半导体存储器市场正再次面临严重的短缺局面，主要原因是AI需求的激增，将大量产能吸引向HBM（高带宽存储器）、DRAM和NAND解决方案。设备制造商正经历交货周期延长、价格大幅上涨的困境。为了解市场真实状况以及MRAM的定位，MRAM-info专访了Everspin Technologies的Sean Dougherty。

Sean Dougherty是Everspin Technologies的全球销售副总裁，负责领导全球营收业务，涵盖产品销售、代工服务和战略合作。他主管Everspin全球销售和应用工程团队，协助客户将新一代MRAM器件应用于严苛的商业、工业、航空航天及其他高可靠性场景。

Q：当前存储器短缺问题再次成为焦点，尤其与AI需求密切相关。从您的角度看，市场现在到底在发生什么？

我们今天所看到的情况与上一次供应危机不同。在上一次短缺期间，许多半导体产品同时断供，大量客户的生产线直接停摆。而今天，大多数客户仍能获得供应，但交货周期大幅延长，价格显著上涨。在某些情况下，这些涨价幅度已使最终产品在商业上难以支撑。

AI正在吸引大量关注和产能，向HBM、DRAM和NAND领域倾斜。我们并不直接参与这些市场竞争，但波及效应已传导至相邻市场。客户已经开始提前规划2026年和2027年的供应保障——他们能否获得所需的供应承诺？这正是当前担忧情绪的根源所在。即便能够获得供货，价格的剧烈上涨也同样令人不安。

Q：许多供应商正将产能转向高利润存储器。这对仍然依赖NOR闪存及其他传统非易失性存储器的客户意味着什么？

这带来了不确定性。这些产品生命周期很长，客户不会每年都重新设计产品。如果供应商开始将产能转向盈利更高的领域，这些客户就会开始质疑：他们的器件还是不是优先级。我们听到的情况不是供应已经断掉，而是大家对供应趋势和价格影响感到不安。

Q：您是否看到更多客户开始积极考虑第二来源？是什么在推动这一讨论？

是的。他们已经经历过一轮供应周期，现在又看到市场因AI而再次变化。如果没有第二来源，或者第二来源变得不可靠，你就暴露在风险中。因此，客户现在更早地开始行动，确保自己有备选方案，而不是等到问题出现再做应对。

Q：在当前环境下，MRAM作为第二来源的实际可行性如何？是需要全面重新设计，还是在某些情况下可以更直接地替换？

我们并不是试图取代一切。目前MRAM的定位集中在NOR闪存类应用。在许多情况下，我们的STT（自旋转移力矩）器件与现有NOR器件在引脚和协议上兼容，因此客户评估我们并不需要完全重新设计。当然这也不是说不用做任何调整——客户仍然需要进行验证，但在合适的应用中，这是一条可行的路径。

Q：当客户开始评估MRAM时，与他们目前使用的存储器相比，哪些特性最为突出？

写入性能通常是最先被提及的。NOR的读取没问题，但写入速度较慢，而且你必须管理存储器使用方式。MRAM改变了这一点。其次是耐久性（Endurance）和数据保持能力（Retention） 。你不再面临同样的写入限制，这极大简化了需要频繁更新数据的系统设计。