枯燥报告的枯燥帮手?，适用于看过一些存储/半导体行业报告，对相关名词字母隐隐约约有印象后?
附：
存储产业链速览
材料/设备
硅片 → 光刻胶 → EUV光刻机 → 刻蚀机
“面团”备好，“雕刻刀”把13.5 nm线条刻进硅片，为后续300层3D NAND或1c DRAM奠基。
制造
IDM/Foundry产线按17nm、19nm或1c/1γ节点投片，稼动率决定ASP高低；长江存储用232层堆叠，三星用EUV做12-14 nm DRAM。
封装
Bumping长“金属豆豆”→ TC-NCF“双面胶”粘HBM → CoWoS/2.5D/3D“叠罗汉” → Fan-Out/WLP“扇形伸手” → 整片先包再切，信号跑得更快、体积更小。
测试
通过AEC-Q100“上车驾照”才能打进车规；OSAT日月光、长电负责“打包快递”。
产品形态
DRAM线：DDR5、LPDDR5X、HBM；
NAND线：QLC/TLC 3D NAND做成SSD、UFS 3.1、eMMC；
NOR Flash留给路由器/ECU“秒读”启动码。
应用市场
AI服务器：HBM+大容量DDR5；
L2+/L3自动驾驶：车规SSD+大带宽DRAM；
边缘计算+IoT：低功耗LPDDR5X+eMMC/NOR，万物“上微信”。
（笔记整理自AI问询，提及公司不构成投资建议）
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