光刻胶（Photoresist）。它本质上是一种对特定光线（通常是紫外光、深紫外光DUV甚至极紫外光EUV）敏感的聚合物材料，是光刻工艺的核心耗材，被誉为半导体制造的“精密临时模板”。
光刻胶的核心功能
1. 感光成像（Pattern Formation）：
核心任务：这是光刻胶最根本的特性。它能够精确记录光刻机曝光的光学图案信息。
原理：当特定波长的光线透过掩膜版（Mask/光罩）照射到光刻胶上时，受光照区域的光刻胶内部会发生光化学反应（例如，化学键断裂、交联或引发剂产酸）。
结果：这种反应改变了光刻胶在受光区域和未受光区域的溶解度差异，为下一步“显影”形成图形奠定基础。
2. 图形转移（Pattern Transfer）：
桥梁作用：经过曝光和显影后，光刻胶在晶圆表面形成精确的三维浮雕结构（即设计好的电路图形）。
保护与定义：这层浮雕结构充当了临时掩模。在后续的关键工艺步骤（如刻蚀或离子注入）中：
刻蚀（Etching）：有光刻胶覆盖的区域被保护起来，不受刻蚀剂侵蚀；裸露的区域则被刻蚀掉，从而将光刻胶上的图形精确地转移到下方的材料层（如二氧化硅、多晶硅、金属等）。
离子注入（Ion Implantation）：光刻胶覆盖的区域阻挡了离子的注入，只有图形开口区域允许离子注入到硅片中特定区域，形成所需的电学特性。
目标：最终实现将设计版图上的电路结构忠实地复制到硅片上。
光刻胶的关键分类
正性光刻胶（Positive Photoresist）：
曝光区域发生反应，在显影液中溶解度增加而被溶解掉。
是目前主流的类型，尤其在先进制程中。
负性光刻胶（Negative Photoresist）：
曝光区域发生交联反应，在显影液中溶解度降低
光刻胶的重要性
多工艺的接口：它连接着光刻曝光和后续的刻蚀/离子注入等关键工艺，其质量直接影响整个制程链的成败
技术壁垒高：光刻胶的研发和生产涉及复杂的化学合成、配方调控和严格的纯度控制
#光刻胶 #光阻剂 #半导体材料 #光刻工艺 #芯片制造 #感光材料 #图形转移 #正胶 #负胶 #半导体前道工艺
光刻胶的核心功能
1. 感光成像（Pattern Formation）：
核心任务：这是光刻胶最根本的特性。它能够精确记录光刻机曝光的光学图案信息。
原理：当特定波长的光线透过掩膜版（Mask/光罩）照射到光刻胶上时，受光照区域的光刻胶内部会发生光化学反应（例如，化学键断裂、交联或引发剂产酸）。
结果：这种反应改变了光刻胶在受光区域和未受光区域的溶解度差异，为下一步“显影”形成图形奠定基础。
2. 图形转移（Pattern Transfer）：
桥梁作用：经过曝光和显影后，光刻胶在晶圆表面形成精确的三维浮雕结构（即设计好的电路图形）。
保护与定义：这层浮雕结构充当了临时掩模。在后续的关键工艺步骤（如刻蚀或离子注入）中：
刻蚀（Etching）：有光刻胶覆盖的区域被保护起来，不受刻蚀剂侵蚀；裸露的区域则被刻蚀掉，从而将光刻胶上的图形精确地转移到下方的材料层（如二氧化硅、多晶硅、金属等）。
离子注入（Ion Implantation）：光刻胶覆盖的区域阻挡了离子的注入，只有图形开口区域允许离子注入到硅片中特定区域，形成所需的电学特性。
目标：最终实现将设计版图上的电路结构忠实地复制到硅片上。
光刻胶的关键分类
正性光刻胶（Positive Photoresist）：
曝光区域发生反应，在显影液中溶解度增加而被溶解掉。
是目前主流的类型，尤其在先进制程中。
负性光刻胶（Negative Photoresist）：
曝光区域发生交联反应，在显影液中溶解度降低
光刻胶的重要性
多工艺的接口：它连接着光刻曝光和后续的刻蚀/离子注入等关键工艺，其质量直接影响整个制程链的成败
技术壁垒高：光刻胶的研发和生产涉及复杂的化学合成、配方调控和严格的纯度控制
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