⭐1. 题目内容：以下哪种半导体材料常用于制造高频、高速器件？
[ ] A. 硅（Si）
[ ] B. 锗（Ge）
[ ] C. 砷化镓（GaAs）
[ ] D. 碳化硅（SiC）
答案：C
解析：砷化镓（GaAs）具有比硅高得多的电子迁移率，这使得载流子在电场中的运动速度更快，因此特别适合制造高频、高速器件。硅是最通用的半导体材料；碳化硅更常用于高功率、高温场景；锗则已较少用于此类应用。
⭐1. 题目内容：在MOSFET中，阈值电压（Vth）的大小与以下哪个因素无关？
[ ] A. 栅氧化层厚度
[ ] B. 衬底掺杂浓度
[ ] C. 沟道长度
[ ] D. 温度
答案：C
解析：阈值电压受栅氧化层厚度（越厚Vth通常越大）、衬底掺杂浓度以及温度的影响。而沟道长度主要影响器件的导通电阻和电流驱动能力等，与阈值电压没有直接关系。
⭐1. 题目内容：光刻工艺中，分辨率（R）与以下哪个参数成反比？
[ ] A. 曝光波长（λ）
[ ] B. 数值孔径（NA）
[ ] C. 焦深（DOF）
[ ] D. 光刻胶灵敏度
答案：B
解析：根据瑞利分辨率公式 ( R = k_1 \\cdot \\frac{\\lambda}{NA} )，分辨率（R）与数值孔径（NA）成反比，数值孔径越大，能分辨的图形尺寸越小。
⭐1. 题目内容：集成电路制造中，化学机械抛光（CMP）工艺的主要作用是：
[ ] A. 去除晶圆表面的杂质
[ ] B. 减小晶圆表面的粗糙度
[ ] C. 实现晶圆表面的全局平坦化
[ ] D. 增加晶圆表面的氧化层厚度
答案：C
解析：CMP工艺的核心目的是通过化学腐蚀和机械研磨的共同作用，消除晶圆表面因多层布线等工艺产生的高低不平，实现全局平坦化，为后续工艺提供平整的基础。
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[ ] A. 硅（Si）
[ ] B. 锗（Ge）
[ ] C. 砷化镓（GaAs）
[ ] D. 碳化硅（SiC）
答案：C
解析：砷化镓（GaAs）具有比硅高得多的电子迁移率，这使得载流子在电场中的运动速度更快，因此特别适合制造高频、高速器件。硅是最通用的半导体材料；碳化硅更常用于高功率、高温场景；锗则已较少用于此类应用。
⭐1. 题目内容：在MOSFET中，阈值电压（Vth）的大小与以下哪个因素无关？
[ ] A. 栅氧化层厚度
[ ] B. 衬底掺杂浓度
[ ] C. 沟道长度
[ ] D. 温度
答案：C
解析：阈值电压受栅氧化层厚度（越厚Vth通常越大）、衬底掺杂浓度以及温度的影响。而沟道长度主要影响器件的导通电阻和电流驱动能力等，与阈值电压没有直接关系。
⭐1. 题目内容：光刻工艺中，分辨率（R）与以下哪个参数成反比？
[ ] A. 曝光波长（λ）
[ ] B. 数值孔径（NA）
[ ] C. 焦深（DOF）
[ ] D. 光刻胶灵敏度
答案：B
解析：根据瑞利分辨率公式 ( R = k_1 \\cdot \\frac{\\lambda}{NA} )，分辨率（R）与数值孔径（NA）成反比，数值孔径越大，能分辨的图形尺寸越小。
⭐1. 题目内容：集成电路制造中，化学机械抛光（CMP）工艺的主要作用是：
[ ] A. 去除晶圆表面的杂质
[ ] B. 减小晶圆表面的粗糙度
[ ] C. 实现晶圆表面的全局平坦化
[ ] D. 增加晶圆表面的氧化层厚度
答案：C
解析：CMP工艺的核心目的是通过化学腐蚀和机械研磨的共同作用，消除晶圆表面因多层布线等工艺产生的高低不平，实现全局平坦化，为后续工艺提供平整的基础。
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