1. 市场价格与供需格局

• Q2合约价
  已确定为临时价格，大概率不再补调，定价稳定性提升。
• Q3价格涨幅收窄
• 服务器DRAM
  涨幅约20%（需求强劲）。
• NAND闪存
  涨幅约30%（汽车、工业需求支撑）。
• 手机DRAM
  涨幅回落至10%-15%（终端需求疲软拖累）。

2. 供给端结构性调整

• 产能优化
• 三星计划2026年Q3关停全部2D NAND产能，转向DRAM封装；铠侠、美光削减SLC/MLC老旧产能。
• 全球原厂产能向汽车、工业存储倾斜，手机业务供给收缩。
• 国产替代加速
• 国内厂商月产能从2025年的250K逐步提升至2028年的400K，服务器领域份额显著增长。
• 海外CSP客户因安全审查限制，暂不采用国内厂商产品。

3. 长协模式变革与HBM格局迭代

• 长协协议
  头部原厂与北美四大CSP洽谈3-5年期长期供货协议，新增浮动价格、定金、违约赔付条款，2026年Q3为落地关键节点。
• HBM市场
• 当前仅三星高速产品完成验证，远期三年后海力士、三星各占40%，美光占20%。
• HBM协议价格维持高位，2027年可能大幅上涨。

4. 汽车与工业存储崛起

• 汽车存储增速达100%
  单车配置升级（如新能源车单机容量翻倍），成为原厂产能转移的核心增量赛道。
• 工业存储
  美光深耕工规产品，适配电表、自动化设备等场景。

5. 关键风险与机遇

• 风险
  三星罢工事件或冲击全球供给，但预计短期可控。
• 机遇
  AI算力、新能源车驱动高端存储需求，国产厂商在服务器领域份额持续提升。

总结

2026年存储行业呈现“高端分化、低端过剩”的格局，服务器与汽车存储需求强劲，手机市场承压。原厂通过产能结构调整和长协模式巩固竞争力，国产厂商在服务器领域加速突破，但高端技术代差仍需时间追赶。

?铠侠 callback takeaway?

LTA 节奏：2026 年仍按常规 / 软约束 LTA 推进（含约束承诺 + 季度谈判），多年期 LTA 从 2027 年起算，目前覆盖超大规模云、企业、智能机、PC 等全段客户，所有客户都希望签多年期。 

?LTA 时间表：多年期 LTA 需在 2026 年内最终敲定；公司位置较好，不急于签约，倾向于先确保更优谈判条件，客户侧更急。 

?资本开支：当前公开口径仍按 GB 基准 20% 年复合增长率扩张，自有空间可支撑产能至 2029 年；多年期 LTA 带来的可见度有助于后续资本开支规划，详细更新放在下周二投资者日。 

?美国上市：ADS 赴美上市的目的是与同行（美国上市的竞争对手）面对相同的投资者口径，是否首发 / 二次募集均未定，目前尚未启动 SEC 备案，目标挂牌时点在 2027 年 4 月以后。 

?DRAM 供应：公司已投资南亚科并签订多年期采购合同，DRAM 供应风险基本解决；南亚科并非最大供应商，公司同时与美光、SK 海力士、三星保持业务。 ?控制器：数据中心 / 企业级 SSD 控制器 100% 自研，消费端高端自研、部分非高端用第三方，量产产品基本自研。 

⚙️高端产品与 XL Flash：HBF 应用受限、研发周期长，当前不作为优先项；重点是基于 XL Flash 的超高 IOPS SSD，定位为 HBM 补充而非替代，计划 2026 年下半年送样，因 SLC 路线成本更高，定价预期显著高于 QLC，价格谈判尚未启动；另有基于 QLC 的 CM 系列已实现 245TB / 盘的业内最高容量并落地数据中心。 

?股东回报与现金状态：截至 5 月底已完全偿清银行贷款、进入净现金状态；分红 / 回购 / 股东回报政策及整体现金分配方案是下周投资者日的重要议题。