一、公司历史

2013 年 3 月 19 日，深圳市恒运真空技术有限公司（发行人前身）成立，初始注册资本 200 万元，聚焦真空领域业务，自研 CSL 系列等离子体射频电源，主攻一般工业领域，为技术积累奠定基础。

公司聚焦半导体领域，突破 28 纳米制程技术，推出 Bestda 系列产品；2020 年下半年实现批量交付，打破海外垄断；完成多轮增资，引入拓荆科技、国投大湾区基金等产业及资本方，营收规模快速增长。

2023 年 12 月 18 日，整体变更为股份有限公司，注册资本增至 4921.3448 万元；推出可支撑 7-14 纳米先进制程的 Aspen 系列产品，完成三代技术迭代；持续增资引入中电科、上海浦宸等，推进科创板 IPO 进程。

二、公司股权结构

乐卫平为实际控制人，直接持股 23.0866%；通过恒运昌投资（持股 25.8179%）、投资中心（持股 20.7787%）、投资发展中心（持股 3.1895%）合计控制 72.8727% 表决权。

三、公司实控人

乐卫平，1973 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，研究生学历，担任公司董事长、总经理、核心技术人员。

1995-2002 年任职桃源县邮电局电信设备厂；2003-2014 年任职 AE（美资射频电源巨头），历任测试技术员、产品应用工程师、销售高级经理；2014 年至今任职恒运昌，主导技术研发与公司经营，为核心技术攻关核心人物。

深耕射频电源领域 20 余年，主导三代产品研发，带领公司突破海外技术垄断，是公司技术与经营核心。

四、公司高管及技术核心人员

1、高管团队

乐卫平：董事长、总经理、核心技术人员，实控人，主导技术与经营。

TAN YAN PENG：副总经理，新加坡国籍，前AE 高管，2014年加入，负责运营管理，深耕射频电源行业30 年。

郑悦佳：财务总监，前 AE、希捷财务负责人，资深财务管控经验。

庄丽华：董事会秘书，资深资本市场从业者，负责投资者关系与信息披露。

2、核心技术人员

刘涛：董事、战略发展总监、核心技术人员，研究生学历，前东莞宏威数码首席工程师，2020 年加入，主导先进制程产品研发。

林伟群：研发总监，本科学历，前 AE 高级工程师，2016 年加入，负责射频电源硬件核心技术研发。

姚志毅：职工董事、软件研发经理，本科学历，前 AE 工程师，2014 年加入，负责控制算法研发。

林桂浩：硬件研发经理，前超声仪器研究所主管，2018 年加入，负责硬件电路设计。

唐亚海：软件开发经理，前禾信仪器软件工程师，2018 年加入，负责软件系统开发。

核心技术人员均有美资射频电源巨头 AE或半导体设备头部企业从业经历，深耕等离子体射频电源领域 10 年以上，主导 3 代产品迭代，累计授权发明专利 108 项，技术对标国际先进水平。

五、公司员工结构

六、公司主营产品

1、产品定位

公司是国内领先的半导体设备核心零部件供应商，主要从事等离子体射频电源系统、等离子体激发装置、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售及技术服务，并引进真空获得和流体控制等相关的核心零部件，围绕等离子体工艺提供核心零部件整体解决方案。

公司产品下游应用：

等离子体射频电源系统是半导体设备零部件国产化最难关卡之一，技术壁垒高、研发投入大、研发周期长、生产的“精确复制”要求极高，因而国产化率极低。根据弗若斯特沙利文统计，2024 年中国大陆半导体领域等离子体射频电源系统的国产化率不足 12%，属于被“卡脖子”最严重的环节之一。

2、核心自研产品，占收入 80%+

（1）等离子体射频电源系统

等离子体射频电源系统是半导体制造中极其关键的专用电源系统，主要由等离子体射频电源和匹配器组成。等离子体射频电源是可以产生正弦波电压，工作频率范围一般处于 3kHz 至300GHz 之间，具有一定功率的工艺电源。其核心作用是通过产生高频电场，在晶圆反应腔体内将特定工艺气体电离，创造并维持高活性、高能量的等离子体，并利用等离子体的特殊性能实现薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去胶、键合等复杂半导体工艺。

Aspen/Basalt系列（第三代）：支撑7-14 纳米先进制程，对标MKS、AE高端产品，适配拓荆科技、中微公司先进设备，具备脉冲、相位同步等高级功能，已批量交付。

Bestda系列（第二代）：支撑28 纳米制程，全数字化控制，扫频匹配时间＜100ms，适配成熟制程设备，批量供货国内头部设备商。

CSL系列（第一代）：面向光伏、显示面板等工业领域，性价比高，市场稳定。

应用领域：

（2）其他自研产品

等离子体激发装置：远程等离子体源、射频离子源，适配薄膜沉积、刻蚀设备。

等离子体直流电源：Ginkgo/Maple 系列，用于金属溅射镀膜。

配件：滤波器、阻抗调整器，配套射频电源系统。

（3）引进产品

真空泵、质量流量计，补充核心零部件整体解决方案。

（4）技术服务

进口射频电源原位替换 + 维修：为中芯国际、长江存储等晶圆厂解决海外断供问题，保障产线稳定。

公司与主要客户已实现百万级收入的自研产品共 38 款， 实现千万级收入的自研产品共 24 款。

七、收入情况及结构

分产品收入

主要产品销量及价格

主要产品价格与毛利率持续提升，技术溢价显著。

客户高度集中，均为国内半导体设备龙头，绑定核心产业链。

八、公司运营及财务情况

1、产能运营

产能利用率：2022-2024 年分别为 121.34%、102.12%、111.24%，持续超负荷，产能紧张。

2、核心财务数据

2022-2024 年研发投入占比超 10%。

资产负债率不足 17%。

2024 年现金流充裕，2025 年上半年受备货影响短期为负。

九、公司核心竞争力

Aspen 系列支撑 7-14 纳米，对标 MKS、AE 次新一代产品，国内唯一实现先进制程射频电源量产企业。

掌握脉冲控制、快速调频、阻抗精准匹配等 9 大核心技术，授权发明专利 108 项，在申请 133 项。

2024 年国产化率不足 12%，公司为国产第一，打破海外数十年垄断。

深度绑定拓荆科技、中微公司、北方华创等头部设备商，配套中芯国际、长江存储等晶圆厂。

十、行业情况与发展

等离子体射频电源系统作为薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去胶、键合等设备实现核心工艺功能的关键零部件，可广泛应用于半导体、光伏、显示面板、 精密光学、等离子体清洗等领域，是推动工艺和技术进步的重要载体。

1、产业链梳理

上游：电子元器件、功率模块、结构件（部分国产化）

中游：等离子体射频电源系统（恒运昌、MKS、AE）、核心零部件

下游：半导体设备（PECVD、刻蚀机等）→ 晶圆厂（中芯国际、长江存储）→ 芯片应用。

2、半导体设备

半导体设备通常可分为前道工艺设备（晶圆制造）和后道工艺设备（封装测

试）两大类。其中，晶圆制造设备的市场规模占半导体设备整体市场规模 80% 

以上。前道制造工艺主要包括氧化扩散、薄膜沉积、涂胶显影、光刻、离子注入、刻蚀、清洗、检测等，其中光刻、刻蚀和薄膜沉积是半导体制造三大核心工艺，对应设备为半导体制造中价值量占比最高的三大设备。

2023 年全球前五大半导体设备企业合计市场份额超过 90%；全球前三大设备商在光刻机、刻蚀机、薄膜沉积等核心设备方面的市场份额也在 90%以上。

SEMI 预计，半导体设备市场规模2025 年将增长至 1,255 亿美元，2026 年有望增长至 1,381 亿美元，持续刷新历史新高。

2024 年，中国大陆半导体设备销售额 496 亿美元，同比增长35%，占全球市场比例达 42%。

3、等离子体射频电源系统行业

等离子体射频电源系统本质是通过精密激发特种工艺气体，创造并维持高活性、高能量的等离子体，并利用等离子体的特殊性能实现薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去胶、键合等复杂半导体工艺（薄膜沉积、刻蚀与光刻并称为芯片制造三大关键工序）。等离子体射频电源系统的性能直接影响薄膜沉积、刻蚀等环节中等离子体的浓度、均匀性和稳定性等，对于薄膜沉积的厚度、密度、应力、速率，以及刻蚀的选择性、方向性、速率、质量等至关重要，进而影响晶圆制造工艺的能力、良率和效率，等离子体射频电源系统在半导体制造核心装备中占据着核心位置。

根据弗若斯特沙利文统计，2024 年全球等离子体射频电源系统市场规模达53.4 亿美元，过去五年复合增速达 8.5%。未来全球等离子体射频电源系统市场规模将加速增长，2025-2029 年复合增长率预计为 10.6%。

根据弗若斯特沙利文统计，2024 年，中国大陆等离子体射频电源系统市场规模达 120.4 亿元，过去五年复合增速达 9.9%。未来中国大陆等离子体射频电源系统市场规模将加速增长，2025-2029 年复合增长率预计为 12.3%。

4、技术难点

阻抗高速匹配：等离子体阻抗动态变化，需纳秒级响应，国产此前以模拟控制为主，差距大。

多频率电源：海外多源独立控制，国产单一、功率低。

先进制程偏置电源：10 纳米以下需裁剪波形，国内空白。

我国等离子体射频电源系统国产替代难度极高，通过等离子体工艺实现各种半导体复杂工艺的技术仍不成熟，目前国内只有恒运昌等极少数企业的等离子体射频电源系统产品达到与国外对标产品相同、近似的性能、功能指标。

5、发展方向

适配 5 纳米及以下先进制程，攻克偏置裁剪波电源。

高功率、宽频带电源研发，适配 3D NAND、先进封装。

游元器件全面替代，降低供应链风险。

十一、竞争者情况

主要由美系两大巨头 MKS 和 AE 主导，根据弗若斯特沙利文统计，2024 年中国大陆半导体领域等离子体射频电源系统国产化率不足 12%。半

1、海外巨头

MKS（美国）：全球市占率40%以上，2024年营收35.86 亿美元，技术全面，覆盖先进制程。

AE（美国）：全球市占率30%以上，2024年营收14.82 亿美元，射频电源龙头，国内市占高。

霍廷格（德国）、DAIHEN（日本）：细分领域竞争，市占低。

2、国内竞争者

华丞电子（北方华创子公司）：2024 年整合射频业务，未量产先进制程产品。

英杰电气：2023 年四季度量产射频电源，主攻光伏，半导体领域布局晚。

恒运昌：国产第一，唯一实现7-14 纳米产品量产，2024年国产市占率超50%，领先华丞电子、英杰电气。

十二、募投项目情况

项目投资总额为 151,816.13 万元，拟使用募集资金投入金额为146,900.00 万元。

项目达产后，预计年新增营收 15-18 亿元，新增净利润 3-4 亿元，支撑长期增长。

十三、主要风险

导体周期性强，下游资本开支波动影响订单。

前五大客户占比 90.62%，拓荆科技占 63.13%，依赖单一客户。