工业Si IGBT通常能扛10μs短路，SiC MOSFET却几乎没有或只有几μs的短路能力，这常被误读为SiC的"先天缺陷"，但细究起来，某些IGBT（比如为软开关设计的）也扛不住短路，而且SiC MOSFET通过元胞设计优化（会牺牲R_ON），也能把短路性能提到IGBT的水平。

考虑到SiC MOSFET目前的主流应用根本不要求短路能力（或只需几μs），这个"短板"其实影响不大。

不过得提醒一句：增强短路能力会严重拖累R_ON。所以要不要在数据手册里承诺短路耐量，得慎之又慎，如果真要写，则必须确保量产器件电性能要达标，英飞凌的做法是出厂前100%全检。

客户常问：器件能扛几次短路事件？这不好一概而论，因为实际短路条件（杂散电感等）千差万别，解决这个问题的唯一途径是靠供应商和客户一起case by case进行评估。

下面解释Si IGBT和SiC MOSFET在短路行为上的差异，先从短路破坏机理说起。

典型的短路事件是这样的：器件两端挂着全额的DC总线电压，同时流过由负载阻抗和半导体输出特性决定的电流，所以，高压和大电流同时叠加导致器件内部功耗和热应力都很大。热破坏是核心瓶颈，实际观察到金属层熔化是其中的一个失效模式，整个过程持续微秒级。

SiC还有一些其他发现：比如器件在成功扛过了短路事件之后，栅极却短路了。IGBT有时也会遇到类似情况（应力脉冲后漏电流太大，后续引发热失控）。但基于英飞凌对SiC器件的现有经验和认知，这类失效模式在SiC中可以排除。

还有一个关键发现：短路时，SiC芯片内部温度比Si IGBT高得多，温度分布也不一样。原因在于SiC的峰值电流更高，SiC MOSFET 的峰值电流可以达到器件额定电流的10倍左右，而IGBT受益于饱和效应，仅约4倍（见图32）。

为什么SiC峰值电流这么高？因为SiC MOSFET为了做低R_ON，采用了短沟道设计以及限制JFET 效应。虽然后期电流会降到安全关断水平（图32虚线），但此时整体温度仍在爬升。

SiC MOSFET的短路时间和功耗集中在2-3μs，这么短的时间里，来不及用上整个芯片的散热能力，热量几乎全集中在靠近芯片表面的极薄漂移区、隔离氧化层和顶层金属里。

图33对比了这种情况：高压Si器件 (IGBT) 的峰值温度波动较小，且位于器件主体中；SiC则完全相反，温度高得多，且"贴"在表面。因此失效模式不同，SiC MOSFET需要采取其他缓解措施来调整短路行为。

英飞凌CoolSiC^TM MOSFET产品目前标称3μs短路耐量，且封装级100%全检后出货。

降低SiC MOSFET短路峰值电流很重要，可以通过增强p-body区的JFET效应，或降低V_GS来实现，但所有这些都会牺牲R_ON。因此，必须深入理解系统需求和行为，才能在器件级措施和系统级创新之间找到平衡，既应对短路事件，又保持SiC在正常工况下的卓越性能。