一、整体概况/基本资料

长鑫科技集团股份有限公司（简称“长鑫科技”，股票代码：688825）是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM（动态随机存取存储器）研发设计制造一体化企业。公司自2016年成立以来，始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售，产品覆盖DDR、LPDDR两大主流系列。公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，产能规模位居中国第一、全球第四。

二、公司管理团队

长鑫科技建立了由股东会、董事会、各专门委员会和经营管理层组成的现代企业治理结构，董事会由11名成员构成。公司同时设置总裁和总经理职务，其中总裁曹堪宇为公司日常运营的“一号位”，全面负责战略制定和运营管理。

（一）董事长：朱一明

朱一明，1972年出生，江苏盐城人。17岁考入清华大学物理系，1994年本科毕业，后留校攻读硕士学位。之后赴美国纽约州立大学石溪分校攻读电子工程。朱一明是兆易创新创始人，同时担任长鑫科技董事长。2005年回国创办兆易创新，2016年推动国产DRAM项目落地，2018年起将全部重心转向长鑫科技，并承诺“项目盈利前不领薪”。2018年至2024年，朱一明在长鑫科技连续7年不领取薪酬。

（二）总裁/首席执行官：曹堪宇

曹堪宇，1971年出生于天津市。1989年至1994年本科就读于清华大学物理系，获学士学位；1994年至1997年硕士就读于俄亥俄大学，获物理学电子硕士学位；1997年至2003年博士就读于加州大学伯克利分校，获电子工程博士学位，同时获得伯克利Haas商学院技术管理证书。博士毕业后，曹堪宇在美国半导体行业积累了超过20年的经验，早年任职于美国飞利浦半导体公司，先后创立了昆天科和北京凡达讯等公司。2017年加入长鑫科技，先后担任产品和技术研发执行副总裁、市场中心和战略中心负责人等职。现任长鑫科技董事、总裁、首席执行官。

（三）总经理/法定代表人：赵纶

赵纶，73岁。早年任职于邮电部半导体所，历任大唐电信董事、上市公司副总经理、大唐微电子一把手，深耕存储芯片三十余年。2012年离开大唐体系。现任长鑫科技董事、总经理、法定代表人。

（四）联席总裁：张羽

张羽，56岁。公开信息较少，“联席总裁”的头衔通常意味着与曹堪宇在某一业务维度上形成分工协同。

（五）董事会秘书：袁园

袁园，现任长鑫科技副总裁、董事会秘书。在长鑫科技IPO网上路演中，与董事长朱一明、财务负责人黄丹阳等共同出席并回答投资者提问。

（六）高级副总裁、财务负责人：黄丹阳

黄丹阳，现任长鑫科技高级副总裁、财务负责人。搭建并完善了适配长鑫高速发展的现代化财务管控体系。持股市值约3.14亿元。

三、创始人介绍

朱一明，长鑫科技创始人、董事长，同时也是兆易创新创始人。

毕业院校：清华大学物理系学士、硕士；美国纽约州立大学石溪分校电子工程硕士。

职业履历与创业历程：1998年，朱一明赴美攻读电子工程博士，但博士读到一半选择退学，前往硅谷入职存储芯片公司MST担任项目主管。2004年，朱一明决定回国创业，兜里只有10万美元天使投资，公司算上他只有三个人。2005年，他带着存储芯片技术回国创办兆易创新，2016年该公司在上交所上市。

2016年，希望补齐“缺芯”短板的合肥市与朱一明团队决定联手启动长鑫存储项目。2018年，朱一明正式接过长鑫的帅印。他选择了一条“合规优先，绕路突围”的道路。2019年9月，长鑫推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。

成就与身价：据胡润百富榜，截至2025年8月底，朱一明财富为120亿元。长鑫科技上市后，若市值达到2万亿元至3万亿元，其身家有望增至700亿元以上。朱一明承诺上市后10年不减持，并拿出7.68亿股用于员工股权激励。

四、主营业务

长鑫科技的主营业务为DRAM（动态随机存取存储器）产品的研发、设计、生产及销售。公司采用IDM（垂直整合制造）全产业链模式，覆盖芯片研发、晶圆制造、封装测试到终端销售全部环节，成为全球第四家具备这一完整能力的DRAM厂商。

公司产品覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，包括DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等全代际产品。2025年，LPDDR系列收入占比约66%，DDR系列收入占比约32%。公司可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化的产品方案，精准匹配服务器、移动设备、个人电脑及智能汽车等核心应用场景。

五、核心技术

长鑫科技在DRAM产品设计、制造工艺、封装测试、模组设计与应用等各业务环节构建了全面、完善的核心技术体系，主要核心技术已达到国际先进水平。

（一）跳代研发战略

公司采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产。2019年推出首款自研8Gb DDR4产品，实现了本土DRAM“从零到一”的突破。

（二）技术路线

公司依托DUV（深紫外光刻）实现高密度存储制造，绕开EUV（极紫外光）光刻机管制壁垒。同时布局后HBM时代全新技术赛道，规避与韩企在传统制程上的正面竞争。

（三）知识产权

截至2025年12月31日，公司共拥有3,929项境内专利（其中发明专利3,165项）以及3,043项境外专利。根据世界知识产权组织统计数据，公司2023年国际专利申请公开数量排名全球第22位；根据美国权威专利服务机构IFI数据，公司2024年美国专利授权排名全球第42位，在所有上榜的中国企业中排名第四。

（四）研发团队

公司拥有6,259名研发人员，占员工总数的比例超过30%。

六、产品与服务

七、市场竞争地位/技术优势

长鑫科技是目前国内唯一实现DRAM规模化量产的企业，被赋予了打破海外垄断的期望和使命。全球DRAM市场长期由三星电子、SK海力士和美光科技“三巨头”垄断，三家企业合计占全球DRAM市场90%以上的市场份额。长鑫科技的崛起，打破了全球DRAM市场数十年的固化垄断格局。

八、商业模式

长鑫科技采用IDM（垂直整合制造）全产业链模式。

模式特点：

• 全产业链覆盖：从芯片设计、晶圆制造到封装测试，全部自主完成

• 区别于Fabless：与只负责设计的无厂模式（Fabless）形成鲜明对比

• 规模效应：DRAM行业具有极高的技术与资金门槛，领先企业可通过规模效应降低成本

• 成本优势：IDM模式有助于单位成本下降和盈利能力改善

客户结构：公司已深度绑定阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、荣耀、OPPO、vivo等行业核心客户。2025年移动设备领域收入占比60%，服务器领域收入快速增长至27%。

九、公司生态

长鑫科技构建了多层级国资深度托底、全产业链资本协同的特色架构。

（一）股东结构

公司为无控股股东、无实际控制人结构。直接持有公司5%以上股份的股东为清辉集电（21.67%）、长鑫集成（11.71%）、大基金二期（8.73%）、合肥集鑫（8.37%）及安徽省投（7.91%）。

• 国资力量：合肥国资通过多个平台合计持股超35%，国家大基金二期作为第三大股东持股8.7%，安徽省国资委间接持股7.9%

• 产业资本：阿里巴巴通过两个主体合计持股近5%（累计投入约76亿元）；腾讯、小米、美的等产业资本也积极参与

（二）产业链协同

• 上游：引入兆易创新、屹唐半导体、西安奕材、拓荆科技等存储设计、半导体设备及材料供应商

• 下游：吸纳阿里、腾讯等头部客户

• 生态合作：积极与半导体存储设计企业、EDA厂商、材料厂商、设备及零部件厂商、存储模组厂商等紧密合作

十、发展历程

十一、行业发展

（一）市场规模与增长趋势

全球DRAM市场正处于快速增长期。根据Omdia研究数据，全球DRAM市场有望在2030年增至5,710亿美元，2025-2030年年均复合增长率达30.56%。当前处于DDR4/LPDDR4向DDR5/LPDDR5迭代阶段。

AI算力是驱动本轮DRAM需求增长的核心动力。单台AI服务器对DRAM的需求量是传统服务器的8至10倍。同时，海外存储大厂转产高附加值HBM，单颗HBM芯片消耗的底层DRAM晶圆产能相当于3至4颗标准DDR5芯片，通用DRAM供给持续受压。供需格局收紧带动存储产品价格显著上行，据Trend Force数据，2026年第一季度常规DRAM合约价环比涨幅达90%至95%，涨价周期或延续至2027年。

（二）竞争格局

全球DRAM市场由三星电子、SK海力士和美光科技三家垄断，合计占全球90%以上份额。长鑫科技的崛起正在打破这一格局，推动全球存储产业进入中外企业共存竞争的多元模式。国内DRAM自给率仍然偏低（仅约15%），国产替代空间巨大。

（三）挑战与风险

1. 技术与产能差距：长鑫科技在HBM等先进制程产品上与国际水准相比还有明显代差

2. 行业周期性：存储行业具有典型的周期性特征，易出现“涨价-盈利-扩产-过剩-跌价”的经典循环

3. 全球扩产压力：三星、SK海力士、美光等均在积极扩产

4. AI需求不确定性：若人工智能对DRAM需求不及预期，叠加新产能释放，可能导致供过于求

（四）前景展望

长鑫科技正处于国产替代、AI算力扩张与存储周期上行三重共振阶段。机构预测公司2026-2028年营业收入将分别达到2,776.90亿元、3,917.94亿元、5,726.94亿元。随着DDR5等高代际产品持续放量、产品结构不断优化及规模效应逐步释放，未来业绩增长空间有望进一步打开。

十二、企业类型归类

十三、景气度周期分析

（一）当前周期位置：强景气上行期

2025年下半年以来，受AI发展带来的DRAM需求增长、全球主要厂商产能调配等因素影响，全球DRAM产品供不应求，带动DRAM产品价格上涨。2026年第一季度常规DRAM合约价环比涨幅达90%至95%。长鑫科技2025年实现扭亏为盈，2026年第一季度实现营收508亿元，同比增长719%。

（二）周期驱动因素

• AI算力需求爆发：AI服务器对DRAM需求量为传统服务器8-10倍

• HBM产能挤占：大厂转产HBM导致通用DRAM供给收缩

• 国产替代加速：国内DRAM自给率仅15%，替代空间巨大

（三）周期风险提示

存储行业具有典型的周期性特征。当前全球主要DRAM厂商均在积极扩产。若后续AI对DRAM需求不及预期，叠加新产能释放，可能导致供过于求，行业可能进入下行周期。但长期来看，数字经济浪潮下数据处理量指数级增长，DRAM作为现代信息技术的重要基石，需求长期增长确定性较强。

半导体上市企业总结——长鑫科技（688825）

重点产品知识科普——DRAM（动态随机存取存储器）

什么是DRAM？

DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）是计算机和电子设备中最主要的内存芯片类型。它的核心特点是需要不断刷新以保持存储的数据——因为存储信息的电容会随时间缓慢放电，所以需要周期性地“刷新”电荷，这也是“动态”二字的由来。

DRAM在电子设备中的角色

如果把CPU比作计算机的“大脑”，那么DRAM就是“短期记忆”或“工作台”。当您打开一个应用程序、加载一个网页或运行一款游戏时，数据会从硬盘（长期存储）调入DRAM（短期存储），供CPU快速读取和处理。DRAM的速度比硬盘快成千上万倍，是决定电子设备运行流畅度的关键部件。

DDR与LPDDR的区别

长鑫科技的两大核心产品系列——DDR和LPDDR——分别对应不同的应用场景：

• DDR（Double Data Rate，双倍数据速率） ：主要用于服务器、个人电脑等设备。DDR5是当前最新一代，速率可达8000Mbps。

• LPDDR（Low Power DDR，低功耗双倍数据速率） ：主要用于智能手机、平板电脑、智能汽车等移动设备。LPDDR5/5X在保持高性能的同时大幅降低功耗，最高速率可达10667Mbps。

为什么DRAM如此重要？

DRAM是现代信息技术的核心基石。从您手中的智能手机，到云端的数据中心，再到智能汽车、人工智能训练，都离不开DRAM芯片。AI时代的到来更是将DRAM推向了战略高度——单台AI服务器对DRAM的需求量是传统服务器的8至10倍。

国产DRAM的突破意义

长期以来，全球DRAM市场被三星、SK海力士、美光三家海外巨头垄断，合计占据90%以上份额。长鑫科技实现了国产DRAM“从零到一”的突破，使中国成为全球第四个具备DRAM大规模量产能力的国家，对保障国家信息安全和产业链供应链安全具有重大战略意义。

声明：本文仅为半导体上市企业研究及行业观点分享，不构成任何投资建议。文中提及的市场数据和信息等均来自公开信息，不保证其准确性与时效性。股市有风险，投资需谨慎，请独立判断。

参考资料：

1. 长鑫科技招股说明书及上市公告书

2. 上海证券报·中国证券网相关报道

3. 证券时报·e公司相关报道

4. 东方财富网相关报道及数据

5. 同花顺财经公司资料页

6. 华西证券、华金证券研究报告

7. 百度百科相关词条

8. Omdia、Counterpoint等第三方机构市场数据