近年来，通过消除晶界、褶皱和附着层，在金属铜箔上成功地实现了大面积石墨烯薄膜的可规模生产。石墨烯从生长金属基底转移到功能基底上仍然是化学气相沉积（CVD）石墨烯薄膜真实的商业应用道路上不可避免的障碍。目前的转移方法仍然需要耗时的化学反应，这阻碍了其大规模生产，并且产生了强烈阻碍性能再现性的裂纹和污染。 因此，具有良好的转移石墨烯的完整性和洁净度以及高效的生产效率的石墨烯转移技术将是在目的衬底上批量生产石墨烯膜的理想选择。在短短15分钟内实现了4英寸大小的石墨烯晶圆到硅片上的无损转移。在保证石墨烯质量的情况下，使石墨烯产品更接近真实的应用。
我们在15分钟内实现了4英寸大小的石墨烯晶片的快速转移。Cu衬底的温和均匀的氧化促进了石墨烯与Cu的成功分层，而无需使用碱或蚀刻剂。通过从理论上研究裂纹和褶皱的起源，我们使用聚合物共混方法来仔细设计界面力，从而实现无裂纹和无褶皱的转移。特别是，石墨烯从生长衬底上的剥离和石墨烯在目标衬底上的层压都是在无水的方式下进行的，这确保了转移的石墨烯的低掺杂水平和优良的电子性能。我们报道的方法不仅提供了一种具有高效生产效率的大面积石墨烯薄膜的批量转移方法，而且是通过设计材料与其支撑衬底之间的界面来定制基于2D材料器件的性能的方法。
#石墨烯 #二维材料 #石墨烯转移 #2D #电子器件 #光电器件 #传感器 #生物传感 #柔性电子
我们在15分钟内实现了4英寸大小的石墨烯晶片的快速转移。Cu衬底的温和均匀的氧化促进了石墨烯与Cu的成功分层，而无需使用碱或蚀刻剂。通过从理论上研究裂纹和褶皱的起源，我们使用聚合物共混方法来仔细设计界面力，从而实现无裂纹和无褶皱的转移。特别是，石墨烯从生长衬底上的剥离和石墨烯在目标衬底上的层压都是在无水的方式下进行的，这确保了转移的石墨烯的低掺杂水平和优良的电子性能。我们报道的方法不仅提供了一种具有高效生产效率的大面积石墨烯薄膜的批量转移方法，而且是通过设计材料与其支撑衬底之间的界面来定制基于2D材料器件的性能的方法。
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