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半导体行业深度报告:功率密度跃升驱动800V DC架构升级,宽禁带功率器件打开成长空间-东吴证券
2026-07-25 21:48
半导体行业深度报告:功率密度跃升驱动800V DC架构升级,宽禁带功率器件打开成长空间-东吴证券
东吴证券 2026 年 7 月 22 日发布半导体行业深度报告,核心逻辑为 AI 机柜功率飙升推动数据中心供电向 800V DC 架构迭代,宽禁带 SiC、GaN 器件迎来增量。800V DC 可降低传输损耗、释放机柜算力空间,架构分四阶段落地(2026 - 远期 SST 形态),AC/DC 与 DC/DC 功能解耦形成分工:高压大功率 AC/DC 侧适配 SiC,高频板载 DC/DC 侧适配 GaN。各阶段分别在 PFC、LLC、高压 BBU、板载降压、MW 级整流、直流保护、SST 设备产生器件需求,并梳理 SiC/GaN 主流方案用量。

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