高纯钽金属研发及产业化项目面向高端芯片制备用溅射靶材等应用领域，实现钽粉、高纯钽材料等产品的规模化量产和国产化替代。本项目拟建设高纯钽粉生产线与高纯钽金属生产线，实现钽粉纯度达到 4N、高纯钽材料纯度达到 6N，高纯钽材料晶粒尺寸小于 100µm，产品指标达到国际领先水平。本项目包含两个子项目，分别为高纯钽粉扩能及新建钽铌合金产线项目、高纯钽材料研发及产业化项目。
超高纯钽金属：公司能够稳定量产 4N5-6N 超高纯钽，用于客户生产钽溅射靶材。超高纯钽作为超大规模集成电路制造中的铜互连阻挡层材料，凭借其高熔点、优异的热稳定性及与硅和铜的惰性兼容性，可有效阻隔铜原子向硅基底的扩散，是先进制程铜互连布线阻挡层的核心材料。
高纯钽制品及合金：公司生产的钽条及钽零件具有稳定性和均匀性高的特点，用于生产钽靶溅射过程中的配套产品钽环。公司研发的铌钨、钽钨合金产品具有良好的耐高温、防腐蚀等特性，已批量用于生产制造火箭发动机尾喷管、航空发动机部件等，已向蓝箭航天等商业航天头部企业实现批量供货，并于 2026 年被蓝箭航天评为“质量先进供应商”。
1、子项 1：高纯钽粉扩能及新建钽铌合金产线项目
（1）项目投资概算情况
本项目总投资 9,607.17 万元，设备投资 6,457.17万元，安装工程 950.00 万元， 研发投入 2,000.00 万元， 铺底资金 200.00 万元。
（2）项目实施进度安排
本项目实施周期为三年。
（3）项目涉及新取得土地或房产情况
本项目的实施主体为公司的全资子公司湖南同创，通过租赁厂房的方式实施，具体地址为湖南省益阳市赫山区衡龙工业园区文明路，公司已经签署房屋租赁协议。
（4）项目审批、核准或备案情况
本项目已取得益阳市赫山区发展和改革局出具的建设项目备案证明（益赫发改工76 号），项目代码为 2508-430903-04-01-461565，并取得了湖南省生态环境厅出具的《环境影响报告书批复》（湘环许决190 号）。
2、子项 2：高纯钽材料研发及产业化项目
（1）项目投资概算情况
本项目计划总投资金额为 35,805.00 万元，建设工程费 7,200.00万元， 设备及硬件投资 21,015.00万元， 设备安装调试费用 300.00 万元， 其他辅助设施 300.00 万元， 研发投入 3,500.00 万元，建设期利息 490.00 万元，铺底流动资金 3,000.00 万元。
（2）项目实施进度安排
本项目实施周期为三年。
（3）项目涉及新取得土地或房产情况
本项目的实施主体为公司的全资子公司丽水同创，项目选址位于浙江省丽水市南城遂松路与水腊公路交叉口西南侧，目前公司已与政府部门签订土地出让合同并缴纳土地出让金，目前相关权属证书正在办理中，预计不存在实质障碍。
（4）项目审批、核准或备案情况
本项目已取得丽水经济技术开发区发展和改革局出具的《浙江省企业投资项目备案（赋码）信息表》，项目代码为 2511-331151-04-01-883526，并取得了丽水市生态环境局出具的《环境影响报告表审查意见》（丽环建开17 号）。
3、可行性分析
（1）广阔的市场需求为本项目的产能消化提供保障
在科技飞速发展的当下，高端芯片在人工智能、5G 通信、新能源汽车、航空航天等众多关键领域的应用日益广泛且深入，对芯片性能的要求也不断提升。
溅射靶材作为制备高端芯片的关键材料之一，其质量直接影响芯片的性能和稳定性。而高纯钽金属凭借其优异的物理和化学性质，如高熔点、良好的导电性、耐腐蚀性等，成为高端芯片制备用溅射靶材的理想材料，在芯片制造过程中的需求持续攀升。同时在当前的国际形势下，保障高端芯片产业链的安全稳定至关重要，国产替代已成为必然趋势。
国内芯片制造企业为降低对进口材料的依赖，积极寻求国产高纯钽金属溅射靶材供应商，这为本项目实现规模化量产后的产品提供了广阔的国内市场。此外，随着国内高纯钽金属产品质量的不断提升和品牌影响力的逐步扩大，也将有机会参与国际市场竞争，进一步拓展海外市场。因此，广阔且持续增长的下游应用市场需求，为项目实施后新增产能的消化提供了坚实保障。
（2）丰富的技术积累为本项目的建设奠定基础
公司长期专注于钽金属相关领域的技术研发与创新，在钽粉冶炼技术和高纯钽材料制备技术方面积累了丰富的经验和深厚的技术底蕴。截至 2025 年 12 月31 日，公司共拥有 28 项已授权发明专利、55 项实用新型和 11 项软件著作权。
公司拥有一支由行业资深专家和优秀科研人员组成的专业研发团队，团队成员在钽金属材料领域拥有多年的研究和实践经验，具备较强的技术创新能力和问题解决能力。在钽粉冶炼技术方面，公司通过不断优化工艺参数和改进设备性能，成功掌握了先进的钽粉冶炼工艺，能够实现高纯度、均匀粒度分布的钽粉生产。该工艺有效提高了钽粉的纯度和质量稳定性，为后续超高纯钽材料的制备奠定了坚实基础。
公司经过多年的研发投入和技术攻关，突破了一系列技术难题，研发出一套具有自主知识产权的超高纯钽金属材料制备工艺。该工艺采用先进的提纯技术和精密的控制手段，能够精确控制钽材料的纯度和微观结构，生产出满足高端芯片制备用溅射靶材要求的超高纯钽材料。同时，公司注重生产工艺的持续优化和改进，通过引入先进的生产设备和自动化控制系统，实现了生产过程的精准控制和高效运行，有效提高了产品质量和生产效率。
综上，丰富的技术积累为项目的顺利实施提供了强有力的技术支撑，确保项目能够生产出高质量、高性能的高纯钽金属产品，满足市场需求。
4、行业竞争情况及公司在行业中的竞争地位
超高纯金属材料重点面向先进制程半导体制造，对杂质控制、批次稳定性、溯源体系及客户认证周期要求较高，行业整体呈现技术与客户双重壁垒。海外企业在高端金属提纯、薄膜材料体系和全球头部客户认证方面积累较深，在铜锰合金靶材等关键品类长期占据较强影响力；近年来受半导体集成电路、新能源汽车、航空航天等产业快速发展和国产替代需求的驱动，以公司为代表的国内企业研发和生产能力不断提升，加快产业化与认证导入，竞争能力持续增强。
公司主要产品均面向国外巨头直接竞争，并逐步提升市场地位和份额。根据弗若斯特沙利文的报告，公司在超高纯钽材料领域处于全球第一梯队，全球市占率超过 30%，在超高纯铜材料和超高纯铝材料领域处于国内第一梯队，在国内市场的占有率分别约为 24%和 27%。于超高纯钽领域，日本 JX 金属、美国 Materion 和公司为行业主要参与者，公司是国内唯一具备 12 寸超高纯钽靶坯供应能力的企业。
在公司突破超高纯钽材料产业化之前，美国和日本长期垄断了国内超大规模集成电路溅射靶材的原材料供应，国内集成电路芯片制造产业面临供应链安全的重大挑战。公司作为国内超高纯钽材料的主要生产商，有力支撑了中芯国际、上海华力、晶圆厂二、晶圆厂三等中国核心芯片厂的业务安全和发展。
于超高纯铝领域，挪威海德鲁、日本住友化学和公司为行业主要参与者，公司突破了超高纯铝制备及合金化的核心技术，是国内极少具备 6N 超高纯铝材料稳定量产能力的企业。于超高纯铜领域，日本 JX 金属、美国 Solstice（霍尼韦尔）、公司及有研新材子公司有研亿金为行业主要参与者，公司突破了超高纯铜制备及合金化的核心技术，是国内极少具备7N 超高纯铜材料稳定量产能力的企业。
于超高纯锰领域，日本朝日金属和公司为行业主要参与者，公司是全球唯二具备超高纯锰量产制备能力的供应商，打破了国外企业的垄断格局，有效保障了我国超大规模集成电路产业链的安全。
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