级。公司在武汉东湖新技术开发区（光谷）建有三座12英寸3D NAND Flash 晶圆产线，已建成中国大陆领先的3D NAND Flash 晶圆生产基地，产能规模位居全球前列。根据TrendForce数据计算，2026年1—3月公司在全球NAND Flash厂商中按销售金额和出货量排名，均位列全球第三、中国第一。公司以一期产线为起点，2022年推出Xtacking 3.0，成为全球首批推出200层以上3D NAND Flash产品的企业，2024年迭代推出Xtacking 4.0，重塑全球3D NAND 技术发展路线。公司产能利用率始终保持高位运行：2023年至2026年一季度分别为94.42%、95.43%、97.91% 和98.02%，2026年一季度已接近满产状态。随着三期产线的规划建设，公司产能将进一步释放。
2、募投330亿元用于升级改造及前瞻研发，有望拉动国产替代技术升级
公司本次计划募集资金330亿元，主要用于投资建设两大项目：①长江存储量产线技术升级项目：拟通过购置新设备和更新改造部分现有设备，对公司现有产线实施技术升级，推动现有代次产品向更高代次、更高性能 3D NAND产品演进。②研发相关募投项目：主要用于存储器领域的技术开发及前瞻性技术研究，有助于公司优化资源配置、提升研发效率和缩短开发周期。本次募集资金均围绕公司主要业务半导体存储器的产研能力开展，均属于科技创新领域。通过实施本次募集资金投资项目，公司在半导体存储器领域的产线代次、产品性能、研发与技术水平将进一步提升，有助于提高公司新工艺代高性能产品能力，保持国际一流水平，提升公司全球竞争力和市占率，为公司实现长期可持续发展提供有力支撑。
三、投资建议
我们认为，长江存储已完成从“国产替代企业”向“全球前三NAND平台”的跃迁，短期关注存储价格周期，长期更应重视330亿元募资带来的技术升级与供应链验证机会，继续看好国产存储以及半导体设备、零部件和材料产业链：
1、存储原厂：受益于存储价格持续强劲及先进产能逐步释放，长协拉长存储景气周期，同时海外原厂开始关注股东回报，关注技术领先、产品结构持续升级的存储原厂。建议关注：***、***、***、***、***等。
2、设备/零部件及材料：受益于国内存储原厂扩产，关注卡位良好及份额较高的存储设备。设备公司正处于景气上行周期，订单持续向好，同时头部公司不断放量，国产化率持续提升。展望26-27年，全球半导体设备市场空间持续增长，国内设备技术水平持续突破，国产化率迎来1-N阶段大规模提升，伴随下游先进存储持续扩产，卡位良好及份额较高的存储设备公司有望充分受益。建议关注：①设备：***、***、***、***、***等；②零部件：***、***、***、***、***等；③材料：***、***、***、***、***等。
3、代工及封测：长存3D NAND Flash技术多层堆叠对封装等环节有较高要求，持续关注代工和封测产业链：受益于国内存储原厂扩产及配套芯片需求增长，关注工艺平台完备、客户卡位良好及产能利用率持续提升的晶圆代工公司。代工行业正处于景气上行周期，存储主控、接口及电源管理等配套芯片流片需求持续向好，同时头部公司先进制程与特色工艺产能加速释放，稼动率及国产客户份额持续提升。同时关注客户卡位良好、具备Memory高叠层封装与测试能力的封测公司。建议关注代工和封测：***、***、***、***、***等。
团队介绍
鄢凡：北京大学信息管理、经济学双学士，光华管理学院硕士，18年证券从业经验，08-11年中信证券，11年加入招商证券，现任研发中心董事总经理、电子行业首席分析师、TMT及中小盘大组主管。
团队成员：程鑫、谌薇、涂锟山、研究助理（王焱仟、汤云鹏）。
团队荣誉：11/12/14/15/16/17/19/20/21/22年《新财富》电子行业最佳分析师第2/5/2/2/4/3/3/4/3/5名，11/12/14/15/16/17/18/19/20年《水晶球》电子2/4/1/2/3/3/2/3/3名，10/14/15/16/17/18/19/20年《金牛奖》TMT/电子第1/2/3/3/3/3/2/2/1名，2018/2019 年最具价值金牛分析师。
投资评级定义
股票评级
以报告日起6个月内，公司股价相对同期市场基准（沪深300指数）的表现为标准：
强烈推荐：公司股价涨幅超基准指数20%以上
增持：公司股价涨幅超基准指数5-20%之间
中性：公司股价变动幅度相对基准指数介于±5%之间
回避：公司股价表现弱于基准指数5%以上
行业评级
以报告日起6个月内，行业指数相对于同期市场基准（沪深300指数）的表现为标准：
推荐：行业基本面向好，行业指数将跑赢基准指数
中性：行业基本面稳定，行业指数跟随基准指数
回避：行业基本面向淡，行业指数将跑输基准指数
重要声明
特别提示
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