1. Toppling Defects
高深宽比结构应力失衡：DRAM的AA结构深宽比通常超过1:20，Spin过程中离心力与表面张力的协同作用导致顶部因机械应力集中而倾斜或粘连。
- 改善方案：在AA表面沉积纳米级SiN应力缓冲层，分散机械应力。超临界CO2彻底解决。
2.condenses defect
干燥后晶圆表面出现孤立液滴，周围伴随颗粒再沉积环。
- 预热预处理：在干燥前将晶圆加热至80℃（±5℃），降低与干燥气体的温差；
3. Bump Defect
铜或铝互连层表面出现直径5-20μm的半球形凸起，高度偏差≥20%，常伴随底部空洞。
4.recess defect
栅极氧化层过度腐蚀：BOE蚀刻液对氧化硅/氮化硅选择比不足，导致栅极氧化层凹陷（>2nm）。
- 采用高选择比BOE（氧化硅/氮化硅>150:1），添加芳香醛抑制剂（如苯甲醛），腐蚀均匀性σ<3%。
5.Polymer& Residue defect
刻蚀后晶圆表面残留含氟或含碳聚合物，呈“草状”或“岛状”分布，高度20-200nm，直径50-500nm。
6.Particle Contamination
晶圆表面随机分布微米/纳米级颗粒，导致电路短路或光刻偏差。 通过NH₄OH:H₂O₂:H₂O氧化分解颗粒，结合800kHz兆声波增强空化效应 ；
7.Metal Contamination
清洗设备材质中的金属离子（Fe²⁺、Ni²⁺）溶出并沉积。
采用全氟烷氧基（PFA）材质的管道和容器，减少金属离子溶出。
8.bridge defect
相邻金属线间形成short，伴随颗粒或光刻胶残留。
9.crack & scratch
裂纹：贯穿晶圆的线状裂痕，深度可达衬底
划痕：表面机械损伤,长度10-200μm。
机理：robot操作不当、CMP压力不均、热应力（晶圆与载具膨胀系数不匹配）。
10.peelling defect
金属层或介质层局部脱落，界面分层。
11.PATTERN DAMAGE
3nm以下制程中光刻图案边缘粗糙度增加（CD均匀性3σ≥5nm）。
12.Edge Defects(单独讲)
13.Watermarks
特征：干燥后晶圆表面呈现白色斑点或条纹，成分主要为偏硅酸（H₂SiO₃）。
形成机理：超纯水冲洗后未彻底干燥，液滴蒸发导致溶质浓缩；晶圆表面疏水性差异引发液膜不均匀收缩。
14.晶圆翘曲（Warpage）
清洗过程中晶圆正反面温差导致热应力积累 。材料去除不均匀（如局部腐蚀）引发结构变形 。
- 改善方案：
- 采用双面同步清洗技术，确保晶圆两面受力均匀 。
- 优化干燥阶段的冷却速率，避免温度骤降。#芯片 #缺陷 #半导体
高深宽比结构应力失衡：DRAM的AA结构深宽比通常超过1:20，Spin过程中离心力与表面张力的协同作用导致顶部因机械应力集中而倾斜或粘连。
- 改善方案：在AA表面沉积纳米级SiN应力缓冲层，分散机械应力。超临界CO2彻底解决。
2.condenses defect
干燥后晶圆表面出现孤立液滴，周围伴随颗粒再沉积环。
- 预热预处理：在干燥前将晶圆加热至80℃（±5℃），降低与干燥气体的温差；
3. Bump Defect
铜或铝互连层表面出现直径5-20μm的半球形凸起，高度偏差≥20%，常伴随底部空洞。
4.recess defect
栅极氧化层过度腐蚀：BOE蚀刻液对氧化硅/氮化硅选择比不足，导致栅极氧化层凹陷（>2nm）。
- 采用高选择比BOE（氧化硅/氮化硅>150:1），添加芳香醛抑制剂（如苯甲醛），腐蚀均匀性σ<3%。
5.Polymer& Residue defect
刻蚀后晶圆表面残留含氟或含碳聚合物，呈“草状”或“岛状”分布，高度20-200nm，直径50-500nm。
6.Particle Contamination
晶圆表面随机分布微米/纳米级颗粒，导致电路短路或光刻偏差。 通过NH₄OH:H₂O₂:H₂O氧化分解颗粒，结合800kHz兆声波增强空化效应 ；
7.Metal Contamination
清洗设备材质中的金属离子（Fe²⁺、Ni²⁺）溶出并沉积。
采用全氟烷氧基（PFA）材质的管道和容器，减少金属离子溶出。
8.bridge defect
相邻金属线间形成short，伴随颗粒或光刻胶残留。
9.crack & scratch
裂纹：贯穿晶圆的线状裂痕，深度可达衬底
划痕：表面机械损伤,长度10-200μm。
机理：robot操作不当、CMP压力不均、热应力（晶圆与载具膨胀系数不匹配）。
10.peelling defect
金属层或介质层局部脱落，界面分层。
11.PATTERN DAMAGE
3nm以下制程中光刻图案边缘粗糙度增加（CD均匀性3σ≥5nm）。
12.Edge Defects(单独讲)
13.Watermarks
特征：干燥后晶圆表面呈现白色斑点或条纹，成分主要为偏硅酸（H₂SiO₃）。
形成机理：超纯水冲洗后未彻底干燥，液滴蒸发导致溶质浓缩；晶圆表面疏水性差异引发液膜不均匀收缩。
14.晶圆翘曲（Warpage）
清洗过程中晶圆正反面温差导致热应力积累 。材料去除不均匀（如局部腐蚀）引发结构变形 。
- 改善方案：
- 采用双面同步清洗技术，确保晶圆两面受力均匀 。
- 优化干燥阶段的冷却速率，避免温度骤降。#芯片 #缺陷 #半导体