在半导体制造领域，大马士革镶嵌工艺是一种极为重要的铜图形化工艺，特别是在集成电路制造中的铜布线环节。随着工艺节点不断演进，该工艺的应用愈发广泛。在大马士革镶嵌工艺体系下，Via first（通孔优先）和 Trench first（沟槽优先）两种工艺方法因各有特点，成为了关注的焦点。
工艺流程差异
Via first 工艺
Via first 工艺，顾名思义，是先进行通孔的蚀刻。首先，在已沉积好的介电层上，利用光刻技术确定通孔的位置，随后通过蚀刻工艺形成通孔。完成通孔制作后，再进行导线用沟槽的蚀刻。这种工艺顺序使得通孔的光刻制程相对容易，因为是在较为平坦的介电层表面进行，光刻的工艺视窗（process window）较大，对光刻设备和工艺控制的精度要求相对较低。不过，由于光刻过程中使用的光阻和 ARC 抗反射层，在通孔蚀刻完成后，孔洞内可能会残留有机物质，后续需要额外的清洗工艺步骤来确保通孔内部的洁净度，以免影响后续金属填充的质量和电气性能。
Trench first 工艺则是反其道而行之，最先在已沉积的介电层上蚀刻出导线用的沟槽。完成沟槽蚀刻后，进行孔洞的光刻，最后蚀刻出孔洞。由于先蚀刻沟槽，后续光刻孔洞时光阻需要覆盖在已形成的沟槽之上，导致孔洞处的光阻较厚，这大大增加了曝光和显影的难度，对光刻设备的光源强度、分辨率以及光刻胶的性能都提出了很高要求。为防止在蚀刻孔洞时过度蚀刻对下方介电层造成损坏，通常会在介电层下方添加蚀刻终止层，这无疑增加了工艺流程的复杂性和成本。
Trench first的缺点在于Via的光刻时，由于PR会填充在trench里面，导致PR较厚，造成曝光（exposure）和显影（development）较困难。
trench and via all in one顾名思义就是trench和via一起蚀刻，此方法涉及一层硬掩膜（hard mask）的蚀刻，首先还是电介质的沉积，然后再沉积一层HM，接着铺PR，曝光、显影定义出trench的图形，然后是对HM的蚀刻，接着再铺PR，曝光、显影定义出Via的图案，这里HM相当于trench的PR，最后进行trench和via同时蚀刻，一步制程同时完成trench和via的图案。这一般适用在40nm以下先进工艺。
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Via first 工艺
Via first 工艺，顾名思义，是先进行通孔的蚀刻。首先，在已沉积好的介电层上，利用光刻技术确定通孔的位置，随后通过蚀刻工艺形成通孔。完成通孔制作后，再进行导线用沟槽的蚀刻。这种工艺顺序使得通孔的光刻制程相对容易，因为是在较为平坦的介电层表面进行，光刻的工艺视窗（process window）较大，对光刻设备和工艺控制的精度要求相对较低。不过，由于光刻过程中使用的光阻和 ARC 抗反射层，在通孔蚀刻完成后，孔洞内可能会残留有机物质，后续需要额外的清洗工艺步骤来确保通孔内部的洁净度，以免影响后续金属填充的质量和电气性能。
Trench first 工艺则是反其道而行之，最先在已沉积的介电层上蚀刻出导线用的沟槽。完成沟槽蚀刻后，进行孔洞的光刻，最后蚀刻出孔洞。由于先蚀刻沟槽，后续光刻孔洞时光阻需要覆盖在已形成的沟槽之上，导致孔洞处的光阻较厚，这大大增加了曝光和显影的难度，对光刻设备的光源强度、分辨率以及光刻胶的性能都提出了很高要求。为防止在蚀刻孔洞时过度蚀刻对下方介电层造成损坏，通常会在介电层下方添加蚀刻终止层，这无疑增加了工艺流程的复杂性和成本。
Trench first的缺点在于Via的光刻时，由于PR会填充在trench里面，导致PR较厚，造成曝光（exposure）和显影（development）较困难。
trench and via all in one顾名思义就是trench和via一起蚀刻，此方法涉及一层硬掩膜（hard mask）的蚀刻，首先还是电介质的沉积，然后再沉积一层HM，接着铺PR，曝光、显影定义出trench的图形，然后是对HM的蚀刻，接着再铺PR，曝光、显影定义出Via的图案，这里HM相当于trench的PR，最后进行trench和via同时蚀刻，一步制程同时完成trench和via的图案。这一般适用在40nm以下先进工艺。
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