供需共振，存储市场实现跨越式增长。自2024年生成式AI爆发以来，AI服务器对HBM（高带宽内存）、DDR5及高容量NAND的需求呈现指数级与结构性缺口。经历行业过往巨亏后，海外存储原厂自2023年起陆续减产，随着减产效应的深化以及AI推理需求的加速拉升，25年下半年全球存储行业进入供不应求的加速爆发期：根据IDC数据，全球DRAM营收在2025年突破1500亿美元后，预计26年市场有望增至5607亿美元以上，同比增长272%；NAND营收也有望从2025年的671亿美元增至2026年的2890亿美元，同比增长331%；预计2Q26后虽然环比增速有所放缓，但在AI应用持续深化与海外原厂保持谨慎扩产的双重共振下，存储价格有望维持高位。
AI需求重塑存储新范式，存储已不再是单纯的算力配套资源，而是成为了决定AI系统整体性能与上限的核心基础设施。服务器逐步超越手机成为存储需求最主要的市场，2026年服务器DRAM占比预计将超过50%，服务器NANDBit需求预计大增超60%并首次成为最大应用；其次，为了打破AI海量数据与有限显存之间的“内存墙”，一方面企业级SSD加速对传统机械硬盘的加速替代，同时催生出高带宽闪存（HBF）充当GPU的“高速硬缓存层”；另一方面，DRAM技术中长期向3DDRAM架构演进以满足快速提升的存储需求。
国产存储迎产业升级期。海外巨头将资本开支与有限的晶圆产能全力向HBM、DDR5以及AI企业级SSD等高附加值领域倾斜，战略性退出传统存量市场，这为国产存储产业链打开导入“窗口期”。在2DNAND与传统DDR4利基市场，国产存储厂商有望填补需求缺口。此外，国内存储原厂与模组厂迎来“市占率提升与利润释放”的进阶期：1Q26长江存储在NAND全球市占率升至6.8%，长鑫存储在DRAM全球市占率升至7.5%；国内模组厂商则通过进入中高端手机、企业级等市场实现规模跃升，进入“规模增长-客户加速导入-产品结构升级”的正向循环。独立第三方主控芯片厂商有望随国产原厂与模组厂增长同步扩张。
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（报告来源：国信证券。本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
