分析师：扣子智能研究团队

一、核心要点浓缩

1. 公司概述

斯达半导是国内IGBT模块领域的绝对龙头，全球IGBT模块市场份额位居第五（约7.3%-8.6%），国内市占率15%-25%，排名第一。公司专业从事以IGBT、SiC MOSFET、GaN为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售，产品广泛应用于新能源汽车、光伏储能、工业控制、白色家电、AI服务器电源等领域。

2. 核心科技与竞争优势

核心技术体系：

• 第七代微沟槽Trench Field Stop技术：IGBT芯片效率达98.5，对标英飞凌国际领先水平

• 车规级SiC MOSFET技术：自主6英寸SiC芯片产线量产，良率达75%，热阻0.15℃/W，接近国际巨头

• 全链条自研能力：芯片设计+晶圆制造+模块封装，IGBT芯片100%自研，关键原材料国产化率超过75%

• 车规级认证优势：国内最早大规模车规量产，通过IATF 16949、AEC-Q101、TÜV莱茵ISO 26262功能安全管理体系认证

• 专利布局：截至2025年6月30日，已成功申请410项中国境内专利，其中75项发明专利

3. "十五五"规划定位

斯达半导深度契合"十五五"集成电路产业发展规划，定位为：

• 国产替代核心企业：IGBT国产化率已达65-70%，"十五五"期间目标整体自给率70%

• 功率半导体领军者：作为第三代半导体（SiC/GaN）规模化应用的重要推动者，在新能源汽车、智能电网领域发挥关键作用

• 高端技术突破者：在车规级功率模块、AI服务器电源、低空经济等新兴领域提供核心器件支持

4. 投资要点浓缩

机会：

1. 国产替代加速：IGBT国产化率65-70%，"十五五"目标70%+，公司作为国内龙头充分受益

2. SiC放量在即：车规级SiC模块获30+项目定点，2025年产能300万套/年，2026年扩至500万套

3. 新兴领域突破：AI服务器电源、低空飞行器、800V高压平台成为新增长极

4. 产能扩张：15亿可转债获批，SiC/IPM/GaN三线齐发，2026-2027年产能集中释放

风险：

1. 毛利率承压：2025年前三季度毛利率29.70%，同比下降7.81pct，价格竞争激烈

2. SiC产能过剩：2026年全球SiC产能规划远超需求，可能引发价格战

3. 技术追赶压力：与国际巨头在SiC/GaN领域仍有代差，研发投入持续高企

4. 客户集中度：前五大客户贡献营收40%，依赖比亚迪等车企需求稳定性

二、公司基础分析

1. 公司背景

历史沿革：

• 2005年4月：公司成立，由沈华、胡畏夫妇（美国国籍，麻省理工/斯坦福背景）创立

• 2007年：推出首款IGBT模块

• 2011年：成功研发工业级模块

• 2013年：成功研发汽车级模块

• 2015年：成功研发碳化硅模块

• 2020年2月4日：在上海证券交易所主板上市（股票代码：603290）

• 2024年：自建6英寸SiC芯片产线完成建设并量产

• 2025年：15亿元可转债获批，加码SiC/IPM/GaN产能

主营业务构成及核心产品：

2024年主营业务收入构成：

• IGBT模块：92.09%（31.22亿元）

• 其他产品（SiC、IPM、分立器件等）：7.91%

2. 股权结构

主要股东及持股比例（截至2025年9月30日）：

实际控制人：沈华、胡畏夫妇（通过香港斯达控股持股41.66%）

股东人数变化趋势（近1年）：

分析：股东人数自2024年9月后持续增加，筹码呈分散化趋势。2025年三季度股东户数较二季度增加21.67%，主要因股价上涨吸引散户资金入场，但整体机构持仓仍稳定，香港斯达控股持股比例未变，控制权稳固。

3. 子公司运营

主要子公司及业务布局：

对外投资情况：

公司共对外投资12家企业，主要围绕功率半导体产业链上下游布局：

1. 上海安智芯车规集成电路有限公司：2026年3月投资100万元，持股4.55%，布局车规级MCU芯片

2. 美垦半导体技术有限公司：收购整合，加速IPM模块在白色家电领域布局

3. 重庆安达半导体有限公司：西南地区产能补充

子公司对母公司的贡献：

• 嘉兴斯达微电子：承担芯片研发与制造职能，2024年获得增资19.78亿元，用于SiC芯片产线建设，是公司核心技术能力的重要支撑

• 斯达欧洲：2024年获得施耐德电气"最佳项目支持奖"，海外市场开拓成效显著，为海外收入增长提供动力

• 重庆公司：承接IPM模块制造项目，预计达产后年收入6.6亿元，成为白色家电业务的重要增长点

4. 公司对外投资

重大投资案例：

在手订单情况（截至2025年10月31日）：

• IGBT模块：14.15亿元

• SiC MOSFET模块：2.04亿元

• IPM模块：0.44亿元

• 合计：16.63亿元

分析：公司在手订单充足，产能利用率已处于高位（SiC模块产销率达103.01%，IPM模块产能利用率95.52%），新增产能消化具备确定性。

三、行业环境分析

1. 行业地位

产业链位置：

上游（原材料/设备）→ 中游（芯片设计/制造/封装）→ 下游（应用）↑斯达半导（中游核心）

• 细分领域：功率半导体 - IGBT模块、SiC MOSFET模块

• 产业链位置：中游核心环节，覆盖芯片设计、制造、封装全流程

• 行业地位：

◦ 全球IGBT模块市场：份额7.3%-8.6%，排名第3-6位（Omdia 2024）

◦ 国内IGBT模块市场：份额15%-25%，排名第1

◦ 国内车规级IGBT模块：份额22%-28%，排名第1

◦ 国内工业控制IGBT：份额20%，排名第1

2. 行业趋势

政策影响：

• "十五五"集成电路产业规划：整体自给率目标70%，22nm以下先进制程国产化率50%

• 新型举国体制：大基金三期规模超3000亿元，重点投向设备、材料、EDA、先进封装

• 电网投资规划：国家电网"十五五"固定资产投资4万亿元，南方电网近1万亿元，特高压专项投资1.1万亿元

• 新能源汽车政策：2025年国内新能源车销量预计达1000万辆，800V高压平台渗透率超30%

技术发展现状及未来方向：

未来3年市场规模预测：

• 全球IGBT市场规模：2025年约100亿美元，2032年预计达130亿美元，CAGR约4.25%

• 中国IGBT市场规模：2025年约223.3亿元，2026年预计达244.9亿元

• 电驱动系统IGBT模块市场：2024年中国市场139.68亿元，2031年预计达281.1亿元，CAGR 8.11%

• 全球SiC功率器件市场：2023年前五大厂商占据91.9%份额，意法半导体32.6%第一，安森美23.6%第二

3. 竞争格局

全球竞争格局：

国内竞争格局：

竞争壁垒分析：

1. 技术壁垒：车规级认证周期2-3年，形成天然壁垒；第七代微沟槽IGBT芯片量产，SiC MOSFET自主芯片2024年出货50万套

2. 客户壁垒：前五大客户合作周期平均7.3年（行业平均4.5年），深度绑定比亚迪、蔚来、华为、阳光电源、汇川等头部企业

3. 产能壁垒：募投项目将新增SiC模块产能280万个/年、IPM模块产能3000万个/年，规模效应显著

4. 资金壁垒：近五年累计研发投入12.84亿元，重资产模式，新进入者难以追赶

四、财务与经营分析

1. 经营业绩：近5年营收、利润及增长率分析

2021-2025年财务数据概览：

分析：

1. 营收增长趋势：

◦ 2021-2023年营收持续高增长，复合增长率达45.5%

◦ 2024年受光伏行业去库存影响，营收同比下滑7.44%

◦ 2025年前三季度营收恢复增长，同比增长23.82%

2. 盈利能力变化：

◦ 2021-2023年净利润快速增长，但2024年同比大幅下滑44.24%

◦ 毛利率从2021年的40.34%持续下滑至2025年前三季度的29.70%，主要受价格竞争和新产线折旧影响

3. 净利润下滑原因分析：

◦ 价格竞争：国际巨头降价30%，挤压毛利率

◦ 产品结构变化：低毛利的新能源汽车业务占比提升至60%+

◦ 新产线折旧：SiC芯片产线投建转固，折旧费用攀升

◦ 研发投入激增：2025年前三季度研发投入3.00亿元，同比增长35%

2. 财务健康：近5年资产负债、现金流及关键财务指标

资产负债情况（截至2025年三季度末）：

现金流情况：

关键财务指标：

财务健康度评价：

1. 资产负债结构：资产负债率33.94%，处于半导体制造业合理区间，财务风险可控

2. 现金流：经营活动现金流净额同比下降，但主要系备货增加，整体现金流状况健康

3. 应收账款：同比增长28.7%，需关注下游客户回款风险，尤其是新能源汽车和工业控制领域

4. 存货：同比下降19.0%，库存控制良好，周转率提升

3. 收入构成：各业务板块的收入占比及增长贡献

按应用领域划分（2024年度）：

按产品类型划分（2025年上半年）：

分析：

1. IGBT模块：仍是公司核心收入来源，占比超92%，但增速放缓，毛利率承压

2. SiC MOSFET模块：爆发式增长，2025年上半年销量已超过去年全年，产销率达103.01%，成为新的业绩增长点

3. IPM模块：通过收购美垦半导体，在白色家电领域快速增长，已与美的、格力、海信、海尔等主流客户建立合作

4. 其他产品：包括GaN、驱动IC、MCU等新兴产品，收入占比提升明显

五、研发与风险评估

1. 研发进展：新产品/技术研发投入及商业化进度

研发投入情况：

近五年累计研发投入：12.84亿元

核心技术突破：

1. IGBT芯片技术：

◦ 第七代微沟槽Trench Field Stop技术量产，效率98.5%，对标英飞凌

◦ 1700V高压IGBT芯片良率超95%，比肩国际领先水平

◦ 车规级IGBT芯片100%自研，失效率(FIT)<10，达到国际领先水平

2. SiC MOSFET技术：

◦ 自主6英寸SiC芯片产线量产，2025年产能达300万套/年，2026年预计扩至500万套/年

◦ 1200V SiC MOSFET芯片良率达75%，热阻0.15℃/W，接近英飞凌

◦ 车规级第二代SiC MOSFET芯片研发成功并通过客户测试，功率密度较第一代提升20%以上

3. GaN HEMT技术：

◦ 车规级GaN模块已获得主电机控制器平台定点，预计2026年进入装车应用阶段

◦ GaN模块耐高温性能达175℃，接近国际水平

4. 新兴产品线：

◦ MCU芯片：2025年上半年工业级MCU芯片已经流片成功，主要功能测试通过，预计下半年开始给客户测试送样，2026年开始批量销售

◦ 驱动IC：栅极驱动IC芯片已实现量产

◦ IPM模块：与美的、格力、海信、海尔等主流白色家电行业客户建立密切合作

商业化进度：

2. 风险因素：市场竞争、政策变化、财务风险等关键经营风险

市场竞争风险：

1. 价格战持续：国际巨头（英飞凌、安森美）持续扩产并降价，2025年IGBT模块降价超30%，挤压国内企业毛利率

2. 国内厂商追赶：比亚迪半导体在SiC领域快速追赶，成本优势显著；士兰微、华润微等也在加速布局

3. 技术代差压力：与国际巨头相比，公司在SiC和GaN等先进功率半导体领域的技术积累仍有差距

政策变化风险：

4. 新能源补贴退坡：若新能源汽车、光伏等行业补贴退坡，可能影响下游需求

5. 贸易摩擦：地缘政治风险可能影响海外市场拓展和供应链安全

6. 产业政策调整：若国家对半导体产业的扶持政策调整，可能影响公司发展

财务风险：

7. 毛利率下滑风险：2025年前三季度毛利率29.70%，同比下降7.81个百分点，若SiC和GaN等高毛利产品未能快速放量，毛利率可能进一步下滑

8. 应收账款回款风险：2025年三季度应收账款19.65亿元，同比上升28.7%，需关注回款风险

9. 研发投入压力：2025年前三季度研发投入约3.00亿元，同比增长35%，研发投入强度较高，可能对短期盈利能力造成压力

10. 产能利用率风险：募投项目新增产能较大，若市场需求不及预期，可能导致产能利用率不足

技术风险：

11. SiC产能过剩：2026年全球SiC衬底产能规划达468万片/年（折合6英寸），远超3000万辆新能源汽车需求，可能导致价格战加剧

12. 技术迭代风险：功率半导体技术迭代快，若公司研发进度不及预期，可能被国际巨头拉开差距

13. 车规认证风险：车规级产品认证周期长（2-3年），若新产品认证失败，将影响市场拓展

客户集中度风险：

14. 公司前五大客户贡献营收40%，依赖比亚迪、蔚来等车企需求稳定性

15. 若主要客户销量下滑或更换供应商，将对公司业绩产生重大影响

其他风险：

16. 原材料价格波动：硅片、封装材料等原材料价格上涨，可能影响成本控制

17. 人才流失风险：半导体行业人才竞争激烈，核心技术人员流失可能影响研发进度

18. 知识产权风险：与国际巨头存在专利纠纷风险

六、资本市场分析

1. 股价走势：近半年周K线、月K线技术形态分析

股价表现（截至2026年3月30日）：

技术分析：

1. 周K线形态：

◦ 近6个月整体呈震荡上行趋势，在100-115元区间波动

◦ 3月10日放量涨停后震荡上行，站稳100元支撑

◦ 均线多头排列，中期趋势向好

2. 月K线形态：

◦ 近3个月月线连续收阳，3个月涨幅9.50%

◦ 突破120日均线（101.96元），中期转强

◦ RSI（14）约51，处于中性区间

3. 关键技术位：

◦ 压力位：110.98元（近期高点）、115元、120元

◦ 支撑位：105元（筹码成本）、100元（强支撑）

◦ 筹码平均成本：105.94元

4. 资金流向：

◦ 近5日主力资金整体呈现净流出状态

◦ 3月27日主力资金净流入2403.71万元

◦ 北向资金（香港中央结算有限公司）持股318.16万股，较上期减少109.79万股

2. 筹码分布：近半年股东持股集中度及机构持仓变化

股东持股集中度（截至2025年9月30日）：

• 股东总数：65,621户，较上期增加21.67%

• 人均流通股：3,649股，较上期减少17.81%

• 十大流通股东持股合计：59.56%

• 筹码集中度：非常分散

机构持仓情况：

机构持仓变化趋势：

分析：机构持仓占比持续下降，主要因香港中央结算有限公司（北向资金）、南方中证500ETF、国联安半导体ETF等机构减持，但香港斯达控股等大股东持股未变，控制权稳固。

主要机构持仓明细（截至2025年9月30日）：

3. 估值水平：当前市盈率、市净率等估值指标与行业对比

当前估值（截至2026年3月30日）：

行业估值对比（功率半导体板块）：

估值评价：

1. 相对估值：当前估值处于行业合理区间，市盈率、市净率、市销率均低于行业平均水平

2. 历史分位：市盈率处于个股历史57.9%分位，不算便宜但也不贵

3. 成长性匹配：考虑到公司2026-2027年净利润CAGR约15-29%，当前估值具备一定吸引力

可比公司估值对比：

分析：斯达半导估值明显低于行业平均，主要因2024-2025年盈利承压，但考虑到公司是IGBT龙头，且SiC放量在即，估值具备修复空间。

七、投资参考

1. 机构观点：主流券商的评级及目标价分析

机构评级汇总（截至2026年3月30日）：

机构盈利预测（2025-2027年）：

核心观点摘要：

1. 广发证券：维持"买入"评级，给予公司2026年40倍PE估值，合理价值125.51元/股。核心逻辑：国产功率器件领军企业，AI+汽车推动公司成长。

2. 中金公司：给予"买入"评级，上调目标价至111.20元。核心逻辑：2Q25业绩低于预期，系传统功率半导体行业磨底和自有产线折旧增加所致。

3. 国元证券：维持"增持"评级。核心逻辑：新能源汽车和光伏储能市场需求旺盛驱动营收稳健增长，预计全年营收达41.15亿元。

4. 国际投行：高盛、摩根士丹利均给予"买入"评级，目标价130.20-128.50元。核心逻辑：国产替代潜力、SiC布局及下游新能源需求拉动，车规级产品持续渗透。

2. 重点关注：近期影响公司经营的重大事项及股价驱动因素

近期重大事项：

1. 15亿元可转债获批（2026年3月11日）：

◦ 募集资金投向：车规级SiC MOSFET模块制造项目（6亿元）、IPM模块制造项目（2.7亿元）、车规级GaN模块产业化项目（2亿元）、补充流动资金（4.3亿元）

◦ 影响分析：加速SiC/IPM/GaN产能扩张，巩固在新能源汽车与白色家电领域的核心优势

2. 获得施耐德电气两项大奖（2026年3月24日）：

◦ 荣获"Growth Mindset Excellence"和"最佳项目支持奖"两项大奖

◦ 影响分析：体现施耐德电气对公司的认可，有利于海外市场拓展

3. 车规级GaN模块获得平台定点：

◦ 车规级GaN模块已获得主电机控制器平台定点，计划于2026年进入装车应用阶段

◦ 影响分析：在下一代半导体材料领域取得突破，抢占市场先机

4. 投资上海安智芯车规集成电路有限公司（2026年3月20日）：

◦ 投资100万元，持股4.55%，布局车规级MCU芯片

◦ 影响分析：完善产品矩阵，从功率器件向"MCU+功率半导体+驱动IC"解决方案升级

股价驱动因素：

催化剂时间表：

• 2026年Q1：一季报披露，关注营收增长和毛利率变化

• 2026年Q2：SiC产线扩至500万套/年，GaN模块开始装车

• 2026年Q3：工业级MCU芯片批量销售

• 2026年Q4：可转债项目投产，新增产能释放

3. 风险提示：需特别注意的潜在投资风险点

核心风险提示：

1. 毛利率持续下滑风险：

◦ 2025年前三季度毛利率29.70%，同比下降7.81个百分点

◦ 若SiC和GaN等高毛利产品未能快速放量，毛利率可能进一步下滑

◦ 应对：关注SiC模块收入占比提升情况，目标2025年占比15%

2. SiC产能过剩风险：

◦ 2026年全球SiC衬底产能规划达468万片/年，远超3000万辆新能源汽车需求

◦ 可能导致价格战加剧，影响公司盈利

◦ 应对：公司自建6英寸产线，成本较国外产品低20%+，具备成本优势

3. 技术追赶压力：

◦ 与国际巨头相比，公司在SiC和GaN等先进功率半导体领域的技术积累仍有差距

◦ 英飞凌已推出第八代IGBT技术，公司仍在第七代

◦ 应对：持续加大研发投入，2025年研发费用率11.51%，高于行业平均

4. 客户集中度风险：

◦ 前五大客户贡献营收40%，依赖比亚迪、蔚来等车企需求稳定性

◦ 若主要客户销量下滑或更换供应商，将对公司业绩产生重大影响

◦ 应对：拓展海外市场，欧洲订单占比目标从5%提至20%

5. 应收账款回款风险：

◦ 2025年三季度应收账款19.65亿元，同比上升28.7%

◦ 需关注下游客户回款风险，尤其是新能源汽车和工业控制领域

◦ 应对：优化客户结构，加强回款管理

6. 股价波动风险：

◦ 当前估值56.04倍，高于部分可比公司

◦ 若业绩不及预期，可能面临估值回调风险

◦ 应对：关注业绩兑现情况，合理估值区间100-125元

八、近期经营重要事件

1. 重大经营事件时间轴（2025年10月-2026年3月）

2. 重大项目进展

SiC芯片研发及产业化项目：

• 投资金额：未公开（19.78亿元增资至斯达微电子）

• 建设内容：年产6万片6英寸车规级SiC MOSFET芯片生产线

• 当前进展：2024年完成建设，已量产，产能300万套/年

• 2026年计划：扩产至500万套/年

车规级SiC MOSFET模块制造项目（可转债）：

• 投资金额：10.02亿元（募资6亿元）

• 建设内容：年产280万个车规级SiC MOSFET模块

• 当前进展：已获证监会批复，建设前期准备中

• 预期效益：达产后年收入18亿元

IPM模块制造项目（可转债）：

• 投资金额：3.01亿元（募资2.7亿元）

• 建设内容：年产3000万个IPM模块

• 当前进展：已获批复，重庆基地建设

• 预期效益：达产后年收入6.6亿元

车规级GaN模块产业化项目（可转债）：

• 投资金额：3.01亿元（募资2亿元）

• 建设内容：年产100万个车规级GaN模块

• 当前进展：已获批复，上海嘉定基地建设

• 预期效益：达产后年收入4.51亿元，2026年开始装车应用

3. 客户合作进展

新能源汽车领域：

• 新增多个海外一线品牌Tier1的IGBT/SiC MOSFET主电机控制器项目平台定点

• 车规级IGBT/SiC模块在欧洲一线品牌Tier1持续大批量交付

• 配套超300万套新能源汽车主电机控制器（2024年）

新能源发电领域：

• 基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的IGBT模块在集中式储能电站持续大批量装机

• 基于第七代微沟槽技术的IGBT模块在组串式储能系统、工商业储能系统领域研发成功并开始批量交付

• 在光伏逆变器、储能等下游行业推出多个封装系列的750V、1200V SiC MOSFET分立器件产品

工业控制领域：

• 获得汇川技术颁发的"二十年战略合作奖"

• 获得施耐德（Schneider）颁发的"2023年度优秀新晋供应商奖"

• 获得丹佛斯（Danfoss）颁发的"2023 Best VAVESupplier"奖

九、总结与投资建议

1. 公司核心优势

1. 技术壁垒高：第七代IGBT技术、自主6英寸SiC产线、车规级认证优势

2. 市场地位强：国内IGBT模块龙头，市占率15%-25%，车规级IGBT模块国产第一

3. 客户资源优：深度绑定比亚迪、蔚来、华为、阳光电源、汇川等头部企业

4. 成长空间大：SiC放量、新兴领域突破（AI服务器、低空飞行器）、海外市场拓展

5. 产能扩张快：15亿可转债获批，SiC/IPM/GaN三线齐发，2026-2027年产能集中释放

2. 主要风险点

1. 毛利率承压：价格竞争激烈，短期难以缓解

2. 盈利能力下滑：2024年归母净利润同比下滑44.24%，2025年前三季度继续下滑

3. 技术追赶压力：与国际巨头在SiC/GaN领域仍有代差

4. 应收账款风险：2025年三季度应收账款19.65亿元，同比上升28.7%

3. 投资建议

短期（1年内）：

• 评级：增持

• 目标价：125-130元

• 核心逻辑：SiC放量、业绩恢复、估值修复

• 关注点：一季报毛利率变化、SiC收入占比、海外订单增长

中期（1-3年）：

• 评级：买入

• 目标价：130-150元

• 核心逻辑：SiC/GaN规模化、新兴领域突破、国产替代深化

• 关注点：SiC产能利用率、GaN装车进展、MCU客户导入

长期（3年以上）：

• 评级：买入

• 核心逻辑：平台型功率半导体企业崛起，全球竞争地位提升

• 关注点：技术迭代能力、全球化布局、产业链整合

4. 适合投资者类型

• 短期投资者：关注SiC放量、业绩拐点，适合波段操作

• 中期投资者：关注SiC/GaN产业化进展，适合持有1-2年

• 长期投资者：关注公司技术实力和行业地位，适合长期持有

附录：专业术语解释

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）：绝缘栅双极型晶体管，由BJT（双极型三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，是电力电子领域的"核心开关器件"。

SiC（Silicon Carbide）：碳化硅，第三代半导体材料，具备宽禁带、高热导率、高击穿电场等优良物理性质，在高频、高效、耐高温、耐高压等方面性能优于硅基器件。

GaN（Gallium Nitride）：氮化镓，第三代半导体材料，具有高频、高效、低损耗的特点，在数据中心、快充及部分中功率应用中具有优势。

IPM（Intelligent Power Module）：智能功率模块，不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起，而且还内置有过电压、过电流和过热等故障检测电路。

车规级认证：汽车电子领域的产品认证，包括IATF 16949质量管理体系、AEC-Q101器件认证、ISO 26262功能安全管理体系等，认证周期长（2-3年），是进入汽车电子领域的必要条件。

IDM（Integrated Device Manufacturer）：垂直整合制造模式，指集芯片设计、制造、封装、测试、销售等多个环节于一身的半导体企业。

FabLite：轻晶圆厂模式，指企业主要负责芯片设计和部分关键工艺环节，晶圆制造等环节与代工厂合作，是介于Fabless（无晶圆厂）和IDM之间的模式。