Q：对于一个三英寸的磷化铟衬底，经过外延、抛光和切割等工序后，最终能够产出多少颗有效的100GEML芯片?相应的，两英寸衬底的产出情况如何?

A：以100GEML芯片为例，一片三英寸的磷化铟衬底，理论上可以切割出约14,000颗芯片。在考虑到综合良率后，实际有效产出大约在4,300颗左右。对于两英寸的衬底，其理论切割数量约为7,000颗，在相似的良率水平下，实际产出约为2,100颗。

Q：目前公司采购的磷化铟衬底主要来自哪些供应商?不同供应商提供的三英寸衬底在切割100GEML芯片时的产出是否存在显著差异?

A：公司的衬底主要从三家供应商采购，分别是云南锗业、北京通美和珠海鼎泰芯源（上市公司博杰股份参股25%）。就三英寸衬底而言，尽管来自不同供应商，但在尺寸规格一致的前提下，用于切割100GEML芯片的产出数量上没有显著差异。

Q：2026年磷化铟衬底行业的总供给产能大概是多少?主要供应商各自的产能规模是怎样的?

A：根据行业内部信息，以折合成两英寸衬底计算，主要供应商2026年的产能规模大致如下：北京通美的产能在50至60万片；另一家主要厂商的产能也在50至60万片左右；博杰股份的产能约为30万片；云南锗业的产能则在20万片左右。这些产能数据是总产能，包含了用于光通信以及其他应用领域的产品。

Q：目前在光模块和NPO应用中，主流的CW激光器功率规格是多少?

A：当前主流的CW激光器功率规格是100毫瓦。对于NPO应用，主要使用的是150毫瓦和200毫瓦的规格。

Q：对于不同功率的芯片，例如70mW和150mW,其diesize与磷化铟衬底的消耗面积是否成正比?以一片两寸晶圆为例，切割70mW芯片的理论值与实际产出分别是多少?

A：芯片的diesize与衬底消耗面积基本成正比。以一片两寸晶圆为例，切割70mW芯片的理论切割数是4,500颗，但考虑到良率，实际产出大约在1,600颗左右。对于100mW的芯片，实际产出约为700颗。更高功率的150mW芯片，实际产出将低于800颗，但目前尚无具体数据。

Q：基于当前市场情况，大功率300mW芯片的应用场景和出货量如何?其对晶圆的消耗情况是怎样的?

A：目前300mW芯片主要由国外厂商进行小批量生产和出货，主要应用于CPO领域，但2026年整体出货量非常少。这种大功率芯片对晶圆的消耗极大，一片两寸晶圆仅能产出约一百几十颗300mW芯片。

Q：假设2026年磷化铟衬底总产能为150万片，考虑到衬底本身存在30%的退回率，以及EML和CW芯片不同的切割数量，最终能支持生产多少只高速光模块?这个测算结果与当前市场供不应求的状况是否存在矛盾?

A：磷化铟衬底在上线前需进行100%检测，其中约30%会因外观、厚度均匀性等问题被退回，这些退回的衬底基本作报废处理。基于此，150万片衬底的有效供应量约为105万片。若假设其中40万片用于生产EML芯片(每片产出2000颗),60万片用于生产CW芯片(每片产出1,600颗),则可分别产出8亿颗EML芯片和约9.6亿颗CW芯片。这大约能对应1亿只EML光模块(假设8颗芯片封装一个模块)和3.2亿只硅光模块(假设平均1颗CW芯片驱动3个通道),合计总产出能力约为4.2亿只高速光模块。这一测算结果远超2026年全球高速光模块约1亿只的需求预期，与市场实际存在的缺货和涨价现象存在显著矛盾。

Q：考虑到测算出的潜在光模块供应量远大于市场需求，而现实中市场却供应紧张，这其中的关键瓶颈或未被充分考虑的因素是什么?

A：这种供需测算与市场现状的差异，关键在于芯片制造环节的良率。目前国内厂商中，源杰半导体的良率相对较好，其他厂商的良率则更低，但理论上的供给量依然远大于需求，这表明可能还存在其他未被充分考虑的环节导致了供应紧张。不过，关于供需缺口的深度分析尚未进行。

Q：关于3英寸磷化铟衬底片的价格，2026年下半年的价格趋势如何?

A：预计2026年下半年3英寸磷化铟衬底片的价格可能还会有10%至15%的涨幅，至少会有一次价格上调。回顾来看，2026年上半年价格已经上调了两次，第一次涨幅不到10%,第二次约为10%。价格的大幅上涨主要发生在2025年年底，当时由于主要供应商限制对中国出口，导致价格上涨较多。

Q：中国近期放开磷化铟向海外销售，这一政策变化预计将对市场价格产生何种影响?

A：尽管中国放开了磷化铟的海外销售，但预计市场价格不会因此出现大幅下调。目前整个市场的供应仍然比较紧张，根据分析，下半年可能还会有一次涨价。

Q：在外延生长环节，良率的统计口径是怎样的?是否存在未被计入良率计算的损失?

A：在外延生长环节，良率的计算方式存在特定的统计口径。例如，在进行十炉外延生长时，可能会有一两炉直接报废，这种整炉报废的情况并不会被计入良率的统计中，而是直接计入成本。良率统计中的损失，主要指的是外延生长完成后，在后续测试环节中发现的不良品。因此，如果将在生长过程中直接产生的废片也考虑在内，实际的良率会失真，低于账面统计数据。关于整炉报废的具体数据，目前统计不多。

Q：在外延生长环节，停电或闪电等电力问题是否是导致整炉产品报废的普遍现象?其发生的频率和对良率的具体影响是怎样的?

A：停电或闪电等电力问题确实会导致整炉产品报废，这在行业内是普遍情况。即使配备了双路供电，当主供电线路发生故障并自动切换至备用线路时，这种瞬间的电力中断也会对MOCVD设备内正在进行的生长过程产生影响，导致该炉次的所有产品报废。就公司鹤壁工厂的情况而言，这类事件一年大约会发生三到四次，每次造成几十片晶圆的损失。

Q：光芯片衬底的采购周期是多久?价格是否会随之调整?

A：公司通常每三个月采购一次衬底，以维持安全库存水平。因此，采购价格会根据每个季度的实际情况与供应商进行重新商议和调整。

Q：公司是否有关于2027年产能的明确规划?近期的设备采购计划是怎样的?

A：目前尚未制定2027年的具体产能规划，但已有初步的设备扩张计划。预计今年(2026年)七八月份会到货一台设备，明年(2027年)一月份会再到货一台。此外，近期计划再订购四台设备。

Q：从生产环节的实际体验来看，国产衬底与日本、通美等海外供应商的衬底在质量和使用上有何区别?

A：从生产角度看，国产衬底与海外供应商的衬底存在明显差异。首先，在来料检验阶段，公司会对衬底的平整度(行业内称“翘曲度”)进行全检。国产衬底的来料不良率约为20%至30%,而之前使用的海外衬底该比例约为10%,不合格品会直接退回供应商。其次，即使是通过了来料检验的衬底，在投入生产后，使用国产衬底的整体良率仍会比使用海外衬底低6%至7%左右。被退回的衬底无法通过再次抛光修复，因为这会导致其厚度不达标。

Q：国产衬底与海外衬底的报价差异大约是多少?

A：国产衬底的价格通常比海外产品便宜约10%至15%。

Q：对于200GEML和100GEML芯片，在不同尺寸的晶圆上，单片可切割出的Die数量分别是多少?

A：在2英寸晶圆上，一片可以切割出约900颗200G EML芯片，而100G EML芯片则可以切割出2000多颗。在3英寸晶圆上，一片大约可以切割出1,900颗200G EML芯片。