营收414.6亿美元，同比增长346%，环比增长74%，远超市场一致预期的354.3亿美元；预计FY26Q4营收500亿美元，同比增长342%，环比增长21%； GAAP毛利率84.6%，同比提升46.9个百分点，环比提升10.2个百分点；预计FY26Q4毛利率86%，环比提升1.4个百分点；
GAAP净利润282.4亿美元，同比增长1398%，环比增长75%，远超市场一致预期的236.6亿美元；NonGAAP净利润288.6亿美元，同比增长1223%，环比增长106%，远超市场一致预期的234.2亿美元；预计FY26Q4 GAAP净利润351.9亿美元，同比增长999%，环比增长25%，NonGAAP净利润355亿美元，同比增长923%，环比增长23%；
最新净资产1007.2亿美元；从2026年12月9日，也就是CHIPS协议最终签署两周年之日起，计划增加资本回报；随着时间推移预计将把100%的超额现金返还给股东；
分市场：
以云计算客户DRAM、整体数据中心HBM为代表的CMBU业务营收137.7亿美元，同比增长307%，环比增长78%，经营利润率78%，环比提升12个百分点。
以OEM客户数据中心DRAM、整体数据中心NAND为代表的CDBU业务营收115.2亿美元，同比增长653%，环比增长103%，经营利润率83%，环比提升16个百分点。
以手机/PC DRAM、NAND为代表的MCBU业务营收115.2亿美元，同比增长254%，环比增长49%，经营利润率86%，环比提升10个百分点，连续2个季度领先数据中心业务利润率。
以汽车/工业/消费DRAM、NAND为代表的AEBU业务营收46.3亿美元，同比增长311%，环比增长71%，经营利润率75%，环比提升13个百分点。
这里值得注意的是，非数据中心敞口（手机、PC、工业、汽车）营收合计占比39%，经营利润占比40%，这部分是纯靠涨价拉动，而非需求，属于周期拐点最先被冲击的业务。
本季度数据中心营收超250亿美元，年化run-rate营收超1000亿美元；数据中心SSD营收超50亿美元，环比增长超一倍；预计2026年服务器出货同比增长high-teens%（上调），传统服务器增长mid-teens%，AI服务器增长更强，但平均服务器DRAM容量略有下降（下调）；在 NAND方面，AI context memory storage和HDD替代机会正在扩大SSD的TAM；
目前非HBM的利润率高于HBM利润率；采用1-beta DRAM工艺的HBM4 12-High的量产爬坡速度是HBM3E 12-High的两倍，目前已出货超10亿美元的HBM4收入（与三星一致）；将HBM份额目标设定为接近DRAM份额不变，采用1-gamma DRAM工艺的HBM4E预计将在2027年量产；
尽管PC和智能手机行业出货量下降，但存储营收反而预计将增长，反映出高端设备在各终端设备类别中以更高价格维持韧性需求；预计端侧AI的价值叠加被压抑的换机需求，将推动PC和智能手机中的存储需求增长； 在汽车领域ADAS仍是存储容量增长的驱动因素；今年L2+及以上车辆占比将增长一倍以上，超过20%，并预计到2030年超过40%，L2+及以上车辆其存储和存储器件内容量超过平均车辆的5倍；人形机器人所携带的存储量是平均L2+车辆的10倍，预计一个持续、重大、跨越数十年的存储需求周期将在本十年后期开始；
预计2026年美光DRAM bit出货同比增长low to mid-20%s（上调），NAND bit出货同比增长20%（不变）；
预计DRAM、NAND供不应求持续至2027年以后（上调），2028年开始逐步缓解；预计2026年NAND产能增长主要靠G9 QLC节点，以及在新加坡新建NAND Fab，预计2028年下半年量产（不变）；DRAM产能增长主要靠扩产：力积电Fab交割后扩建支持EUV设备的洁净室，预计2027年年中开始大量出货（提前一个季度）；爱达荷ID1预计2027年年中DRAM量产（不变），ID2预计2028年末量产（新增）；纽约州首个Fab集群1月已动工；日本Fab扩建洁净室进展顺利；新加坡HBM先进封装厂预计在2027年上半年释放HBM产能（提前）；可以看到2027年将迎来众多DRAM/HBM产能释放，但NAND新增产能并不多；
预计FY26Q4 capex约为100亿美元，FY27 capex超400亿美元（上调），其中FY27同比增加部分的一半以上来自建设洁净室产能；与ASML签署了一项多年EUV供给协议，以支持在1-delta节点及未来几代产品中提高EUV采用率；capex也都主要集中在新建DRAM/HBM产能； 目前已签署16份战略客户协议SCA（上季度仅一份），包含数据中心、消费和汽车市场客户（4个超大客户+3个中等客户+一些汽车小客户）；通常而言这些协议期限为5年，从2026日历年持续到2030日历年末，汽车相关协议通常期限为3年；这16份已签署协议大约覆盖这一期间美光20%的DRAM出货量和1/3的NAND出货量；这些SCA采用take-or-pay结构，客户承诺在多年期限内购买特定数量的产品，并且具有具有约束力的承诺，大协议对现有产品设有价格上限，价格上限为当前2026日历年第二季度市场价格，同时在协议期限内设有价格下限；已签署的16份SCA中14份按最低价格计算RPO约1000亿美元（本季度RPO超50亿美元），其中预计将收到220亿美元现金保证金及相关财务承诺（本季度收到4亿美元，下季度会收到100亿美元）；未来公司收入中约40%会来自固定价格或带有接近当前高价上限的SCA协议；即使在价格下限，预计毛利率将显著高于过去峰值毛利率（61%）；
本季度DIO 120天，环比下降3天，其中DRAM DIO低于120天；下季度毛利率展望反映出价格上涨速度将明显放缓；
管理层给出超预期的capex以及新建产能进展的超预期，开始令市场担忧拐点的问题。市场包括存储厂自己也都深知周期终究是周期，拐点终究会到来，去纠结PE估值已经没有意义。目前DRAM、NAND产能集中释放的节点主要在2027年下半年，但就怕市场开始提前博弈。
崔彤，公众号：Eric有话说美光FY26Q2财报一览：营收、利润炸裂，capex激增引发市场博弈周期拐点
DRAM扩产产能过多且明牌在2027年集中释放，NAND扩产产能不多且产能释放时间表模糊可能在2028年之后； 美光这次长协中NAND占比高于DRAM（33% vs 20%）； HBM反而成为最拖累毛利率的业务（价格早已锁定，良率低、挤占现在更值钱的“垃圾”DRAM产能过多），尤其是对HBM市场份额最高的SK海力士来说，反而NAND占比高的（闪迪、铠侠、三星、长存）业绩弹性会更大，本季度美光的NAND bit与ASP环比增速已经很说明问题； 被HBM严重“绑架”的SK海力士昨日被媒体报道有望自2018年以来首次对NAND扩产；