一、硅片
晶圆制造的基底材料，可通过直拉法和区熔法制造；
为了降低成本并提高生产效率，半导体行业不断推进硅片尺寸的增大；
国际主要玩家有日本信越化学、SUMCO，宝岛的环球晶圆等，我国主要有沪硅产业、立昂微、TCL中环等。
二、特气
电子特种气体在半导体制造的多个阶段中发挥着关键作用如氧化、还原、除杂；
特气发展存在的挑战就是纯度、精度，8-12英寸芯片需要纯度达到5-6N，未来肯定是往更纯、更精发展；
三、湿电子化学品
湿电子化学品是湿法工艺（如刻蚀和清洗）中使用的液体化工材料，用途是清洗、刻蚀；
随着晶圆尺寸的增大，湿电子化学品的消耗量显著增加。芯片线宽越精细，对湿电子化学品的纯度要求也越高；
国际玩家有：德国巴斯夫，美国亚仕兰、美国Arch，关东化学、三菱化学；东友、东进等；国内有晶瑞电材、江化微、新宙邦等。
四、光刻胶
光刻胶是用于图形转移的高科技介质，通过光照引发的溶解度变化，将掩膜版图案转移到衬底上；
光刻胶技术要求严格，需确保聚合产物分子量分布狭窄，并严格控制金属杂质至ppb级水平，未来将更精准和稳定；
光刻胶国产化率非常低。国际主要玩家有JSR、信越化学、东京应化、陶氏，国内主要是南大光电、彤程新材、晶瑞电材、上海新阳等。
五、掩模版
掩膜版是光刻工艺的核心组件，用于将电路图案转移到晶圆上；
2019年我国才生产出首张自主研发的11代TFT掩膜版，未来发展发展空间很大；
掩模版由国外主导，国际主要玩家有：韩国的LG、美国的福尼克斯等。国内有清溢光电、路维光电等。
六、CMP抛光材料
CMP抛光材料主要可分为抛光液、抛光垫、调节器、清洁剂，抛光液/垫占主要。用途是通过化学反应与物理研磨实现大面积平坦化；
七、靶材
靶材是芯片中制备薄膜的元素级材料，通过磁控进行精准放置； 随着半导体工艺的精细化，对靶材的纯度要求显著提高。同时12英寸晶圆制造倾向于使用铜靶与钽靶；
国家主要玩家有：日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯等；国内主要玩家有：江丰电子、有研新材等。
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晶圆制造的基底材料，可通过直拉法和区熔法制造；
为了降低成本并提高生产效率，半导体行业不断推进硅片尺寸的增大；
国际主要玩家有日本信越化学、SUMCO，宝岛的环球晶圆等，我国主要有沪硅产业、立昂微、TCL中环等。
二、特气
电子特种气体在半导体制造的多个阶段中发挥着关键作用如氧化、还原、除杂；
特气发展存在的挑战就是纯度、精度，8-12英寸芯片需要纯度达到5-6N，未来肯定是往更纯、更精发展；
三、湿电子化学品
湿电子化学品是湿法工艺（如刻蚀和清洗）中使用的液体化工材料，用途是清洗、刻蚀；
随着晶圆尺寸的增大，湿电子化学品的消耗量显著增加。芯片线宽越精细，对湿电子化学品的纯度要求也越高；
国际玩家有：德国巴斯夫，美国亚仕兰、美国Arch，关东化学、三菱化学；东友、东进等；国内有晶瑞电材、江化微、新宙邦等。
四、光刻胶
光刻胶是用于图形转移的高科技介质，通过光照引发的溶解度变化，将掩膜版图案转移到衬底上；
光刻胶技术要求严格，需确保聚合产物分子量分布狭窄，并严格控制金属杂质至ppb级水平，未来将更精准和稳定；
光刻胶国产化率非常低。国际主要玩家有JSR、信越化学、东京应化、陶氏，国内主要是南大光电、彤程新材、晶瑞电材、上海新阳等。
五、掩模版
掩膜版是光刻工艺的核心组件，用于将电路图案转移到晶圆上；
2019年我国才生产出首张自主研发的11代TFT掩膜版，未来发展发展空间很大；
掩模版由国外主导，国际主要玩家有：韩国的LG、美国的福尼克斯等。国内有清溢光电、路维光电等。
六、CMP抛光材料
CMP抛光材料主要可分为抛光液、抛光垫、调节器、清洁剂，抛光液/垫占主要。用途是通过化学反应与物理研磨实现大面积平坦化；
七、靶材
靶材是芯片中制备薄膜的元素级材料，通过磁控进行精准放置； 随着半导体工艺的精细化，对靶材的纯度要求显著提高。同时12英寸晶圆制造倾向于使用铜靶与钽靶；
国家主要玩家有：日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯等；国内主要玩家有：江丰电子、有研新材等。
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