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EUV光刻胶是极紫外光刻关键材料，用于7nm及以下制程芯片制造，是高端存储芯片微小化、高性能化等核心材料。
近日，北京大学彭海琳教授团队利用冷冻电子断层扫描技术，首次原位解析了光刻胶分子在液相中的微观结构，并开发出可减少缺陷的产业化方案，为行业带来新的想象空间。
光刻胶概念热度上涨的原因有哪些？
近期光刻胶概念热度持续走高，主要受多方面影响：
1. 标准制定迈出关键一步，产业规范化发展在即
10月23日，国家标准委网站公示，我国首个EUV光刻胶标准——《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》正式立项，公示截止至11月22日。
这一标准的制定，将填补国内在该领域的技术标准空白，并通过建立统一的测试方法，为EUV光刻胶的性能评价提供客观标尺，是产业从“有”到“优”发展的重要基石。
2. 底层技术取得突破，产业链协同发展可期
北京大学团队的技术突破，首次在原位状态下解析了光刻胶分子的微观三维结构。正如中国银河证券所指出的，光刻技术是推动集成电路芯片制程持续微缩的核心驱动力。
光刻胶作为半导体、PCB、显示面板等行业的基础材料，其技术进步将有效促进上下游产业链协同发展，从上游材料、中游生产到下游应用企业均能受益。
3. 需求扩张与国产替代形成共振，成长空间明确
光大证券分析认为，半导体材料板块正同时受益于需求扩张与国产替代的双重逻辑。一方面，晶圆投片量增加直接拉动材料需求；另一方面，政策支持推动核心材料国产化率提升。预计2025年，中国大陆光刻胶市场规模将同比增长6.8%，达到179亿元。
#私募排排网 #光刻胶概念股 #概念股 #概念股梳理 #股票 #A股 #a股 #股市
EUV光刻胶是极紫外光刻关键材料，用于7nm及以下制程芯片制造，是高端存储芯片微小化、高性能化等核心材料。
近日，北京大学彭海琳教授团队利用冷冻电子断层扫描技术，首次原位解析了光刻胶分子在液相中的微观结构，并开发出可减少缺陷的产业化方案，为行业带来新的想象空间。
光刻胶概念热度上涨的原因有哪些？
近期光刻胶概念热度持续走高，主要受多方面影响：
1. 标准制定迈出关键一步，产业规范化发展在即
10月23日，国家标准委网站公示，我国首个EUV光刻胶标准——《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》正式立项，公示截止至11月22日。
这一标准的制定，将填补国内在该领域的技术标准空白，并通过建立统一的测试方法，为EUV光刻胶的性能评价提供客观标尺，是产业从“有”到“优”发展的重要基石。
2. 底层技术取得突破，产业链协同发展可期
北京大学团队的技术突破，首次在原位状态下解析了光刻胶分子的微观三维结构。正如中国银河证券所指出的，光刻技术是推动集成电路芯片制程持续微缩的核心驱动力。
光刻胶作为半导体、PCB、显示面板等行业的基础材料，其技术进步将有效促进上下游产业链协同发展，从上游材料、中游生产到下游应用企业均能受益。
3. 需求扩张与国产替代形成共振，成长空间明确
光大证券分析认为，半导体材料板块正同时受益于需求扩张与国产替代的双重逻辑。一方面，晶圆投片量增加直接拉动材料需求；另一方面，政策支持推动核心材料国产化率提升。预计2025年，中国大陆光刻胶市场规模将同比增长6.8%，达到179亿元。
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