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刻蚀选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相对刻蚀速率快多少。它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比（图1）。高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。一个高选择比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材料（刻蚀到恰当的深度时停止）并且保护的光刻胶也未被刻蚀。图形几何尺寸的缩小要求减薄光刻胶厚度。高选择比在最先进的工艺中为了确保关键尺寸和剖面控制是必需的。特别是关键尺寸越小，选择比要求越高。
图1 刻蚀选择比
对于被刻蚀材料和掩蔽层材料（例如光刻胶）的选择比SR可以通过下式计算：
其中，Ef=被刻蚀材料的刻蚀速率 Er=掩蔽层材料的刻蚀速率（如光刻胶）
根据这个公式，选择比通常表示为一个比值。一个选择比差的刻蚀工艺这一比值可能是1:1意味着被刻蚀材料与光刻胶掩蔽层被除去得一样快；而一个选择比高的刻蚀工艺这一比值可能是100:1，说明被刻蚀材料的刻蚀速率是不要被刻蚀材料（如光刻胶）刻蚀速率的100倍。
某些化学湿法腐蚀与衬底晶体材料的晶向有关，例如硅晶体在碱性溶液中的腐蚀，其各向异性不是沿深度方向的各向异性，而是沿晶向面方向的各向异性。
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