晶圆制造的工艺流程
1. 准备晶圆：硅提纯、单晶生长、切片、抛光
2. 氧化(Oxidation)：生长一层二氧化硅作为隔离层
3. 光刻(Photolithography)：涂胶、对准掩膜版、曝光、显影、定义出栅极的形状
4. 刻蚀 (Etching)：干法刻蚀（等离子体）或湿法刻蚀（化学溶剂）去除暴露区域材料
5. 去胶(Ashing)：去除残留的光刻胶
6. 离子注入 (Ion Implantation)：在硼、磷、砷离子注入杂质，形成源极/漏极
7. 退火 (Annealing)：高温修复晶格损伤，激活掺杂离子
8. 薄膜沉积（Deposition）：化学气相沉积（CVD）/物理气相沉积（PVD） 沉积一层多晶硅或金属层#半导体 #芯片 #科技干货 #工艺流程 #知识分享 #职场干货
1. 准备晶圆：硅提纯、单晶生长、切片、抛光
2. 氧化(Oxidation)：生长一层二氧化硅作为隔离层
3. 光刻(Photolithography)：涂胶、对准掩膜版、曝光、显影、定义出栅极的形状
4. 刻蚀 (Etching)：干法刻蚀（等离子体）或湿法刻蚀（化学溶剂）去除暴露区域材料
5. 去胶(Ashing)：去除残留的光刻胶
6. 离子注入 (Ion Implantation)：在硼、磷、砷离子注入杂质，形成源极/漏极
7. 退火 (Annealing)：高温修复晶格损伤，激活掺杂离子
8. 薄膜沉积（Deposition）：化学气相沉积（CVD）/物理气相沉积（PVD） 沉积一层多晶硅或金属层#半导体 #芯片 #科技干货 #工艺流程 #知识分享 #职场干货