?北大团队破解光刻胶微观行为难题
?助力先进制程良率提升
? 核心突破背景
?光刻技术是集成电路芯片制程工艺微缩的核心驱动力之一
?光刻胶在显影液中的微观行为长期是\"黑匣子\"，工业界依赖反复试错优化工艺
?该问题是制约7纳米及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一
? 技术创新与方法
?北京大学彭海琳教授团队及合作者首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域
✨实现原位状态下解析光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为
?成功合成分辨率优于5纳米的微观三维\"全景照片\"，克服传统技术无法原位、三维、高分辨率观测的三大痛点
? 研究成果与价值
?首次在原位状态下获得光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构数据
?指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案相关论文刊发于《自然·通讯》
?冷冻电镜技术为原子/分子尺度解析液相界面反应提供强大工具，可推动光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与良率提升
? 关键洞察
?显影步骤通过显影液溶解光刻胶曝光区域转移电路图案，光刻胶运动直接决定电路精度和芯片良率
?深入掌握液体中聚合物的结构与微观行为是提升先进制程良率的核心路径
#芯片 #人工智能 #创新驱动发展 #光刻技术 #集成电路芯片 #光刻胶 #自然通讯 #北京大学 #中国芯片突破 #中国芯片
?助力先进制程良率提升
? 核心突破背景
?光刻技术是集成电路芯片制程工艺微缩的核心驱动力之一
?光刻胶在显影液中的微观行为长期是\"黑匣子\"，工业界依赖反复试错优化工艺
?该问题是制约7纳米及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一
? 技术创新与方法
?北京大学彭海琳教授团队及合作者首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域
✨实现原位状态下解析光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为
?成功合成分辨率优于5纳米的微观三维\"全景照片\"，克服传统技术无法原位、三维、高分辨率观测的三大痛点
? 研究成果与价值
?首次在原位状态下获得光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构数据
?指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案相关论文刊发于《自然·通讯》
?冷冻电镜技术为原子/分子尺度解析液相界面反应提供强大工具，可推动光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与良率提升
? 关键洞察
?显影步骤通过显影液溶解光刻胶曝光区域转移电路图案，光刻胶运动直接决定电路精度和芯片良率
?深入掌握液体中聚合物的结构与微观行为是提升先进制程良率的核心路径
#芯片 #人工智能 #创新驱动发展 #光刻技术 #集成电路芯片 #光刻胶 #自然通讯 #北京大学 #中国芯片突破 #中国芯片