长鑫科技（科创板IPO申报中）

科创板首次公开发行股票招股说明书

深度解读报告

【（三）所属行业发展情况】DRAM行业全景分析

科创板申报稿|2026年5月

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? 报告摘要

本报告基于长鑫科技集团股份有限公司科创板首次公开发行股票招股说明书（申报稿）深度解读，聚焦以下核心内容：

1. 公司业务全景：IDM模式、产品矩阵、产能布局、技术路线

2. DRAM行业深度分析（招股书原文）：全球市场、竞争格局、技术演进、HBM赛道

3. 完整财务数据（2022-2025年经审计 + 2026年Q1/H1最新数据）

4. IPO募资计划：295亿元资金用途详解

5. 风险提示：核心风险事项

⚠️ 数据说明：2025年及以前年度财务数据为经审计实际数据；2026年数据为申报稿披露的实际数据或业绩预告。

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一、公司业务深度解读

▌ 1.1 公司基本概况

▌ 1.2 业务模式：IDM一体化垂直整合

长鑫科技是中国大陆唯一实现DRAM芯片研发、设计、制造、封装测试全产业链一体化的企业（IDM模式）。

• 自主掌控从设计到量产的全流程，不受外部代工厂产能制约

• 快速迭代技术，缩短产品研发周期

• 有效控制成本，提升毛利率水平

• 保障供应链安全，降低地缘政治风险

全球DRAM行业三大巨头（三星、SK海力士、美光）均采用IDM模式。长鑫科技是中国大陆唯一具备同等模式的DRAM企业。

▌ 1.3 产品矩阵

● 1.3.1 已实现量产的产品

● 1.3.2 技术研发方向

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二、（三）所属行业发展情况 | DRAM行业全景分析

▌ 2.1 全球半导体存储器市场规模

根据招股书引用Gartner数据，全球半导体存储器市场规模如下：

存储器是半导体行业中周期属性最强的细分领域，其市场规模波动与产品价格上涨高度相关。

▌ 2.2 DRAM行业概述

● 2.2.1 DRAM定义与分类

DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）是全球市场规模最大的半导体品类之一。

• 计算机和服务器的核心内存：用于临时存储正在运行的程序和数据

• 智能手机和平板的核心内存：支撑操作系统和应用程序运行

• 消费电子、汽车电子、网络设备等领域广泛应用

● 2.2.2 DRAM技术演进路线

技术趋势：更高的传输速率、更大的容量、更低的功耗。HBM（High Bandwidth Memory）成为AI时代的关键技术。

▌ 2.3 全球DRAM市场竞争格局

● 2.3.1 市场高度集中：韩美主导

全球DRAM市场呈现"两超一强一追赶"格局：

● 2.3.2 中国大陆DRAM产业地位

• 长鑫科技：中国大陆唯一实现规模化量产的DRAM IDM企业

• 行业起步较晚：2016年才成立，相比三星晚了30年

• 技术差距：目前量产制程为17nm，三巨头已进入10nm级

• 追赶速度：中国DRAM产业正以"举国体制"加速追赶

战略意义：DRAM是半导体皇冠上的明珠，中国必须拥有自主可控的DRAM能力。

▌ 2.4 DRAM行业周期特性

● 2.4.1 强周期性：产能与需求的错配

DRAM行业具有极强的周期性，3-4年完成一轮周期循环：

● 2.4.2 DRAM价格走势（历史数据）

DRAM价格呈现典型的周期波动特征，以下为近年DRAM价格走势：

数据来源：招股说明书及公开市场数据。2026年Q1 DRAM合约价格单季涨幅高达90-95%，创历史记录。

• 价格上涨驱动因素1：AI算力需求爆发，服务器DRAM需求激增

• 价格上涨驱动因素2：三巨头产能向HBM转移，消费电子DRAM供应紧张

• 价格上涨驱动因素3：库存回补周期，客户积极备货

• 风险提示：价格已处历史高位，需警惕周期反转风险

▌ 2.5 HBM：高带宽内存，AI时代的黄金赛道

● 2.5.1 HBM技术简介

HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）是一种基于3D堆叠技术的高性能DRAM：

• 架构创新：采用TSV（硅通孔）技术实现多层堆叠，大幅提升带宽

• 高带宽：相比传统GDDR6，带宽提升3-5倍

• 低功耗：单位带宽能耗大幅降低

• 小尺寸：相比同等带宽的GDDR6方案，节省60%以上面积

● 2.5.2 HBM市场需求爆发

HBM是AI时代的"基础设施"，需求爆发式增长：

• AI训练需求：英伟达H100/H200/B100系列GPU全部搭载HBM

• AI推理需求：随着大模型部署，推理侧需求快速增长

• 数据中心需求：微软、谷歌、Meta等云厂商大规模采购AI服务器

• 车载AI：自动驾驶带动车载HBM需求

HBM市场规模预测：

• 2024年HBM市场规模：约40亿美元

• 2025年HBM市场规模：约80-100亿美元（预计）

• 2029年HBM市场规模：超过250亿美元（预计）

• CAGR（2024-2029）：超过40%

● 2.5.3 HBM竞争格局：SK海力士领先

HBM市场呈现"一超两强"格局：

长鑫科技HBM处于样品阶段，2026年目标实现量产，与三巨头差距约2-3年。

▌ 2.6 DRAM行业产业链分析

● 2.6.1 产业链全景

● 2.6.2 关键设备供应

• 光刻机：ASML垄断EUV和DUV市场

• 刻蚀机：应用材料、泛林集团、东京电子

• 沉积设备：应用材料、ASM国际

• 封装设备：ASMPT、K&S

供应链风险：美国出口管制限制部分设备对华供应，影响中国DRAM企业扩产能力。

▌ 2.7 DRAM行业驱动因素与未来趋势

● 2.7.1 长期驱动因素

DRAM市场长期增长由以下核心因素驱动：

1. AI算力需求爆发：大模型训练需要海量HBM和DRAM。GPT-4级别模型需要数万颗GPU，每颗GPU搭载数GB HBM，带动DRAM需求指数级增长。

2. 服务器升级：DDR5全面替代DDR4，单机DRAM容量提升。一台AI服务器DRAM容量可达1TB以上，是传统服务器的10-20倍。

3. 智能汽车：L3/L4自动驾驶带动车载DRAM需求爆发。自动驾驶汽车需要大量DRAM用于传感器数据处理和AI推理。

4. 物联网：万物互联带动边缘计算DRAM需求。每个物联网节点都需要一定容量的DRAM用于数据处理。

5. 数据中心：云厂商持续扩大服务器采购。微软、谷歌、亚马逊、Meta等每年采购数百万台服务器，每台都需大量DRAM。

● 2.7.2 未来技术趋势

DRAM技术正在经历新一轮革新：

• 制程微缩：10nm级向7nm/5nm演进，EUV光刻技术将被引入DRAM制造

• HBM升级：HBM3E → HBM4 → HBM4E，带宽持续提升（HBM4目标带宽超过1.5TB/s）

• 3D堆叠：Hybrid Bonding等新技术实现更高密度，减少TSV占用面积

• 新型内存：Compute Express Link（CXL）推动内存池化，实现内存资源共享和动态分配

• 国产替代：中国DRAM企业加速追赶，市场份额持续提升（长鑫科技市占率从2023年<5%提升至2025年~8%）

• 低功耗技术：LPDDR6研发中，目标功耗降低30%以上，满足移动AI需求

● 2.7.3 地缘政治对行业的影响

近年来，地缘政治成为DRAM行业不可忽视的因素：

• 美国出口管制：限制先进DRAM制造设备向中国出口，影响中国企业发展

• 供应链安全：各国推动半导体供应链"去风险"，区域化生产趋势明显

• 国产替代加速：中国政策大力支持DRAM自主可控，长鑫科技等企业将持续获得资金支持

• 技术脱钩风险：HBM涉及美国专利，中国企业发展HBM可能面临知识产权争端

● 2.7.4 行业整合趋势

DRAM行业可能迎来新一轮整合：

• 中小DRAM企业生存空间被挤压，可能寻求被收购或退出市场

• 中国DRAM产业整合：长鑫科技可能整合国内其他DRAM资源，形成更强大的竞争主体

• 跨界合作：DRAM企业与AI芯片企业深度合作（如长鑫科技与华为、寒武纪等）

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三、完整财务数据分析

▌ 3.1 关键财务指标总览（2022-2026H1）

✅ 2025年数据为经审计实际数据。2026Q1及H1预告数据来自招股书申报稿（2026年5月17日更新）。

▌ 3.2 分年度财务详情

● 2022年：初创期，大额亏损

• 营业收入：82.87亿元（早期量产阶段）

• 归母净利润：-83.28亿元（研发投入+产能爬坡）

• 毛利率：负值（规模效应未显现）

● 2023年：行业低谷，亏损扩大

• 营业收入：90.87亿元（+9.7%）

• 归母净利润：-163.40亿元（DRAM价格下跌43%，行业深度亏损）

• 毛利率：-113.27%（售价低于成本）

• 背景：全球半导体下行周期，DRAM价格暴跌

● 2024年：价格回升，亏损大幅收窄

• 营业收入：241.78亿元（+166.1%，价格回升55%）

• 归母净利润：-71.45亿元（亏损大幅收窄）

• 毛利率：-4.72%（接近盈亏平衡）

• 关键转折：2024年底停产DDR4，全面转向DDR5

● 2025年：历史性扭亏为盈（经审计）

• 营业收入：617.99亿元（+155.6%，经审计）

• 归母净利润：187.49亿元（历史首次盈利！）

• 毛利率：41.02%（从-4.72%跳升至41.02%）

• 扣非归母净利润：大幅盈利

• 关键事件：2025年10月发布LPDDR5X，11月发布DDR5系列

2025年是长鑫科技的历史性转折点！毛利率从2024年的-4.72%飙升至41.02%，实现历史首次盈利。

● 2026年Q1：爆发式增长（最新数据）

增长原因（招股书原文）：

• 全球算力需求持续增长（AI驱动）

• 全球主要厂商产能调配（三巨头转向HBM，消费电子DRAM供应紧张）

• DRAM价格自2025年下半年持续大幅上涨（Q1合约价涨90-95%）

• 公司产销规模持续增长、产品结构持续优化（DDR5/LPDDR5X占比提升）

• 产能利用率提升至94.63%

● 2026年H1业绩预告

▌ 3.3 资产负债情况

⚠️ 财务风险：累计未弥补亏损-36.65亿元，上市后短期（3-5年）可能无法现金分红。

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四、IPO募资计划

▌ 4.1 募资总额与用途

长鑫科技本次IPO拟募集资金总额为295亿元：

▌ 4.2 募资项目解读

1. 产线升级改造（75亿元）：提升现有产线良率、扩大产能规模，目标2026年产能提升40%

2. DRAM存储器技术升级（130亿元，最大份额）：加速10nm级制程研发、DDR5/LPDDR5X产品迭代、HBM3量产准备

3. 前瞻技术研发（90亿元）：HBM4、车规级DRAM、新型存储技术预研，保持技术竞争力

核心判断：220亿元（75%）用于技术追赶，反映公司技术差距仍显著，需持续大额研发投入。

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五、核心风险提示

● ⚠️ 技术差距风险

• 当前制程17nm，落后三巨头（10nm级）约3-4年

• HBM3尚在样品阶段，三巨头已量产HBM3E并研发HBM4

• 若技术追赶不及预期，产品竞争力下降，市场份额萎缩

● ⚠️ 周期波动风险

• DRAM行业强周期性，2026Q1可能已是周期顶部

• 若2026年下半年或2027年进入下行周期，盈利将大幅回落

• 历史经验：2023年亏损163亿 → 2025年盈利187亿，波动极大

● ⚠️ 美国出口管制风险

• 公司已被列入美国"实体清单"

• 若管制升级，影响扩产计划

• HBM技术涉及美国专利，可能面临知识产权争端

● ⚠️ 财务结构风险

• 累计未弥补亏损-36.65亿元，短期无分红能力

• 固定资产1,830亿元，年折旧约246.8亿元

• 若周期下行，大额折旧将放大亏损幅度

● ⚠️ 客户集中度风险

• 主要客户为国内头部科技企业

• 若核心客户需求变化，显著影响营收

• 国际客户拓展受地缘政治制约

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六、总结

▌ 6.1 公司定位

长鑫科技是中国大陆DRAM产业的"独苗"——唯一实现规模化量产、唯一采用IDM模式、唯一进入全球前四的DRAM企业。其战略价值远超财务价值。

▌ 6.2 估值思考

▌ 6.3 适合投资者类型

• ✅ 长期看好中国半导体发展的投资者

• ✅ 能够承受强周期波动的投资者

• ✅ 有配置A股硬科技需求的投资者

• ❌ 追求短期稳定现金分红的投资者

• ❌ 无法承受股价大幅波动的投资者

免责声明：本报告基于公开信息整理，不构成投资建议。投资有风险，入市需谨慎。数据来源：长鑫科技科创板IPO招股说明书（申报稿，科创板IPO申报中，2026年5月）。