今天我们来聊聊半导体制造中十分重要的一个环节——光刻胶去除（PR Strip）！ 芯片制造就像搭积木，每一步都要精准无误，而清洗工艺就是确保“积木”干净无瑕的关键！
为什么光刻胶要去除？
光刻胶是半导体晶圆制造的核心材料，在晶圆制程中，光刻工艺占比极大，在光刻环节有个不可或缺的步骤就是晶圆去胶，如果残留胶不清干净，会导致：
后续薄膜沉积不均匀
金属线路短路
甚至影响芯片性能！
所以，去胶工艺必须又快又干净！
清洗方法可以分为两类
湿法清洗：使用化学溶剂或者去离子水清洗晶圆。湿法清洗也分为浸泡法和喷涂法两种
常用方法：有机溶剂（丙酮、NMP）→ 溶解未改性的胶 Piranha溶液（H₂SO₄+H₂O₂）→ 强力氧化碳化胶
优点：适合批量处理 缺点：可能腐蚀金属，损伤敏感材料
干法清洗：等离子PLASMA干式去胶，通过等离子体的化学反应和物理轰击协同作用，实现了高效、可控的材料去除
常用方法：
H₂/N₂等离子体 → 保护金属不被氧化
O₂等离子体 → 把胶“烧”成CO₂和H₂O
优点： 彻底去胶且速度快， 无化学物质液体残留，无需进行废液处理，适合纳米级结构，环保干净，清洗过程可控性强，成品率高，工序简单
等离子PLASMA干式去胶的适用场景： 半导体晶圆，硅基材料，硬掩膜层，抗反射图形膜层，PR Strip
去胶就像“卸妆”，既要干净又不能伤皮肤！半导体人真的太不容易了～ 大家有没有遇到过清洗工艺的难题？欢迎评论区交流！
#半导体 #芯片制造 #光刻胶工艺 #科技干货 #工程师日常
为什么光刻胶要去除？
光刻胶是半导体晶圆制造的核心材料，在晶圆制程中，光刻工艺占比极大，在光刻环节有个不可或缺的步骤就是晶圆去胶，如果残留胶不清干净，会导致：
后续薄膜沉积不均匀
金属线路短路
甚至影响芯片性能！
所以，去胶工艺必须又快又干净！
清洗方法可以分为两类
湿法清洗：使用化学溶剂或者去离子水清洗晶圆。湿法清洗也分为浸泡法和喷涂法两种
常用方法：有机溶剂（丙酮、NMP）→ 溶解未改性的胶 Piranha溶液（H₂SO₄+H₂O₂）→ 强力氧化碳化胶
优点：适合批量处理 缺点：可能腐蚀金属，损伤敏感材料
干法清洗：等离子PLASMA干式去胶，通过等离子体的化学反应和物理轰击协同作用，实现了高效、可控的材料去除
常用方法：
H₂/N₂等离子体 → 保护金属不被氧化
O₂等离子体 → 把胶“烧”成CO₂和H₂O
优点： 彻底去胶且速度快， 无化学物质液体残留，无需进行废液处理，适合纳米级结构，环保干净，清洗过程可控性强，成品率高，工序简单
等离子PLASMA干式去胶的适用场景： 半导体晶圆，硅基材料，硬掩膜层，抗反射图形膜层，PR Strip
去胶就像“卸妆”，既要干净又不能伤皮肤！半导体人真的太不容易了～ 大家有没有遇到过清洗工艺的难题？欢迎评论区交流！
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