人工智能算力基础设施的持续扩张，正为全球存储芯片市场注入强劲增长动能。在AI对高性能内存需求的强力拉动下，头部存储厂商迎来了业绩爆发的黄金窗口。近期，美光科技最新财报再次释放出积极信号。

美光科技2026财年第三季度（今年3—5月）财报显示，公司业绩实现跨越式增长，核心驱动力来自人工智能需求推动的存储芯片市场繁荣。当季营收达到414.6亿美元，同比大幅增长346%，环比增长74%，远超市场预期；GAAP净利润282.4亿美元，同比激增1398%，Non-GAAP每股收益25.11美元，同比提升1215%。盈利能力同样创下历史纪录，GAAP毛利率84.6%，Non-GAAP毛利率84.9%，较去年同期提升近50个百分点。

从业务部门看，数据中心业务营收115.2亿美元，同比暴增653%，成为增长最快的板块，主要受AI服务器对HBM和数据中心固态硬盘（SSD）需求的强力拉动；云存储营收137.7亿美元，同比增长306%；移动与客户端营收115.2亿美元，同比增长254%；汽车与嵌入式营收46.3亿美元，同比增长311%，汽车电子化与工业自动化趋势持续贡献增量。

产品技术方面，美光HBM4产品已累计创造超10亿美元收入，12层产品量产爬坡速度达到上一代HBM3E的两倍，并预计2027年HBM4E将进入量产。下一代DRAM与NAND节点研发进展顺利，计划于2027年下半年开始量产。

展望第四财季，美光预计营收约500亿美元，毛利率约86%，每股收益约31美元，均高于市场预期；资本支出方面，第四财季预计约100亿美元，2026财年全年约270亿美元，2027财年各季度的资本支出均将高于2026财年第四财季水平。

美光科技判断存储芯片供应紧张局面将持续至2027年之后，尽管2028年行业供应可能逐步改善，但供需平衡的具体时间仍存在不确定性。战略层面，美光已与数据中心运营商、汽车制造商等客户签署16项长期协议，锁定未来三至五年销售，预计公司收入中约一半或更多将来自这些协议，目前已收到现金保证金及相关财务承诺共计220亿美元。

除了美光以外，三星电子与SK海力士也在HBM赛道上加速发力——三星以HBM4的快速放量抢占市场份额，SK海力士则率先跨入HBM4E样品送样阶段，存储巨头从产能分配到技术代际的全面竞赛，似乎预示着HBM产业正从“先发优势”的较量升级为“迭代速度”的比拼。

在HBM赛道上，三星电子正全力追赶并扩大先发优势。自2026年2月实现HBM4量产出货以来，仅4个月销售额即突破10亿美元，预计全年销售额可达100亿美元。三星已将约半数HBM产能转向HBM4，计划下半年进一步扩大供应，目标在2026年将HBM市场份额持续提升。其HBM4采用4nm工艺，数据传输速率达11.7Gbps，能效较上一代提升40%，已通过英伟达Vera Rubin平台、AMD MI450等客户认证，并与博通、谷歌、亚马逊等超大规模数据中心客户签订长期供货协议。

与此同时，SK海力士也在新一代产品上取得关键突破。2026年6月18日，SK海力士宣布，公司已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。此次新产品较上一代HBM4，性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。HBM4E通过新一代接口和设计优化，有效降低了数据传输延迟，即使在高带宽环境下也能保持稳定运行。

SK海力士预计，这将能进一步提升下一代AI数据中心和大规模计算系统的处理效率。公司在HBM4E产品中采用了先进（Advanced）MR-MUF工艺，通过12层堆叠实现48GB容量的同时，进一步提高了结构稳定性。与HBM4相比，其热阻降低了约17%，确保了在高性能计算环境中的稳定运行。

随着HBM技术竞速的不断升级，HBM已成为DRAM产业中增长最为迅猛的细分领域，其供需变化与价格走势也牵引出业界对整个DRAM产业格局的重新审视——在AI算力需求的结构性拉动下，DRAM市场的长期走向正成为产业链各方关注的焦点。

在2026年6月23日于深圳举办的“TSS2026集邦咨询半导体产业高层论坛”上，集邦咨询资深分析师王豫琪对DRAM及HBM供需进行了深度解读，为市场提供了关键研判。

王豫琪指出，服务器与AI应用的强劲需求持续排挤其他应用的供给空间，服务器相关DRAM与HBM预计至2028年将主导整体供给的近三分之二，成为市场绝对主轴。由于新增无尘室产能的推进速度跟不上需求成长，供给缺口预计将延续至2027年，市场要到2028年新产能陆续到位后才有望逐步走向均衡。

在供应商策略上，随着传统DRAM获利持续改善，供应商正积极推动HBM与传统DRAM在产能分配与利润率上的平衡，2027年HBM定价仍存在上行空间。

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