SiC MOSFET凭借优异的性能优势，已成为电力电子领域的核心器件，备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构，SiC功率器件的长期可靠性，始终是研发工程师重点关注的核心问题。

问题包括但不限于：

• 栅氧缺陷多，早期失效风险高

• 长期工作中的阈值电压漂移问题（BTI/GSI）

• 宇宙射线引发单粒子烧毁

• 短路/雪崩耐受弱

• 体二极管存在双极退化

为此，英飞凌重磅发布全新升级版SiC可靠性白皮书，全文近4万字，系统性梳理SiC MOSFET可靠性的核心要点和应对之策。内容全面解析SiC器件独有失效机制，详解标准化测试验证流程，从技术层面筑牢产品长期运行稳定性。

同时，白皮书深度剖析多项核心技术难题，涵盖各种工况下栅极氧化层可靠性、动态负荷应力影响、抗辐射性能、湿度诱发失效机理等关键议题，为器件选型、产品设计与工况应用提供权威技术参考。

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