一、AI加速存储需求高增长

从需求端来看，AI推理需求爆发是存储需求的主要驱动力。根据TrendForce，预计2026年八大主要CSP的合计资本支出将超越7，100亿美元，同比增长约61%。虽然存储涨价对消费电子需求存在较大冲击，但本轮周期是由AI数据中心和云服务商主导，AI对存储需求拉动高于消费电子下滑对存储需求的影响。

智能手机：受DRAM与NAND闪存供应短缺、价格持续上涨影响，IDC预计2026年全球智能手机出货量同比下降12.9%，2027年智能手机市场将迎来1.9%的温和增长，2028年实现5.2%的较强反弹。

全球智能手机出货量

PC：由于存储价格大幅上涨，对于价格敏感的消费者和中小企业而言，这将导致延迟设备购买计划，延长更换周期，影响PC出货量。IDC预计2026年全球PC出货量同比下降11.3%。

全球PC出货量

二、海外存储大厂产能扩张有限，产能向高端存储倾斜供给侧

海外存储原厂加大Capex投入，但受制于技术升级及扩产周期，产能扩张幅度以及无尘室空间有限，我们预计供需紧张有望持续到2027年之后。

三星：产能规划

1.三星电子计划在平泽P4晶圆厂综合体建设一条用于生产HBM4内存所需1c nm DRAM Die的大型生产线，月产能达10~12万片晶圆。并将平泽P4工厂的投产时间从27Q1提前至26Q4,生产规划前移约三个月。

2.三星已决定重启其位于韩国平泽市的先进晶圆厂P5的建设工程，预计将于2028年投入运营，且不排除因市场需求紧迫而提前投产的可能性。

3.三星电子计划在2026年大幅提升其高带宽内存（HBM）生产能力，目标是将理论产能从目

划在2026年大幅提升其高带宽内存（HBM）生产能力，目前的每月约17万片晶圆提升至约25万片，增幅接近50%。

三、存储行业供需紧张有望持续至2027年

供需关系：目前存储行业供需持续紧张，尤其是SSD、HBM、DDR5等高端产品持续供不应求，本轮景气周期有望延续至2027年以后。

三星：预计未来几年DRAM与NAND的位元需求增长将显著超过供应增长。

海力士：由于标准型DRAM目前的供需极度紧张，这为海力士在谈判桌上赢得了更多筹码。这种紧张局势可能会为2027年的HBM业务带来更优惠的条款。

美光：HBM占比提升和洁净室建设周期延长等因素共同导致存储行业供应紧张，预计这种紧张局面将持续2026年及以后。

闪迪：下个季度供需差将进一步加剧，供不应求持续。

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四、国内存储公司梳理（部分）

兆易创新：公司是全球唯—一家在NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM和MCU领域均排名全球前十的集成电路设计公司。

NOR Flash:目前NOR Flash呈现持续涨价趋势。由于NOR Flash整体产能是联动的，其中大容量产品单颗价值高，对产能的消耗量大，在供应出现紧缺的时候，大容量产品会较早出现涨价，并逐渐传导到中小容量产品。我们预计NORFlash 26年仍会维持价格上涨的节奏。

利基DRAM:目前利基型DRAM的供应短缺，主要原因是主流应用(数据中心和AI应用等)对存储等芯片的大量需求，挤占了利基型DRAM的产能。行业头部厂商不同程度的停产或减产利基型DRAM产品，导致利基型DRAM产能缺口较大，我们预计2026年涨价趋势有望持续。

定制化存储：随着端侧AI需求的兴起，对定制化存储解决方案提出新的要求，公司控股子公司青耘科技紧贴客户需求，积极开拓包括定制化存储方案在内的新技术、新产品和新市场，从容量、带宽、能耗等方面为客户提供更为定制化的解决方案，重塑端侧存储新形态。公司定制化存储在AI手机、AI PC、汽车、机器人等若干领域的客户拓展进展顺利，预计26年进入规模放量期，想象空间巨大。

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