?刻蚀分为干法刻蚀和湿法刻蚀两类。干法刻蚀是借助等离子体与硅片发生物理及化学反应，从而达到材料去除的目的，干法刻蚀的特点是各向异性（各个方向速度不同）和高度的工艺可控性。湿法刻蚀是以化学试剂与硅片表面材料发生反应来完成材料去除，特点是各向同性（各个方向刻蚀速度相同），不容易进行精细控制。
?随着集成电路线宽不断缩小，刻蚀环节对于刻蚀精度要求不断提高，湿法刻蚀逐渐无法满足刻蚀工艺要求。在先进制程中，干法刻蚀已基本取代湿法刻蚀，占据了90%以上的市场。
?干法刻蚀也称等离子刻蚀，等离子体刻蚀机根据等离子体产生和控制技术的不同而大致分为两大类，即电容性等离子体（CCP）刻蚀机和电感性等离子体（ICP）刻蚀机。
?CCP刻蚀机主要用于电介质材料的刻蚀工艺，ICP刻蚀机主要用于硅刻蚀和金属刻蚀。目前先进的集成电路制造技术中用于刻蚀关键层最主要的刻蚀方法是单片处理的高密度等离子体刻蚀技术。一个等离子体刻蚀机的基本部件包括发生刻蚀反应的反应腔、产生等离子体气的射频电源、气体流量控制系统、去除生成物的真空系统。
?刻蚀中会用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅，氯和氟刻蚀铝，氯、氟和溴刻蚀硅，氧去除光刻胶。
资料来源：网络公开信息，版权归原作者所有
#硬科技前沿 #半导体 #刻蚀
?随着集成电路线宽不断缩小，刻蚀环节对于刻蚀精度要求不断提高，湿法刻蚀逐渐无法满足刻蚀工艺要求。在先进制程中，干法刻蚀已基本取代湿法刻蚀，占据了90%以上的市场。
?干法刻蚀也称等离子刻蚀，等离子体刻蚀机根据等离子体产生和控制技术的不同而大致分为两大类，即电容性等离子体（CCP）刻蚀机和电感性等离子体（ICP）刻蚀机。
?CCP刻蚀机主要用于电介质材料的刻蚀工艺，ICP刻蚀机主要用于硅刻蚀和金属刻蚀。目前先进的集成电路制造技术中用于刻蚀关键层最主要的刻蚀方法是单片处理的高密度等离子体刻蚀技术。一个等离子体刻蚀机的基本部件包括发生刻蚀反应的反应腔、产生等离子体气的射频电源、气体流量控制系统、去除生成物的真空系统。
?刻蚀中会用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅，氯和氟刻蚀铝，氯、氟和溴刻蚀硅，氧去除光刻胶。
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