1. 存储器

存储器是用来存储数据、信息和各类程序软件的记忆部件。依据存储介质不同，可以分为半导体存储、磁性存储和光学存储；其中，半导体存储器是以半导体电路作为存储媒介、用于保存二进制数据的记忆设备，是市面上的主流存储器，具有体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易等优点；被广泛应用于各类电子产品中。存储器按照电源在关断后数据是否被保存可分为 RAM (随机存储器)、ROM (只读存储器) 和新型 RAM (基于新材料研制而成，尚未实现商业化)。其中，RAM 大头是 DRAM、ROM 大头是 NAND Flash 为主。

2.DRAM

DRAM (动态随机存取存储器、断电后数据丢失) 是存储器细分产品中的营收占比最大的产品。DRAM 基本存储单元由一个晶体管和一个电容 (1T1C) 构成，被广泛应用在主机内存上，产品主要分为 DDR、LPDDR、GDDR、HBM 等。HBM 是 3D 堆叠构成的 “高带宽、高速”DRAM 内存，其 DRAM die 之间以 TSV 连接；通过 3D 堆叠，HBM 实现内存容量与带宽瓶颈的突破。由于 HBM 的带宽领先其他技术一个数量级之多，更好适配高度并行计算、科学计算、计算机视觉、AI 等使用场景。

3.NAND Flash

NANDFlash是最为常见的非易失存储介质，其标准化的生产过程、容量大、且断电不会丢失存储信息的特征，决定了NANDFlash被广泛应用在资料存储的应用属性。

二、存储行业发展现状

1.存储市场正迎来持续演绎的 “超级周期”，价格上行态势强劲且仍有扩张空间

存储市场正迎来持续演绎的 “超级周期”，价格上行态势强劲且仍有扩张空间。根据安兔兔公众号，自去年 9 月起，存储板块迈入价格快速攀升通道，DRAM (内存) 与 NAND Flash (闪存) 现货价累计涨幅已超 300%，第四季度合约价同比上涨 75%，其中 DDR5 颗粒单月涨幅更突破 90%。此轮涨价的核心驱动力源于 AI 应用中 “以存代算” 技术的普及 —— 全球约 66% 的 DRAM 产能已被 AI 服务器吸纳，三星、SK 海力士及美光等企业更将 70% 产能倾斜至高利润的 HBM (高带宽内存) 与 DDR5 产品，此举直接导致消费级芯片出现 20% 的供应缺口。Counterpoint Research 指出，在 AI 与服务器需求的双重激增下，存储市场已进入超越 2018 年历史高点的超级牛市阶段，供应商议价能力攀至历史峰值。

Trend Force 进一步预测，2026 年第一季度，随着 DRAM 原厂大规模向服务器、HBM 领域转移先进制程与新产能以满足 AI 需求，普通 DRAM 合约价将环比大增 55%-60%；而 NAND Flash 受限于产能管控及服务器强势采购对其他应用的挤压，各类产品合约价仍将延续 33%-38% 的涨幅。多重因素叠加下，存储价格的上涨动能有望持续释放。

2.存储芯片价格上涨正逐步传导至消费电子终端产品

厂商通过减配的方式缓解成本上涨压力的空间有限，上调终端价格将成为普遍趋势。目前联想、戴尔、惠普等主要电脑厂商均已发布调价函，涨幅普遍在 500 至 1500 元之间，小米、vivo 等国产新发售机型相同存储配置版本价格较上一代上涨 300 至 500 元。受存储芯片价格上涨及对下游的传导影响，PPI 方面，计算机、通信及其他电子设备制造业分项价格有望止跌企稳，对 PPI 的拖累作用有所减弱。

三、存储行业市场规模分析

1.2026 存储市场将超 3000 亿美元

存储行业市场规模在周期波动中呈现出持续增长之势，主要系存储位元需求整体呈现逐年提升，产品价格的周期性变化使得行业规模在波动中持续增长。我们预计2026年存储行业市场规模或将超3000亿美元。

2.IDM 模式下的重资本投入

存储行业的生产模式为IDM的模式，据ICInsight统计数据显示，近年来，存储器资本开支占存储器营收的30%-40%。对不同制程节点扩产所需设备的投资额分析可以发现，10-20nm制程的每5万片晶圆产能所需设备投资额在47-63亿美元之间，随着存储制程来到10nm+，设备投资额度的加大是其资本开支不断增长的原因之一(注:10-2onm制程不含10nm、含20nm);行业具备重资产投入属性。

对存储产品的历史价格进行分析，可知:存储价格都有着显著的“暴涨一暴跌”的循环变化;尽管全球存储需求中长期在快速增长，但中短期需求具有一定的波动，同时受制于供给端厂商新建产线往往需要较长的时间(两年左右)集中释放产能，供需时空上的错配是致使存储器周期性波动的核心所在。本轮在AI驱动的强需求下，存储供给持续紧张，价格整体上涨幅度超历史存储周期。在需求持续增长、且价格持续上升之际，当前行业主要玩家的整体盈利能力持续提升。

3.HBM 代际升级、市场规模持续扩大

有别于传统的DRAM产品形态，HBM((高带宽内存)借助硅通孔技术实现DRAM颗粒的空间堆叠(单位面积下内存容量的提升)、并有效增加引脚数量(x1024/2028，HBM一HBM3E)，从而实现带宽数量级式的抬升。自2013年海力士研发出业内首颗HBM芯片以来，HBM现已迭代至第六代产品HBM4;在产品持续迭代的过程中，HBM存储容量、带宽均实现持续增长。HBM4产品单颗最大容量有望达48GB、带宽达2TB/s。当前，三大原厂三星、海力士、美光均已己正式推出HBM4。

以英伟达系列GPU为例，单卡所搭载HBM在产品代际持续提升之际、搭载容量亦呈现出持续提升之势。从H100到Rubin系列，单卡搭载HBM从HBM3升级至HBM4，搭载容量亦从80GB提升至288GB。

HBM作为与GPU/ASIC直接封装的存储芯片，其市场随着GPU/ASIC的产品升级和高速增长，而呈现出快速扩容之势。据美光预计2028年HBM市场规模有望达1000亿美元，2025-2028年复合增速达40%。

四、存储行业竞争格局分析

1. 存储行业呈现出寡头竞争的格局

行业集中度极高，海外大厂掌握行业话语权。存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和资本门槛，早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本投入不断累积市场优势，全球存储晶圆市场份额被韩、美、日等国家的少数企业主导。相比海外领先大厂，我国存储器相关产业起步较晚，尽管近年来在半导体产业政策和资本支持下，以长江存储、长鑫存储为代表的国内晶圆厂商在技术、产能方面实现突破，但市场份额与海外头部企业仍存在较大差距。

其中，DRAM (含 HBM) 的主要玩家为三星、海力士、美光，TOP3 市占率超 90%；NAND Flash 的主要玩家为三星、海力士、美光、闪迪、铠侠 (其中闪迪、铠侠共用产线)，TOP5 市占率超 90%。由此可见，DRAM 和 NAND Flash 均是高度垄断的行业。

2. 中国头部存储厂商与国际龙头在产能上仍存在显著差距，后续扩产空间广阔

从 2025Q2 各存储厂商产能来看：1) NAND 端：三星与西部数据 / 闪迪分别以 41 万片和 40 万片双分天下；长江存储月产能仅 14 万片，提升空间巨大。2) DRAM 端：三星、SK 海力士、美光三家 12 英寸月产能分别为 64.5 万片、51.5 万片和 33 万片；长鑫存储月产能约 26 万片，仍具备显著扩产余地。