存储技术正通过更精细的工艺、混合键合等途径持续提升密度和性能，同时我国厂商（长鑫存储、长江存储）正在快速追赶：

• DRAM向12.5–13.1nm先进节点推进；三星、SK海力士、美光领跑，长鑫 存储追至16nm D1z世代；混合键合在HBM中应用以支持更高堆叠。

• NAND市场三星占比33%居首位；3D NAND层数突破200+层，垂直通道间距和MOLD厚度不断优化，无阶梯结构和混合键合成重要创新方向，推动NAND向更高密度、更高性能发展。