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磷化铟(InP)产业链简版研究报告
2026-07-02 17:50
磷化铟(InP)产业链简版研究报告

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AI光互联核心基底材料,供需缺口超70%,行业迎来集体扩产周期

一、核心概况

磷化铟是 AI高速光模块、CPO、6G毫米波射频、1550nm激光雷达的核心基底材料,当前行业供需严重失衡

2026年关键数据

  • 全球2英寸当量需求:260-300万片

  • 有效产能仅:75万片

  • 供需缺口:超70%

  • 2英寸衬底价格涨幅(较2025年初):200%-250%

  • 6英寸单价:突破5000美元

行业迎来集体扩产周期,海外巨头加码、国内企业加速国产替代,跨界资本同步入场。

产业链三层结构

层级
覆盖领域
关键看点
上游
铟、高纯红磷
我国铟储量全球占比超70%
中游
InP衬底、外延片、EML/DFB光芯片、射频器件
6英寸晶圆
是下一代主流路线
下游
800G/1.6T/3.2T光模块、CPO、6G基站、AI智算集群、低轨卫星通信
1.6T光模块InP用量为800G的2.7-3倍

对比硅、砷化镓,InP具备高电子迁移率、适配1310/1550nm通信波段,是高速光互联不可替代材料

二、海内外企业扩产布局

? 海外厂商

公司
扩产计划
Coherent
四倍扩产计划,2026年底产能翻倍、2027年再翻番,落地全球首条6英寸InP产线,获英伟达20亿美元投资
Lumentum
聚焦EML芯片,2026年产能提升50%,订单排至2028年
AXT(北京通美)
衬底产能2027年底扩至原先4倍
住友电工
衬底龙头,受铟原料进口限制暂无大规模扩产

?? 国内企业

衬底端

  • 云南锗业:A股龙头,1.89亿扩产30万片产能,2027年总产能目标100万片,华为哈勃持股锁定长期订单

  • 有研新材:2.82亿元扩产,2026年底总产能达40万片

  • 鼎泰芯源、先导微电子:稳步扩产

外延与IDM平台

  • 三安光电:65亿定增布局InP,6英寸外延月产目标8000片,400G EML批量出货、1.6T产品送样

  • 源杰科技、长光华芯:主攻高速光芯片,大幅提升100G/200G EML产能,切入海外算力客户供应链

跨界入局:中铝集团、宿迁联盛布局衬底研发与量产

三、供需与价格走势预测

供需缺口时间线

年份
供需状况
2025-2028
缺口持续存在
2026
紧张峰值,即便扩产落地,全年缺口仍超70%
2027-2028
新增产能逐步释放,缺口依旧维持65%以上

价格预测:2026年底6英寸衬底有望达到 6000-8000美元/片

需求端三大增长引擎

  1. AI算力集群:单台AI服务器InP激光器用量是普通服务器10倍以上

  2. CPO共封装光学:普及将大幅提升单片设备光源需求

  3. 6G毫米波基站与低轨卫星:单6G基站InP射频用量为5G的12倍

四、竞争格局与国产替代

全球衬底市场高度集中,住友电工、AXT合计市占率超75%,国内云南锗业市占仅5%-8%,国产替代空间巨大

指标
当前(2026)
2030年目标
2-4英寸衬底国产化率
30%-40%
6英寸衬底国产化率
不足5%
30%-40%
200G以上高速EML芯片国产化率
20%-30%

五、核心风险

风险类别
具体内容
供给端
6英寸良率爬坡慢、MOCVD设备海外管制、高纯磷原料进口依赖、铟价波动
需求端
硅光、薄膜铌酸锂技术分流风险;AI资本开支周期波动
地缘层面
铟出口管制、海外半导体限制抬高供应链成本
行业层面
扩产周期长达18个月以上;跨界企业缺乏核心工艺,存在产能虚增、长期产能过剩隐患

? 跟踪指标:衬底良率、头部客户批量订单、6英寸产线落地进度

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