Q：当前存储市场的整体状况如何？涨价趋势预计会持续到什么时候？

A：从供给和需求两端分析，存储产品的涨价潮预计将持续到2026年第三季度。尽管原厂已有扩产动作，但扩产幅度受到抑制。根据对公司、海力士、美光、铠侠、闪迪、长江存储、长鑫等主要厂商未来6到8个月产能数据的观察，到2026年第三季度，整体订单量仍呈增长态势。综合考虑当前库存水平、产能利用率以及供需状况，价格上涨趋势预计将维持到2026年第三季度左右，之后可能会进入下行周期。

Q：能否从合约价与现货价，以及DRAM、NAND、HBM等不同产品类别的角度，更详细地拆解当前存储市场的供需情况？

A：目前分析主要基于合约价，尽管现货价近期因模组厂和部分终端客户抛售库存而有所下跌，但预计后续仍会上涨。从各产品类别看： 在DRAM方面，全球每月总产能约为186万片，其中公司66万片、海力士50万片、美光50万片、长鑫存储20万片。在NAND方面，全球每月总产能约为200万片，其中公司60万片、海力士40万片、美光30万片、铠侠和闪迪各25万片、长江存储20万片。为应对自2025年第四季度开始的涨价潮，原厂已将稼动率从2025年年底的较低水平（DRAM约82%，NAND约79%）提升至2026年3月后的98%至100%。尽管如此，当前的库存水平依然很低，DRAM约1个月，NAND约1.5个月，远低于2至2.5个月的正常供需平衡水平，这支撑了价格上涨。从产能扩张来看，2026年能贡献增量的主要是通过在现有厂房增加设备（周期5-6个月）和技术改造转产（周期3-4个月）这两种方式。预计2026年DRAM产能将因此增加13万片至199万片/月，NAND增加15万片至215万片/月。然而，市场需求缺口更大，预计DRAM需求为216万片/月，NAND需求为235万片/月，仍存在约15至20万片的供应缺口。从需求端看，主要分为服务器、手机、PC、利基产品和车载五大块。服务器和汽车电子是增长的领头羊。AI服务器市场需求尤其旺盛，占存储总需求的33%。汽车电子领域环比增幅达17%至20%，但其总需求占比仅为7%至8%，影响有限。手机市场因新品发布从2025年第三季度延迟至第四季度，导致旺季延长至2026年第一季度，但最近两三周需求有所回落。PC、Notebook和利基产品需求相对疲软，基本持平甚至略有负增长，但这部分合计只占总需求的30%。综合来看，占需求70%的服务器、汽车电子和手机市场仍能有力支撑存储价格在2026年第三季度前持续上涨。

Q： 如何预判2026年及未来一段时间内传统DRAM、NAND以及HBM市场的价格走势？

A：汽车电子和手机等行业呈现上升态势，带动了整体存储需求的增长。预计到2026年第三季度，传统DRAM和NAND的价格将持续上涨。然而，HBM市场将呈现不同趋势，其价格预计将稳中有降。这主要是由于供需关系的变化。在2025年之前，HBM市场因产能短缺而价格持续高涨。当时，公司、海力士、美光三家的月产能合计仅为10万片，折算后约能满足400万张GPU板卡的需求，远低于市场实际需求。进入2025年，总月产能已提升至32.6万片，理论上可对应1,200万张板卡。但考虑到GPU配置的HBM颗粒数增加（从6颗增至8颗）以及HBM堆叠层数增加（出现12-High结构），实际可满足约1,000万张板卡的需求，与当年900万至1,000万张的市场需求量基本持平，实现了供需平衡。展望2026年，三大供应商计划继续扩产约15万片，使总月产能达到47.6万片，这将能对应1,800万至1,900万张板卡。尽管AI市场增长迅速，但预计需求增速难以匹配如此规模的产能扩张，导致供给端略显过剩，从而引发价格稳中有降的趋势。

Q：既然HBM的供给将超过需求，为何其价格降幅预计会有多少？

A：尽管供给端存在过剩压力，但HBM价格降幅预计有限，主要有两个原因。第一，HBM是存储产品中生产技术难度最高的品类，代表了高规格、高工艺、高设备和高材料的集合，其毛利率也相对较高。因此，原厂有动力通过控制产能稼动率或转产等方式来调节供给，避免市场出现严重过剩，以维持供需的相对平衡。第二，从终端客户的角度看，他们对HBM的价格敏感度相对较低。客户普遍认知到HBM的生产难度和技术价值，并且主要将其应用于最高规格的GPU产品上，因此更能接受其较高的价格水平。综合这两个因素，预计2026年HBM的价格将呈现稳中有降的态势，但降幅会控制在10%以内。

Q：当前HBM市场的份额格局是怎样的？未来预计会发生何种变化？

A：目前，海力士在HBM市场占据主导地位，市场份额约为60%；三星紧随其后，份额约为25%；美光则占据约15%。展望未来，尤其是在HBM4时代，市场格局预计将演变为“432”结构，即海力士占40%，三星占35%，美光占25%。海力士当前的领先地位得益于其显著的先发优势。HBM产品生命周期短，率先开发者能掌握话语权。自2013年第一代HBM问世以来，海力士便与AMD、英伟达及台积电等行业领导者紧密合作，奠定了技术和市场的领先基础。然而，三星公司和美光近年来投入巨大资源进行追赶。美光虽然起步最晚，市场份额最小，但为了实现弯道超车，其产品路线图跳过了HBM3，直接从HBM2E转向HBM3E和HBM4的研发，这使其在后两代产品的开发上投入时间更长，部分性能指标甚至可能超越竞争对手。作为美国本土企业，其份额预计将稳步提升。三星份额的增长则与GPU晶圆代工市场的变化密切相关。目前英伟达、AMD等GPU厂商主要依赖台积电进行代工，面临产能紧张和议价能力有限的问题。因此，这些客户迫切需要第二家供应商，而三星是目前在产能和技术上唯一能与台积电抗衡的选项。三星能够提供从GPU代工到HBM、NAND、DRAM供应，这对客户极具吸引力。因此，海力士的市场份额未来将被三星和美光逐步蚕食。

Q： HBM生产中不同厂商采用的技术路径有何差异？这些差异对市场竞争格局有何影响，未来的技术演进方向是什么？

A：目前，海力士采用的是MR-MUF技术，而公司和美光采用的是TCB-NCF技术。市场中存在一种误解，认为MR-MUF优于TCB-NCF，这主要是因为市场份额领先的海力士采用了该技术。从技术原理上看，两者各有优劣。MR-MUF的核心工艺是将所有Die堆叠完成后，一次性通过回流焊炉进行键合，其优点是效率高，但缺点在于键合精度稍欠，且对翘曲的控制较差，因为各层翘曲会累加。相比之下，TCB-NCF是在堆叠每一层时都进行加热加压键合，其优点是键合精度高，对翘曲控制更佳，但缺点是生产效率较低。尽管海力士将MR-MUF工艺发挥到了极致，但公司和美光近年来也已优化其TCB-NCF工艺，并且并未转向MR-MUF，这说明两种技术本身并无绝对优劣之分。展望未来，随着HBM对带宽性能的要求不断提升，这两种技术都将被淘汰，行业将统一转向Hybrid Bonding技术。更高的带宽要求HBM内部的硅通孔数量更多、间距和孔径更小，现有的TCB-NCF和MR-MUF技术在精度上已无法满足要求。Hybrid Bonding技术通过去除TSV底部的Micro Bump，实现铜与铜之间的直接键合，是满足下一代HBM性能要求的必然选择。尽管该技术早在两年前就被提及，但至今尚未在HBM上实现量产应用。

Q： HBM4何时会开始采用Hybrid Bonding技术？此前未采用该技术的原因是什么，以及当前是如何解决相关技术挑战的？

A：HBM4上还不会使用Hybrid Bonding，但从HBM4E开始，将必须采用该技术。此前未采用的原因有两点：首先，TCB-NCF和MR-MUF等现有技术本身在持续进步和迭代，能够满足当时的需求。其次，Hybrid Bonding自身存在缺点，尽管其能显著提高精度，但面临两大挑战：散热和堆叠。散热方面，将HBM堆叠在GPU之上，除了HBM自身发热，GPU的热量也会传导至HBM，如何解决散热是一个问题。堆叠方面，这种方式会显著增加整体高度，解决方案是减薄晶圆，但这又会引发裂纹、翘曲和分层等一系列可靠性问题。目前，这些问题已有了相应的解决方案。针对散热问题，可以采用高导热系数的EMC材料，或在EMC表面溅射铜和镍元素以实现主动散热。对于堆叠高度问题，标准已经提高了堆叠高度的上限，从而避免了超标。因此，Hybrid Bonding的性价比现在已显著提升，在HBM4E阶段应用是必然趋势。

Q：HBM4E预计何时上市？其相关的Hybrid Bonding设备供应商格局如何？

A：HBM4E预计将在2027年下半年开始在市场上出现，并在2028年年初实现大规模应用。在HBM Hybrid Bonding设备供应商方面，目前市场上有五家主要企业。荷兰的Besi是市场第一，其次是ASMPT，第三是K&S，第四和第五分别是SUSS和EVG。通常市场主要关注前三家供应商。此外，国内也有企业如新凯来和拓荆正在研发相关技术。

Q：如何看待长鑫存储和长江存储近期的发展态势及其对市场格局的影响？

A：在当前这一轮涨价周期中，长鑫存储和长江存储无疑会积极扩产，因为在市场供不应求时扩产最具战略意义，例如苹果公司也考虑认证长江存储的产品。从产能角度看，这两家公司已开始对公司、海力士、美光、铠侠和闪迪等大厂构成威胁。目前，长鑫和长存合计的产能在全球市场占比约为10%至12%，预计两年后（约2028年）可能提升至15%至17%，甚至有潜力冲击20%以上，具体取决于2027年下行周期的市场状况。 从技术角度看，与国际领先水平仍存在差距。长鑫存储目前的主力工艺是15.8纳米的D1z，而行业领先者已进入10至12纳米的D1b（D1 Beta）工艺，中间还隔着D1a（D1 Alpha），技术差距约为1.5至2代。长江存储方面，其采用Xtacking技术，目前可量产232层的V8产品，而公司、海力士、美光等主流厂商的V8是236层，且其最新技术已接近400层（V10），技术差距同样在1.5至2代左右。因此，现阶段这两家公司主要在产能上形成威胁，产品多集中于消费电子等中低端市场。但预计一两年后，它们可能在产能和技术两方面都对市场格局构成实质性威胁，这可能预示着存储周期的绝对顶部将在2027年年底出现。

Q：三星公司在中国大陆的工厂布局、产能占比及其运营情况是怎样的？

A：三星公司在中国大陆主要有两座工厂。一座位于苏另一座位于西安，主要生产NAND产品。西安工厂在公司全球NAND总产能中占据重要地位，其月产能占公司NAND总产能（约60万片/月）的30%至40%。三星在中国大陆没有DRAM制造工厂。

Q：地缘政治因素对三星西安工厂的设备采购和未来运营有何影响？

A：地缘政治的影响已经开始显现。三星西安工厂在采购一些新的关键设备时面临困难，特别是用于NAND制造的高深宽比刻蚀机等设备已无法直接购买。目前的应对策略是从韩国工厂转移部分二手设备至西安工厂使用，而非采购全新的设备。

Q： HBF技术将对HBM市场产生何种影响？

A：HBF是一项值得关注的技术，其核心逻辑是利HBF是一项值得关注的技术，其核心逻辑是利用NAND Flash远低于DRAM的单位GB成本，作为一种成本优化方案。然而，它不会对HBM市场造成过度的替代冲击，仅为部分替代。HBF本质上是一种成本削减方案（Cost-down），而非技术革新。以一个配置了6颗HBM、总容量为144GB的GPU为例，由于HBM价格昂贵（HBM3E约15.6美元/GB，HBM3约4.2美元/GB），芯片厂商希望通过HBF来降低成本。具体实现方式可能是用HBF替代144GB中的44GB，而剩余的100GB仍使用HBM。这种混合方案的性能必然弱于全部使用144GB HBM的方案。因此，HBF的定位是部分替代，预计最终替代比例约为HBM市场的20%至30%。考虑到HBM市场基数本身在持续快速增长，HBF的应用不会削弱HBM的整体市场价值。此外，HBF在技术特性上存在读写速度不均衡的问题，读取速度远快于写入速度，这也限制了其应用场景。

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