光刻胶是光刻工艺核心材料。光刻材料主要包括 SOC（SpinOnCarbon）、ARC（AntireflectiveCoating）、光刻胶、TopCoating、稀释剂、冲洗液、显影液等，系光刻工艺中重要材料之一，决定晶圆工艺图形精密程度与产品良率。
光刻胶是一种在紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X 射线等光照或辐射作用下，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的核心材料。经过旋涂、前烘、曝光、后烘和显影等一系列工艺步骤，光刻胶能够将光掩模板上的微纳图形转移到胶膜上，并通过后续工艺实现目标材料的图案化和阵列化。
从光刻胶的发展历程看，20 世纪50年代至今，光刻技术经历了紫外全谱（300-340nm），G 线（436nm），I 线（365nm），深紫外（Deep Ultraviolet，DUV，248nm 和 193nm），以及目前最引人注目的极紫外（EUV，13.5nm）光刻，电子束光刻等六个阶段，随着光刻技术发展，各曝光波长的光刻胶组分（成膜树脂、感光剂和添加剂等）也随之变化。
根据反应机理和显影原理，可以将光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶。根据感光树脂的化学结构，光刻胶可分为光聚合型，光分解型和光交联型。根据应用领域，光刻胶可以分为 PCB 光刻胶、面板光刻胶和半导体光刻胶。
半导体用光刻胶市场主要集中在 KrF 及 ArFi。根据研精毕智数据，2022 年全球半导体光刻胶细分市场中，ArFi 光刻胶和 KrF 光刻胶的市场份额最大，均在 30%以上，分别为 40%和 33%。其次是 G/I 光刻胶，市场份额约为 17%。ArF 市场份额约 10%。其他细分市场 （EUV）市场占比约 1%。随着制程节点的升级，G/I 线光刻胶市场占比将逐步下降，EUV 光刻胶主要用于 7nm 及更小的逻辑制程节点，随着相关技术的研发升级，EUV 市场增速较快。
#战略性新兴产业 #半导体 #芯片 #半导体材料 #光刻胶 #光刻 #光刻机
光刻胶是一种在紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X 射线等光照或辐射作用下，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的核心材料。经过旋涂、前烘、曝光、后烘和显影等一系列工艺步骤，光刻胶能够将光掩模板上的微纳图形转移到胶膜上，并通过后续工艺实现目标材料的图案化和阵列化。
从光刻胶的发展历程看，20 世纪50年代至今，光刻技术经历了紫外全谱（300-340nm），G 线（436nm），I 线（365nm），深紫外（Deep Ultraviolet，DUV，248nm 和 193nm），以及目前最引人注目的极紫外（EUV，13.5nm）光刻，电子束光刻等六个阶段，随着光刻技术发展，各曝光波长的光刻胶组分（成膜树脂、感光剂和添加剂等）也随之变化。
根据反应机理和显影原理，可以将光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶。根据感光树脂的化学结构，光刻胶可分为光聚合型，光分解型和光交联型。根据应用领域，光刻胶可以分为 PCB 光刻胶、面板光刻胶和半导体光刻胶。
半导体用光刻胶市场主要集中在 KrF 及 ArFi。根据研精毕智数据，2022 年全球半导体光刻胶细分市场中，ArFi 光刻胶和 KrF 光刻胶的市场份额最大，均在 30%以上，分别为 40%和 33%。其次是 G/I 光刻胶，市场份额约为 17%。ArF 市场份额约 10%。其他细分市场 （EUV）市场占比约 1%。随着制程节点的升级，G/I 线光刻胶市场占比将逐步下降，EUV 光刻胶主要用于 7nm 及更小的逻辑制程节点，随着相关技术的研发升级，EUV 市场增速较快。
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