(半导体行业案例)背面减薄工艺基底厚度等检测_工艺玩具_资讯

(半导体行业案例)背面减薄工艺基底厚度等检测

2023-08-25 13:17

晶圆背面减薄是一步重要的晶圆制造工艺，目的是去除晶圆背面多余材料，以有效减小晶圆封装体积，降低热阻，提高器件的散热性能，降低封装后芯片因受热不均而开裂的风险，提高产品可靠性；同时，减薄后的芯片机械性能与电气性能也得到显著提高。晶圆背面减薄技术有很多种，如磨削、抛光、干式抛光、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子辅助化学腐蚀和常压等离子腐蚀等。将从晶圆厂出来的晶圆进行背面研磨，来减薄晶圆达到封装需要的厚度。磨片时，需要在正面贴胶带保护电路区域，同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；目前已经成功应用于晶圆制备的磨削工艺有转台式磨削、晶圆旋转磨削、双面磨削、TAIKO磨削、化学机械磨削、抛光磨削和行星盘磨削等。